陈丽

作品数：4被引量：8H指数：1
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供职机构：重庆邮电大学光电工程学院更多>>
发文主题：CMOS工艺响应度保护环雪崩光电二极管CMOS更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《光子学报》《半导体光电》《激光与红外》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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一种基于0.18μm CMOS工艺的高响应度APD被引量：1
《激光与红外》2017年第1期62-66,共5页王巍 陈丽 鲍孝圆 陈婷 徐媛媛 王冠宇 唐政维 
设计了一种基于0.18μm CMOS工艺的高响应度雪崩光电二极管(APD)。该APD采用标准0.18μm CMOS工艺,设计了两个P+/N阱型pn节,形成两个雪崩区以产生雪崩倍增电流。雪崩区两侧使用STI(浅沟道隔离)结构形成保护环,有效地抑制了APD的边缘击穿...
关键词：CMOS-APD 雪崩增益 响应度 带宽 
高探测效率CMOS单光子雪崩二极管器件被引量：6
《光子学报》2016年第8期150-155,共6页王巍 鲍孝圆 陈丽 徐媛媛 陈婷 王冠宇 
国家自然科学基金(No.61404019)资助~~
基于标准0.35μm CMOS工艺设计了一种单光子雪崩二极管器件.采用p＋n阱型二极管结构,同时引进保护环与深n阱结构以提高单光子雪崩二极管性能;研究了扩散n阱保护环宽度对雪崩击穿特性的影响;对器件的电场分布、击穿特性、光子探测效率、...
关键词：单光子雪崩二极管 标准0.35μm CMOS工艺 保护环 深n阱 响应度 3DB带宽 光子探测效率 
Ge/Si波导集成型APD器件的仿真分析被引量：1
《半导体光电》2016年第1期23-26,35,共5页王振 王婷 王巍 杜超雨 陈丽 鲍孝圆 王冠宇 王明耀 
国家自然科学基金项目(61404019)
设计了一种Ge/Si波导集成型雪崩光电二极管（APD）。器件采用将Si波导层置于Ge吸收层之下的结构,光经波导层进入吸收层只需一次耦合,降低了光的损耗,提高了光的吸收率和光电流。采用silvaco软件对器件的结构和性能进行仿真,结果表明：...
关键词：GE/SI 雪崩光电二极管 波导集成型 光吸收率 器件仿真 
基于0.35μm CMOS工艺的APD器件仿真分析
《半导体光电》2015年第6期888-891,908,共5页王巍 杜超雨 王婷 鲍孝圆 陈丽 王冠宇 王振 黄义 
提出了一种基于0.35μm CMOS工艺的、具有p^+/n阱二极管结构的雪崩光电二极管(APD),器件引入了p阱保护环结构。采用silvaco软件对CMOS-APD器件的关键性能指标进行了仿真分析。仿真结果表明:p阱保护环的应用,明显降低了击穿电压下pn结边...
关键词：0.35μm CMOS工艺 雪崩光电二极管 器件仿真 边缘击穿 保护环 
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