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检索条件:"关键词=氧化钨薄膜 "
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脉冲电沉积法制备掺钴WO_3薄膜被引量:6
《光电子技术》1999年第4期239-242,共4页贾小东 杜金会 于振瑞 李长安 
国家自然科学基金
利用脉冲电沉积法制备了掺钴氧化钨电致变色薄膜,并探讨了该方法的机理。利用后续退火处理使之结晶。测定了掺钴和不掺钴WO_3薄膜的结构特性、电化学特性及透射光谱,并研究了金属钻的掺杂对这些特性的影响。
关键词:脉冲电沉积 氧化钨薄膜 掺钴 后续退火 
聚乙二醇对氧化钨薄膜结构和电致变色性能的影响被引量:2
《光学学报》2012年第12期286-291,共6页孙喜莲 方燕群 
浙江省自然科学基金(Y12E020040)资助课题
为改善氧化钨薄膜的电致变色性能,通过溶胶-凝胶法粉过氧化路线制备了聚乙二醇改性的氧化钨电致变色薄膜。采用X射线衍射仪、光谱椭偏仪、紫外-可见分光光度计和电化学工作站对薄膜的微观结构、光谱调制能力、着色效率、离子扩散能力...
关键词:薄膜 电致变色 氧化钨薄膜 聚乙二醇改性 微结构 
介孔硅基氧化钨薄膜气敏传感器的性能研究
《才智》2009年第25期69-70,共2页吕川 
在表面结构最优的基底上制备的介孔硅基底WO3基薄膜气敏微传感器,并对其进行表面结构,电学性能和气敏性能分析。在室温下介孔硅基氧化钨薄膜气敏元件对体积分数为20×10-6的NH3的灵敏度可达到18.2,50oC灵敏度为1.35。
关键词:介孔硅 氧化钨薄膜 气敏传感器 灵敏度 
电致变色器件中WO3薄膜厚度的选择
《建筑玻璃与工业玻璃》2021年第1期12-14,21,共4页孟政 代强 余刚 刘静 汪洪 
WO3(三氧化钨)薄膜厚度的选择对电致变色器件性能有至关重要的作用。通过TFCalc软件理论计算WO3薄膜褪色态、着色态透过光谱及其光学调制幅度变化;通过在FTO(氧化锡掺氟)玻璃上制备氧化钨薄膜,研究分析不同厚度氧化钨晶体结构与光学调...
关键词:WO3薄膜 电致变色器件 氧化钨薄膜 氧化钨 光学理论 晶体结构 薄膜厚度 氧化 
R.F.磁控溅射生成的氧化钨薄膜的性能被引量:2
《功能材料》2004年第z1期1447-1449,共3页李竹影 宋玉苏 刘祖黎 姚凯伦 
由于薄膜沉积过程中缺乏氧气,溅射得到的是化学配比偏离WO3的氧化钨薄膜,本文详细研究了不同电压下,R.F磁控溅射生成的不同化学配比的氧化钨薄膜的伏安循环特性;发现它们在一定电压范围内(1.15V到2.8V)都可产生着色现象.着色后对光的吸...
关键词:氧化钨薄膜 电致变色 r.f.磁控溅射 
氧化铝纳米管制成的特级灵敏传感器
《现代材料动态》2009年第10期7-7,共1页杨英惠(摘译) 
美国国家标准与工艺研究所(NIST)开发出了一种纳米管气体探测器,这种探测器是在纳米多孔氧化铝衬底上沉积氧化钛制成的。氧化铝薄板上穿了数百万个纳米尺寸孔洞,利用这种衬底生成了纳米管。研究人员将薄板浸入含有离子的溶液,而...
关键词:纳米多孔氧化 纳米管 传感器 气体探测器 灵敏 管制 美国国家标准 氧化钨薄膜 
掠射角溅射沉积纳米结构氧化钨薄膜被引量:10
《无机材料学报》2018年第12期1303-1308,共6页王美涵 温佳星 陈昀 雷浩 
国家自然科学基金(51302175);辽宁省高等学校优秀人才支持计划(LJQ2014132)~~
采用掠射角反应磁控溅射法在室温下沉积了纳米结构氧化钨(WO3)薄膜,并对薄膜进行热处理。利用场发射扫描电镜(FE-SEM)和X射线衍射仪(XRD)对氧化钨薄膜的形貌和结构进行了表征。当掠射角度为80?时,采用直流电源沉积的氧化钨薄膜具有纳米...
关键词:氧化钨薄膜 纳米结构 掠射角 磁控溅射 
电子材料
《新材料产业》2006年第5期75-78,共4页
关键词:电子材料 半导体照明产业化 科技攻关计划 重大项目 技术开发 新材料领域 863计划 MOCVD 氧化钨薄膜 固态光源 
退火温度对溶胶-凝胶法氧化钨薄膜电致变色性能的影响
《材料研究与应用》2024年第5期803-808,共6页廖晴东 
电致变色是指在外加电场的作用下电解质中离子嵌入材料中,使得材料本身光学特性发生变化的现象。电致变色材料被用于建筑隔热、装饰、信息显示等场景。氧化钨(WO_(3))作为一种被广泛研究的无机电致变色材料,虽其储量丰富,但受制于苛刻...
关键词:氧化钨薄膜 电致变色 溶胶凝胶 AlCl_(3) 非晶薄膜 旋涂 退火温度 光学对比度 
电子束蒸发氧化钨薄膜电致变色性能的研究被引量:10
《太阳能学报》1995年第2期150-154,共5页陈国平 黄惠芬 陈公乃 李建军 傅小妃 刘云峰 
报道了电子束蒸发制备的氧化钨薄膜的电致变色特性和开关寿命,给出了电极电压和电解液浓度对氧化钨薄膜电致变色性能的影响。
关键词:电致变色 氧化钨薄膜 电子束蒸发 
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