黄勇

作品数：3被引量：1H指数：1
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供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院更多>>
发文主题：高K栅介质表面钝化MOSNH界面层更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《微电子学》《物理学报》更多>>
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NH_3等离子体处理钝化层致Ge MOS界面特性的改善被引量：1
《微电子学》2017年第3期429-432,共4页罗权 徐静平 刘璐 程智翔 黄勇 刘晓宇 
国家自然科学基金资助项目(61274112)
制备了以TaYON作为钝化层,以HfTiON作为高k栅介质的Ge MOS电容。研究了NH_3和N_2等离子体处理TaYON对界面特性的影响。结果表明,N_2和NH_3等离子体处理可以有效改善器件的界面及电性能,其中,NH_3等离子体处理的效果更好,可获得更高的k值...
关键词：高K栅介质 等离子体处理 表面钝化 界面层 
高k栅介质小尺寸全耗尽绝缘体上锗p型金属氧化物半导体场效应晶体管漏源电流模型
《物理学报》2014年第23期297-305,共9页白玉蓉 徐静平 刘璐 范敏敏 黄勇 程智翔 
国家自然科学基金(批准号:61274112)资助的课题~~
通过求解沟道的二维泊松方程得到沟道表面势和沟道反型层电荷,建立了高k栅介质小尺寸绝缘体上锗(Ge OI)p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)的漏源电流解析模型.模型包括了速度饱和效应、迁移率调制效应和沟长调制效应,同时考虑...
关键词：绝缘体上锗p型金属氧化物半导体场效应晶体管 漏源电流模型 跨导 截止频率 
高k栅介质GeOI金属氧化物半导体场效应管阈值电压和亚阈斜率模型及其器件结构设计
《物理学报》2014年第8期385-393,共9页范敏敏 徐静平 刘璐 白玉蓉 黄勇 
国家自然科学基金(批准号:61274112)资助的课题~~
通过求解沟道与埋氧层的二维泊松方程,同时考虑垂直沟道与埋氧层方向的二阶效应,建立了高κ栅介质GeOI金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的阈值电压和亚阈斜率解析模型,研究了器件主要结构参数对器件阈值特性、亚阈特性、短沟道效应、...
关键词：GEOI MOSFET 阈值电压 亚阈斜率 短沟道效应 
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