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检索条件:"关键词=绿光LED "
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基于控制器CS51411的汽车用降压型大功率LED驱动电路
《电子世界》2008年第9期7-7,共1页毛兴武 
安森美公司生产的单片转换器CS51411适用于降压型拓扑,可提供350mA到1A的恒定电流,驱动正向电压为3.6V(±35%)的单颗白光/蓝光/绿光LED
关键词:驱动电路 大功率LED 降压型 汽车用 控制器 安森美公司 绿光LED 恒定电流 
欧司朗绿光LED亮度大幅提升 瞄准商务投影仪市场
《中国照明电器》2011年第2期19-19,共1页
欧司朗光电半导体在OSTAR平台上研发出一款绿光LED样品,亮度是其前代产品的两倍,发光表面也十分均匀。这款单芯片LED采用最新的芯片技术,内部搭载一个绿色荧光转换器。目前已推出初始样品,正在着力寻求开发LED商务投影仪的合作伙伴...
关键词:绿光LED 欧司朗 投影仪 亮度 商务 光电半导体 市场 瞄准 
美科学家开发出新兴微型化无机LED技术
《硅酸盐通报》2009年第B08期93-93,共1页
关键词:LED技术 无机 微型化 科学家 开发 半导体层 氮化铟镓 绿光LED 
稀土及磁性材料
《新材料产业》2007年第1期90-92,共3页
关键词:钕铁硼磁性材料 稀土发光材料 钒钛磁铁矿 煤基直接还原 计划项目 绿光LED 世界级 光转换 
改善红光LED提取效率的创新技术
《中国照明》2009年第9期56-57,共2页陈泽澎 谢明勋 
红光LED作为三基色的一种和蓝绿光LED组合在一起,变幻着五光十色,AlGalnP四元红光LED作为RGB三基色中的一种,在白光合成中具有不可替代的地位。所以深入分析其工作机理、优化材料外延生长工艺,研究管芯制作工艺,提高AlGalnP红光LE...
关键词:绿光LED 红光 创新技术 提取效率 生长工艺 制作工艺 散热条件 三基色 
产品汇总:LED
《今日电子》2011年第5期52-52,共1页
HLMPCxxx系列绿光(525nm)和蓝光(470nm).高亮LED,其照度分别可达到59000mcd和12000mcd。
关键词:电子产品 产品介绍 绿光LED 蓝光 
绿光LED产生高阶Bessel光的自再现被引量:15
《中国科学:物理学、力学、天文学》2015年第1期54-62,共9页何西 吴逢铁 李攀 孙川 
国家自然科学基金(批准号:61178015);福建省自然科学基金(编号:2012J01278)资助项目
基于Hankel波理论分析了非相干光源产生高阶Bessel光束的自再现的可能性,利用交叉谱密度公式模拟了非相干绿光LED光源产生的一阶Bessel光束经过轴上圆形障碍物后的自再现光场分布,实验上通过由绿光LED发出的光场经过螺旋相位板和轴棱锥...
关键词:高阶Bessel光束 绿光LED 自再现 轴棱锥 螺旋相位板 
量子垒结构对Si衬底GaN基绿光LED光电性能的影响被引量:1
《发光学报》2016年第3期327-331,共5页汤英文 熊传兵 井晓玉 
国家科技部支撑计划(2011BAB32B01)资助项目
在Si衬底上外延生长了3种不同量子垒结构的绿光外延片并制作成垂直结构芯片,3种量子垒结构分别为Ga N、In0.05Ga0.95N/Al0.1Ga0.9N/In0.05Ga0.95N、In0.05Ga0.95N/Ga N/In0.05Ga0.95N,对应的3种芯片样品为A、B、C,研究了3种样品的变温...
关键词:垒结构 绿光LED 电致发光 硅衬底 MOCVD 
InGaN绿光LED中p-AlGaN插入层对发光效率提升的影响(英文)
《发光学报》2019年第9期1108-1114,共7页余浩 郑畅达 丁杰 莫春兰 潘拴 刘军林 江风益 
国家重点研发计划(2016YFB040060,2016YFB0400601);国家自然科学基金重点项目(61334001);江西省发展计划(20165ABC28007,20182ABC28003)资助项目~~
基于含有V坑结构的Si(111)衬底InGaN/GaN绿光LED,我们在传统p-AlGaN电子阻挡层之后优化生长一层25 nm的低掺镁p-AlGaN插入层,并获得明显的效率提升。在35 A/cm 2的电流密度下,主波长为520 nm的LED外量子效率和光功率分别达到43.6%和362....
关键词:绿光LED p-AlGaN插入层(IL) 外量子效率 V坑 空穴注入效率 
垒层Si掺杂对多量子阱InGaN绿光LED性能的影响
《半导体光电》2013年第2期186-189,263,共5页郝锐 马学进 马昆旺 林志霆 李国强 
国家自然科学基金项目(51002052);广东省重大科技专项项目(2011A080801018);广东省战略新兴产业LED专项资金项目(2011A081301014)
InGaN系绿光LED的量子阱结构具有较高的In含量,InN与GaN之间较大的晶格失配度使得绿光器件的量子限制Stark效应更显著。对内建电场的屏蔽可以有效提高载流子的辐射复合效率。论文探讨了绿光多量子阱中垒层的Si掺杂对绿光器件性能的影响...
关键词:绿光LED INGAN 多量子阱 Si掺杂 量子限制Stark效应 
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