刘艳红

作品数：4被引量：2H指数：1
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供职机构：华中理工大学物理系更多>>
发文主题：磁镜场SNO射频等离子体二氧化锡辉光放电更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《物理学报》《传感技术学报》《功能材料》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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弱磁场对SnO_2薄膜性能的影响
《功能材料》2001年第4期362-364,共3页刘洪祥 魏合林 刘艳红 刘祖黎 
国家自然科学基金资助项目 (1 97750 1 6)
利用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)技术制备了SnO2 薄膜。实验中通过改变磁镜场的磁镜比和磁场大小 ,研究了弱磁场对SnO2 薄膜方块电阻及电阻分布的影响。实验结果表明 ,随着磁镜比和磁场强度的增加 ,SnO2 薄膜的方块电阻在降低 ,...
关键词：PECVD 薄膜 磁镜场 电阻 二氧化锡 
磁镜场对射频等离子体中离子能量分布的影响被引量：1
《物理学报》2000年第9期1764-1768,共5页刘洪祥 魏合林 刘祖黎 刘艳红 王均震 
国家自然科学基金!(批准号 :19775 0 16)&&
运用阻碍栅极型能量分析器 ,在不同磁镜场参数下测量了低温等离子体中离子的能量分布 .结果表明 ,在放电管中心处离子能量分布 ,随磁镜场强度的增加而向低能方向偏移 ,但离子能量分布宽度却没有明显的变化 ;而随着磁镜比的增加离子能量...
关键词：磁镜场 辉光放电 离子能量分布 射频等离子体 
MPCVD 法工艺特性对 SnO_2 薄膜导电性的影响
《华中理工大学学报》1998年第A02期13-15,共3页刘艳红 刘祖黎 姚凯伦 
国家自然科学基金
研究了磁等离子体化学气相沉积的不同工艺条件对ＳｎＯ２薄膜导电性的影响．实验结果表明，外加适当位形、大小的纵向磁镜场，可使等离子体化学气相沉积技术中制备ＳｎＯ２薄膜所需的氧气流量降低，沉积时间缩短，且制得的薄膜电阻大大...
关键词：MPCVD 磁镜场 薄膜 二氧化锡薄膜 导电性 
磁镜场对PCVD制备SnO_2导电薄膜的影响被引量：1
《传感技术学报》1997年第4期15-19,共5页刘艳红 刘祖黎 
本文利用自制的磁常 研究了不同磁镜场对等离子体化学气相沉积(PCVD)技术制备的SnO^2导电薄膜电学性能的影响。实验表明:外加磁镜比为4.3的磁场可使薄膜电阻大大降低且分布均匀性增强;还可使反应中基片温度降低和电源输出电流减小。并...
关键词：导电薄膜 增镜场 PCVCD 二氧化锡 
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