吴东旭

作品数：3被引量：2H指数：1
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供职机构：上海理工大学机械工程学院更多>>
发文主题：GAN纳米线氮化镓GAN镓黄色物质更多>>
发文领域：电子电信理学化学工程更多>>
发文期刊：《电子元件与材料》《人工晶体学报》《电子科技》更多>>
所获基金：国家自然科学基金长江学者和创新团队发展计划更多>>
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GaN纳米线的制备及光催化性能研究被引量：1
《电子科技》2016年第8期140-144,共5页李佳 姜涛 程宏斌 郑学军 王现英 吴东旭 
国家自然科学基金资助项目(51272158);教育部"长江学者和创新团队发展计划"基金资助项目(IRT_14R48)
采用化学气相沉积法(CVD)制备了大量的Ga N纳米线,使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、X射线能谱(EDS)和光致发光光谱仪(PL)对制备的样品形貌、结构、成分和发光性能进行了表征,并对其进行降解罗丹明B水溶液的光催化性能测试...
关键词：GAN 纳米线 罗丹明B 紫外光 光催化 
不同生长方向的GaN纳米线的可控制备与性能表征被引量：1
《人工晶体学报》2015年第2期389-393,共5页吴东旭 郑学军 程宏斌 李佳 罗晓菊 
国家自然科学基金(51272158);长江学者和创新团队发展计划(IRT-14R48)
采用化学气相沉积法,通过改变催化剂和衬底,以Ga2O3和Ga N的混合粉末为镓源制备出了不同生长方向的Ga N纳米线,制备的平躺于衬底的Ga N纳米线的直径约为60 nm,长度为10μm到30μm之间。垂直于衬底的Ga N纳米线阵列的直径约为300 nm,长...
关键词：GAN纳米线 化学气相沉积 催化剂 衬底 
Ga_2O_3和GaN混合镓源制备GaN纳米线
《电子元件与材料》2014年第10期76-80,共5页李佳 吴东旭 罗晓菊 程宏斌 郑学军 
国家自然科学基金资助项目(No.51272158)
采用Ga2O3/GaN、Ga2O3和GaN三种镓源,通过化学气相沉积(CVD)法,在镀有Ni催化剂的Si(100)基片上制备了GaN纳米线,使用SEM、XRD、EDS、HRTEM和PL对样品的形貌、结构、成分和发光性能进行了表征,研究了镓源与基片距离(生长温度)及催化剂种...
关键词：镓源 化学气相沉积法 氮化镓 纳米线 催化剂 发光性能 
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