张乐

作品数：4被引量：11H指数：3
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供职机构：河北工业大学电子信息工程学院更多>>
发文主题：CMP化学机械抛光H2O2阻挡层RU更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《半导体技术》《微纳电子技术》更多>>
所获基金：河北省自然科学基金河北省教育厅科研基金国家中长期科技发展规划重大专项国家科技重大专项更多>>
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NaClO和FA/OⅠ螯合剂对Ru和Cu的CMP影响被引量：1
《微纳电子技术》2017年第3期202-207,212,共7页郑环 周建伟 王辰伟 张乐 王仲杰 杜义琛 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007);国家科技重大专项子课题河北省青年自然科学基金资助项目(F2015202267);河北省教育厅基金资助项目(QN2014208);河北省自然科学基金资助项目(E2013202247);河北工业大学优秀青年科技创新基金资助项目(2015007)
钌作为下一代14 nm超大规模集成电路阻挡层新材料,有着重要的研究意义,然而对阻挡层进行化学机械抛光时,由于Ru和Cu的化学性质与硬度均不相同,Ru和Cu很难达到适合的速率选择比。研究了在以NaClO为氧化剂时,磨料质量分数、pH值、NaClO溶...
关键词：集成电路 新型阻挡层 RU 化学机械抛光(CMP) 次氯酸钠(NaClO) pH值 
不同pH值下过氧化氢对Ru的CMP的影响被引量：4
《微纳电子技术》2017年第1期65-70,共6页郑环 周建伟 刘玉岭 王辰伟 张乐 王仲杰 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007);国家科技重大专项子课题河北省青年自然科学基金资助项目(F2015202267);河北省教育厅基金资助项目(QN2014208);河北省自然科学基金资助项目(E2013202247);河北工业大学优秀青年科技创新基金资助项目(2015007)
研究了以H_2O_2为氧化剂,不同的pH值(2,4,6,8,10)对Ru的去除速率(vRu)和静态腐蚀速率(vSER)的影响,同时用电化学的方法研究了H_2O_2和pH值对Ru表面的动态极化曲线的影响,利用原子力显微镜对每次抛光前后的微观形貌进行了观察。实验结果...
关键词：集成电路(IC) 阻挡层 RU 化学机械抛光(CMP) 过氧化氢(H2O2) pH值 
H_2O_2基电解液的pH值对铜钌电偶腐蚀的影响被引量：3
《微纳电子技术》2016年第12期828-832,837,共6页张乐 周建伟 刘玉岭 王辰伟 郑环 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308);河北省青年自然科学基金资助项目(F2015202267);河北省教育厅基金资助项目(QN2014208);河北省自然科学基金资助项目(E2013202247);河北工业大学优秀青年科技创新基金资助项目(2015007)
研究了电解液pH值对Cu和Ru电偶腐蚀的影响,并对其控制机理进行深入的研究。选取H_2O_2作为Cu和Ru电化学电解液中的氧化剂和腐蚀剂,选用HCl和KOH溶液作为pH调节剂,采用动电位扫描这种电化学技术,表征金属铜钌表面的电化学反应。实验结果...
关键词：钌 铜 电化学 电偶腐蚀 PH 
H_2O_2基的碱性阻挡层抛光液对Co CMP的影响被引量：6
《半导体技术》2016年第1期42-45,75,共5页潘辉 王胜利 张乐 王辰伟 高娇娇 
河北省自然科学基金资助项目(E2014202147);河北省青年自然科学基金资助项目(F2015202267)
由于钴(Co)具有优良的化学物理特性成为下一代极大规模集成电路阻挡层材料之一。Co在碱性抛光液中易被氧化进而钝化其表面,导致Co的去除速率降低甚至低于Cu的去除速率。针对上述问题,研究了螯合剂和H2O2对Co去除速率的影响以及不同体积...
关键词：螯合剂 H2O2 阻挡层 化学机械抛光(CMP) 去除速率 
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