吴志强

作品数：4被引量：1H指数：1
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供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
发文主题：A-SI:H非晶硅AUAL金属诱导晶化更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《光谱学与光谱分析》《Journal of Semiconductors》《中国科学技术大学学报》更多>>
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非晶硅PIN太阳能电池在强光照射下的光电转换现象
《中国科学技术大学学报》1991年第4期454-458,共5页马玉蓉 周强 吴志强 
用两种不同波长、不同功率的单色光作为激发光源,研究非晶硅PIN太阳能电池的光电特性,测试并计算了有关数据,发现在高功率强光照射下,PIN太阳电池光电转换呈现一种异常的现象,对此作了理论解释。
关键词：非晶硅 太阳能电池 光电转换 PIN 
Pd/a-Si:H界面反应研究
《Journal of Semiconductors》1990年第8期578-582,共5页沈波 赵特秀 刘洪图 吴志强 金澍 许振嘉 
中国科技大学结构分析开放实验室科研基金
本文使用IERS(干涉增强喇曼散射),TEM和SIMS等方法研究了Pd/a-Si:H界面反应的热退火行为,发现Pd/a-Si:H界面在室温下形成非晶互混层;经160℃退火,形成晶态Pd_2Si相,比Pd/c-Si界面反应温度低;经500℃退火,未与Pd反应的非晶硅出现晶化现...
关键词：硅化物 界面反应 喇曼散射 TEM法 
Au、Al/a-Si:H热退火行为研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1989年第3期186-191,共6页金澍 刘洪图 赵特秀 吴志强 沈波 许振嘉 
中国科学技术大学结构分析中心赞助
本文借助改进的干涉增强喇曼散射技术、AES分析和高温金相显微镜在位观察研究了Au、Al/a-Si∶H系统的真空热退火行为.发现受金属复盖的a-Si∶H的晶化温度和其激活能均比未复盖的a-Si∶H要低得多;a-Si∶H上的Al-Si互溶温度也比C-Si上的低...
关键词：非晶硅 金属诱导晶化 热退火 
用喇曼光谱方法研究注钕硅单晶中损伤层的温度特性
《光谱学与光谱分析》1989年第1期23-26,共4页黄春晖 刘洪图 金怀诚 吴志强 许存义 
本文报道了用喇曼光谱方法研究了注钕硅单晶中损伤层的温度特性。用硅520cm^(-1)特征峰的相对强度,来唯象地描述注入损伤层的无序度、折射率,消光系数等数参随退火温度的变化关系。发现550—600℃是消除损伤的最佳退火温区,并与方块电...
关键词：硅单晶 喇曼光谱法 损伤层 钕 
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