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分子束外延硅基碲镉汞材料技术研究现状被引量：2: 《红外》2019年第8期15-18,共4页高达王经纬王丛李震吴亮亮刘铭; 目前,高性能大面阵中波及短波红外探测器已经得到了越来越多的应用。材料参数控制精确、材料质量良好的碲镉汞材料是获得高质量碲镉汞探测器的先决条件。报道了华北光电技术研究所在分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)生长硅基中...; 关键词：硅基碲镉汞分子束外延材料性能

基于高低温循环退火方法的硅基碲镉汞位错抑制研究: 《红外》2025年第1期28-34,共7页姜梦佳折伟林王丹李震周睿管崇尚邢伟荣牛佳佳; 高低温循环退火是降低碲镉汞(HgCdTe)材料位错密度的有效策略之一,被广泛用于提升HgCdTe质量。使用离位的高低温循环退火工艺对硅基HgCdTe材料进行热处理,并通过设计正交试验研究退火条件对HgCdTe材料的影响。在温度区间250~450℃、升...; 关键词：硅基碲镉汞高低温循环退火位错密度半峰宽

Si基短波碲镉汞材料分子束外延生长研究被引量：6: 《激光与红外》2015年第6期646-649,共4页王经纬高达; 报道了在中波工艺基础上,Si基碲镉汞分子束外延短波工艺的最新研究进展,通过温度标定、使用反射式高能电子衍射、高温计的在线测量和现有的中波Si基碲镉汞温度控制曲线建立及优化了Si基碲镉汞短波材料的生长温度控制曲线;获得的Si基短波...; 关键词：硅基碲镉汞分子束外延短波碲镉汞外延短/中波双色碲镉汞

Si基碲镉汞分子束外延工艺优化研究被引量：9: 《激光与红外》2012年第10期1161-1164,共4页王经纬巩锋刘铭强宇常米周立庆; 报道了Si基碲镉汞(MCT)分子束外延(MBE)的最新研究进展,通过使用反射式高能电子衍射(RHEED)、高温计的在线测量建立和优化了3 in Si基碲镉汞生长温度曲线;通过二次缓冲层的生长进一步降低了界面能,获得的Si基HgCdTe材料在8μm的厚度下...; 关键词：硅基碲镉汞分子束外延工艺优化 RHEED CdTe二次缓冲层

3英寸Si基碲镉汞分子束外延工艺研究被引量：8: 《激光与红外》2012年第7期781-785,共5页巩锋周立庆王经纬刘铭常米强宇; 随着红外焦平面阵列规模的扩大,由于尺寸和成本的限制,传统晶格匹配的碲锌镉衬底逐渐成为碲镉汞红外焦平面探测器发展的瓶颈,大尺寸、低成本硅基碲镉汞材料应运而生。本文采用分子束外延工艺生长获得了3 in Si基中波碲镉汞薄膜材料,通...; 关键词：硅基碲镉汞分子束外延 640×512器件表征

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