杨维清

作品数：16被引量：14H指数：2
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发文领域：理学化学工程一般工业技术电子电信更多>>
发文期刊：《功能材料》《四川师范大学学报（自然科学版）》《无机盐工业》《半导体光电》更多>>
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掺Gd^(3+)钼酸盐AMoO_4(A=Ca,Sr,Ba,Pb)自旋哈密顿参量的理论计算
《物理学报》2013年第4期406-410,共5页杨维清 张胤 高敏 林媛 赵小云 
国家自然科学基金(批准号:11028409;51202023);中国博士后科学基金(批准号:2012M511917);成都信息工程学院科研基金(批准号:2012M511917)资助的课题~~
采用基于单电子晶体场机制的对角化能量矩阵方法,计算了Gd3+在钼酸盐AMoO4(A=Ca,Sr,Ba,Pb)晶体中的自旋哈密顿参量(g因子g//,g⊥和零场分裂b20,b40,b44,b60,b64).矩阵中的晶体场参量采用重叠模型计算.计算结果显示,应用三个合理的可调参...
关键词：AMoO4 (A=Ca Sr Ba Pb) Gd3+晶体 自旋哈密顿参量 晶体场理论 对角化能量矩阵 
电子束蒸发法制备MoO_3薄膜及其性质研究
《电子科技大学学报》2011年第6期933-936,共4页魏昭荣 杨定宇 朱兴华 杨维清 
国家自然科学基金(50902012)
采用电子束蒸发法在玻璃衬底上制备MoO3薄膜。X射线衍射谱表明制备样品属于正交晶系,沿<010>晶向择优取向生长。随着衬底温度的升高,样品的晶粒尺寸先增大后减小,退火后又增大。此外,样品的(040)衍射峰随衬底温度升高单调向低衍射角方...
关键词：晶体结构 电子束蒸发 MoO3薄膜 表面形貌 紫外-可见透过谱 
近空间升华法制备PbI_2厚膜及其性质研究
《功能材料》2011年第9期1555-1558,共4页朱兴华 杨定宇 孙辉 魏昭荣 李乐中 杨维清 祖小涛 
国家自然科学基金资助项目(50902012);四川省教育厅重点资助项目(10ZA131);四川省应用基础研究资助项目(2009JY0087)
采用近空间升华法在玻璃衬底上制备PbI2厚膜,研究了工艺参数对样品晶体结构、形貌和光致发光性质的影响。实验显示,沉积速率随着源温度的升高和沉积气压的下降而急剧增大。XRD谱表明PbI2膜为沿[001]晶向择优取向的六方多晶体,晶粒尺寸...
关键词：近空间升华法 PbI2厚膜 沉积速率 压应力 六方中心 发光峰 
Al_2O_3吸附[Cu(H_2O)_6]^(2+)基团的自旋哈密顿参量和四角畸变
《波谱学杂志》2010年第2期254-258,共5页杨维清 向安平 蔡青 周绍元 赵小云 盛佳男 
采用微扰方法和对角化完全能量矩阵法计算了Al2O3粉末吸附的四角对称[Cu(H2O)6]2+基团的自旋哈密顿参量(g因子g∥,g⊥和超精细结构常数A∥和A⊥).计算结果表明用这两种理论方法计算的自旋哈密顿参量很接近,并且都与实验结果比较一致.表...
关键词：电子顺磁共振(EPR) 光谱 晶体场理论 [Cu(H2O)6]2+基团 
电子束蒸发制备PbI_2薄膜的光电性质研究
《真空科学与技术学报》2010年第5期567-570,共4页朱兴华 杨定宇 魏昭荣 李乐中 杨维清 杨军 
国家自然科学基金(50902012);四川省应用基础研究项目(2009JY008)
采用电子束蒸发法制备了PbI2多晶薄膜，研究制备条件对薄膜光电性质的影响。结果表明，不同条件下制备的样品呈现不同的择优取向生长特征，但均属于六方相多晶结构。随着衬底温度的升高，PbI2薄膜的紫外．可见透过谱透过性能提高，光学...
关键词：PhI2薄膜 紫外-可见透过谱 光学带隙 光致发光谱 光电导 
PbI_2多晶膜的制备及其晶体结构
《人工晶体学报》2010年第3期719-723,共5页朱兴华 杨定宇 魏昭荣 杨维清 孙辉 李乐中 高秀英 
国家自然科学基金(50902012);四川省应用基础研究项目(2009JY008)
采用电子束蒸发法制备PbI2多晶膜,研究了制备条件对沉积速率和晶体结构的影响。结果表明,源-衬间距和衬底温度对沉积速率的影响不具单调性,沉积速率随源-衬间距增大、衬底温度升高呈波动起伏。不同条件下制备的PbI2膜均属六方结构,但结...
关键词：PbI2多晶膜 沉积速率 源-衬间距 衬底温度 
高压下GaAs的电子结构的从头计算
《四川大学学报（自然科学版）》2009年第5期1361-1364,共4页杨维清 朱兴华 魏昭荣 杨定宇 高秀英 
成都信息工程学院科研基金(200809)
应用密度泛函理论从头计算了不同压强下半导体GaAs闪锌矿结构的电子结构,得到了各个高压下平衡时晶格常数、总能量、键长和能带结构等性质,并且获得了直接带隙结构向间接带隙结构转化的临界压强为8.65 GPa,与实验值符合得很好,结合实验...
关键词：闪锌矿结构 密度泛函理论 能带结构 
电子束蒸发制备PbI_2薄膜及其性能表征
《半导体光电》2009年第5期700-702,707,共4页朱兴华 杨定宇 魏昭荣 杨维清 朱世富 赵北君 
采用电子束蒸发工艺在普通玻璃衬底上制备了PbI2多晶薄膜,研究了不同衬底温度对薄膜结构、表面形貌及紫外-可见光谱的影响。XRD结构表征显示,不同衬底温度下沉积的PbI2薄膜均属六方结构,低温下呈现(002)方向的c轴择优生长,但随着衬底温...
关键词：PbI2薄膜 电子束蒸发 XRD分析 SEM形貌 UV光谱测试 
利用多晶硅副产物制备氯化钡的研究被引量：4
《无机盐工业》2009年第8期55-57,共3页魏昭荣 朱兴华 杨维清 杨定宇 刘汝林 刘俊 
随着中国多晶硅产业的发展,多晶硅副产物的环境污染问题日益突出,将多晶硅副产物无害化和资源化迫在眉捷。研究了利用多晶硅副产物制备氯化钡的影响因素,得到优化工艺条件。实验结果表明:利用多晶硅副产物制备氯化钡是可行的;该方法有...
关键词：多晶硅副产物 四氯化硅 氯化钡 水解 
利用多晶硅生产废物制备偏硅酸钠被引量：2
《化工环保》2009年第4期364-367,共4页魏昭荣 朱兴华 杨维清 杨定宇 蔡青 刘俊 
利用多晶硅生产废物制备偏硅酸钠。将多晶硅生产废物水解生成偏硅酸沉淀,水解温度应控制在40℃以下,水与多晶硅生产废物质量比10～12为宜,溶液pH应控制在2.0～2.5。向偏硅酸中加入质量分数为45%的NaOH溶液制备偏硅酸钠,pH控制在12.5,降...
关键词：多晶硅 固体废物 偏硅酸钠 水解 综合利用 
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