杨扬

作品数：4被引量：12H指数：1
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供职机构：西安电子科技大学技术物理学院更多>>
发文主题：MOCVD非极性退火温度单脉冲测角多波束形成更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《西安电子科技大学学报》《电子科技》更多>>
所获基金：中央高校基本科研业务费专项资金长江学者和创新团队发展计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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相控阵子阵级和差多波束测角方法被引量：10
《西安电子科技大学学报》2013年第1期19-25,43,共8页曾操 陈昊 何学辉 杨扬 
国家重点基础研究发展规划(973计划)资助项目(2011CB707001);长江学者和创新团队发展计划资助项目(IRT0954);国家自然科学基金资助项目(61101243);重点实验室基金资助项目;中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(K50510020028)
针对大型相控阵多目标单脉冲测角问题,提出了一种利用和差多波束在子阵级实现多目标测向的方法.首先,通过合并阵元输出降低系统复杂度;其次,通过多套子阵级仅相位导向矢量和对称取反方式实现和差多波束;最后,只需获得方位及俯仰维法线斜...
关键词：单脉冲测角 和差 多波束形成 子阵级处理 
MOCVD脉冲生长对InGaN太阳能电池材料的影响被引量：1
《电子科技》2013年第1期10-11,共2页贾文博 李培咸 周小伟 杨扬 
通过对InGaN三元合金的生长方式做对比,发现在相同条件下,因常规生长过程中反应室In的浓度更高,生长出的InGaN中In组分更高。但是由于预反应的原因晶体质量较差,而脉冲生长由于源的分时输运,大幅减小了预反应的发生,提高了晶体质量。但...
关键词：INGAN 脉冲生长 太阳能电池 MOCVD 
Mg注入非极性a面GaN退火温度的研究被引量：1
《电子科技》2013年第1期12-15,共4页杨扬 李培咸 周小伟 贾文博 赵晓云 
非极性GaN材料解决了传统GaN材料中的极化现象,具有较好的应用前景。用金属有机物化学气相沉积方法,在r面蓝宝石上生长了Mg注入非极性a面GaN薄膜,并选取650℃、750℃、850℃这3个温度对Mg注入GaN薄膜进行退火温度研究。用原子力显微镜...
关键词：非极性 氮化镓 原子力显微镜 光致发光谱 拉曼谱 
DBF系统的数字正交相干检波设计
《电子科技》2011年第1期55-58,共4页杨玲 杨扬 刘桂瑜 
985国防预研横向资助项目
结合某具体工程实例讨论了带通信号采样定理,在此基础上研究了数字正交相干检波技术的优化设计。计算机仿真和性能分析表明,该设计对其他工程具有一定的参考价值。
关键词：带通信号采用 数字正交相干检波 FIR滤波器 
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