戴虹

作品数：8被引量：8H指数：2
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供职机构：中北大学理学院更多>>
发文主题：修饰碳糊电极循环伏安法石墨烯伏安法测定铜离子更多>>
发文领域：理学一般工业技术更多>>
发文期刊：《材料导报》《现代化工》《化工新型材料》《四川化工》更多>>
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对叔丁基杯[4]芳烃修饰碳糊电极测定痕量铜被引量：1
《现代化工》2016年第10期184-188,共5页侯国忠 焦晨旭 王磊 戴虹 
以对叔丁基苯酚和甲醛为原料,通过缩合反应制备对叔丁基杯[4]芳烃(H4L),并利用红外光谱对其进行表征。将制备的对叔丁基杯[4]芳烃修饰在碳糊电极上得到了用于检测铜离子的电化学传感器,通过循环伏安法研究了铜离子在该修饰电极上的电化...
关键词：芳烃 循环伏安法 铜离子 
十二烷基苯磺酸钠改性膨润土修饰碳糊电极对铅离子的测定研究被引量：2
《化工新型材料》2016年第7期167-170,共4页王磊 焦晨旭 戴虹 侯国忠 
山西省自然科学基金资助项目(2009011015-2)
用十二烷基苯磺酸钠改性膨润土,并通过红外光谱(IR)及X射线衍射(XRD)对其进行表征。以改性膨润土作为化学修饰剂制成修饰碳糊电极,利用三电极体系循环伏安法,在BR缓冲溶液中测定铅离子(Pb^(2+))的电化学行为。结果表明:用十二烷基苯磺...
关键词：十二烷基苯磺酸钠 有机膨润土 循环伏安法 PB^2+ 
石墨烯/聚苯胺复合材料修饰碳糊电极测定镉(Ⅱ)离子
《材料导报》2016年第8期51-55,共5页戴虹 焦晨旭 王磊 侯国忠 
山西省自然科学基金(2009011015-2)
采用原位聚合法制备石墨烯/聚苯胺复合材料,利用透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)对其进行了表征;并将制得的石墨烯/聚苯胺复合材料作为化学修饰剂制成石墨烯/聚苯胺复合材料修饰碳糊电极,利用三电极体系循环伏安法,在NH3-NH4Cl缓...
关键词：修饰碳糊电极 循环伏安法 石墨烯/聚苯胺复合材料 镉(Ⅱ) 
石墨烯/银复合材料修饰碳糊电极循环伏安法测定铜离子
《四川化工》2016年第1期25-29,共5页戴虹 焦晨旭 王磊 侯国忠 
用石墨烯/银复合材料(rGO/Ag)修饰碳糊电极,采用循环伏安法在pH值=7.00的磷酸缓冲溶液(PBS)中测定铜离子(Cu^(2+))。研究rGO/Ag修饰碳糊电极在不同条件对Cu^(2+)电化学测定的影响。实验表明,以比例为0.005∶0.5的石墨烯/银复合材料(石...
关键词：石墨烯/银复合材料 化学修饰碳糊电极循环伏安法铜(II) 
石墨稀／泡沫镍复合电极的制备及其测定汞离子的应用
《化工中间体》2015年第6期90-91,共2页戴虹 焦晨旭 侯国忠 王磊 
以石墨稀／泡沫镍复合电极，采用循环伏安法，用于重金属离子汞的检测，研究了其电化学眭能，并优化实验条件。当在pH=10．20的NH3刊H4Cl缓冲溶液中，最佳扫描速率为100mV·s-1时，为最佳实验条件。测试图中在0．41V左右处出现明显的氧...
关键词：石墨稀/泡沫镍复合电极 循环伏安法 Hg(Ⅱ) 
二苯并18冠6-PVC修饰碳糊电极循环伏安法测定Pb^(2+)
《材料导报》2014年第20期26-30,共5页冯鹏青 焦晨旭 郭凌雁 戴虹 
山西省科技攻关基金(20120321016-01);煤转化国家重点实验室基金(J-13-14-909)
制备了二苯并18冠6(DB18C6)-PVC修饰碳糊电极,采用循环伏安法在氨性缓冲溶液中测定Pb2+,研究了不同实验条件对Pb2+测定的影响。结果表明:二苯并18冠6、PVC与石墨粉的质量比为0.1∶0.4∶4,以pH=9.66的氨性缓冲溶液为底液,在扫描速率为100...
关键词：二苯并18冠6 PVC 化学修饰电极 循环伏安法 铅离子 
石墨烯修饰碳糊电极循环伏安法测定铜离子被引量：5
《材料科学与工程学报》2014年第4期554-558,共5页冯鹏青 焦晨旭 郭凌雁 戴虹 
山西省科技攻关基金资助项目(20120321016-01);煤转化国家重点实验室基金资助项目(J-13-14-909)
用石墨烯修饰碳糊电极,采用循环伏安法在BR缓冲溶液中测定Cu2+的电化学行为。研究了不同条件对Cu2+电化学测定的影响。实验表明,石墨与石墨烯比例为8∶1,pH=3.5,扫描速度为100mV/s进行循环伏安法测定时,在0.136V左右处出现一个峰形较好...
关键词：石墨烯 化学修饰电极 循环伏安法 铜离子 
碳化硅修饰碳糊电极测定汞离子被引量：3
《材料导报》2014年第8期49-52,共4页郭凌雁 焦晨旭 冯鹏青 戴虹 
山西省科技攻关基金(20120321016-01);煤转化国家重点实验室基金(J13-14-909)
制备了碳化硅修饰碳糊电极,利用循环伏安法,采用三电极体系测定汞离子的电化学行为.结果表明,以100 mV/s的扫描速度测定pH值为2.33的BR缓冲溶液中的Hg2＋时,在0.575 V左右出现一个特征吸收峰,峰电压与Hg^2＋浓度在1.0×10^-7～1.0×10^-...
关键词：碳糊电极 碳化硅 汞(Ⅱ) 循环伏安法 
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