郑环

作品数：4被引量：14H指数：3
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供职机构：河北工业大学更多>>
发文主题：CMP化学机械抛光阻挡层RU非离子更多>>
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NaClO和FA/OⅠ螯合剂对Ru和Cu的CMP影响被引量：1
《微纳电子技术》2017年第3期202-207,212,共7页郑环 周建伟 王辰伟 张乐 王仲杰 杜义琛 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007);国家科技重大专项子课题河北省青年自然科学基金资助项目(F2015202267);河北省教育厅基金资助项目(QN2014208);河北省自然科学基金资助项目(E2013202247);河北工业大学优秀青年科技创新基金资助项目(2015007)
钌作为下一代14 nm超大规模集成电路阻挡层新材料,有着重要的研究意义,然而对阻挡层进行化学机械抛光时,由于Ru和Cu的化学性质与硬度均不相同,Ru和Cu很难达到适合的速率选择比。研究了在以NaClO为氧化剂时,磨料质量分数、pH值、NaClO溶...
关键词：集成电路 新型阻挡层 RU 化学机械抛光(CMP) 次氯酸钠(NaClO) pH值 
超精度石英玻璃的化学机械抛光被引量：9
《微纳电子技术》2017年第1期48-52,共5页王仲杰 王胜利 王辰伟 张文倩 郑环 
河北省自然科学基金资助项目(E2014202147);河北省自然科学基金青年基金资助项目(F2015202267);河北工业大学优秀青年科技创新基金资助项目(2015007);河北省研究生创新资助项目(220056);天津市自然科学基金资助项目(16JCYBJC16100)
在工作压力为2 psi(1 psi=6 894.76 Pa)、抛光头转速为55 r/min、抛盘转速为60 r/min、流量为50 mL/min的条件下,对3英寸(1英寸=2.54 cm)的石英玻璃(99.99%)进行化学机械抛光(CMP)实验。分别研究了磨料质量分数(4%,8%,12%,16%,20%)、FA/...
关键词：集成电路 石英玻璃 表面粗糙度 化学机械抛光(CMP) 去除速率 
不同pH值下过氧化氢对Ru的CMP的影响被引量：4
《微纳电子技术》2017年第1期65-70,共6页郑环 周建伟 刘玉岭 王辰伟 张乐 王仲杰 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007);国家科技重大专项子课题河北省青年自然科学基金资助项目(F2015202267);河北省教育厅基金资助项目(QN2014208);河北省自然科学基金资助项目(E2013202247);河北工业大学优秀青年科技创新基金资助项目(2015007)
研究了以H_2O_2为氧化剂,不同的pH值(2,4,6,8,10)对Ru的去除速率(vRu)和静态腐蚀速率(vSER)的影响,同时用电化学的方法研究了H_2O_2和pH值对Ru表面的动态极化曲线的影响,利用原子力显微镜对每次抛光前后的微观形貌进行了观察。实验结果...
关键词：集成电路(IC) 阻挡层 RU 化学机械抛光(CMP) 过氧化氢(H2O2) pH值 
H_2O_2基电解液的pH值对铜钌电偶腐蚀的影响被引量：3
《微纳电子技术》2016年第12期828-832,837,共6页张乐 周建伟 刘玉岭 王辰伟 郑环 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308);河北省青年自然科学基金资助项目(F2015202267);河北省教育厅基金资助项目(QN2014208);河北省自然科学基金资助项目(E2013202247);河北工业大学优秀青年科技创新基金资助项目(2015007)
研究了电解液pH值对Cu和Ru电偶腐蚀的影响,并对其控制机理进行深入的研究。选取H_2O_2作为Cu和Ru电化学电解液中的氧化剂和腐蚀剂,选用HCl和KOH溶液作为pH调节剂,采用动电位扫描这种电化学技术,表征金属铜钌表面的电化学反应。实验结果...
关键词：钌 铜 电化学 电偶腐蚀 PH 
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