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六方AlN本征缺陷的第一性原理研究被引量：15
《物理学报》2007年第9期5376-5381,共6页耶红刚 陈光德 竹有章 张俊武 
国家自然科学基金(批准号:10474078)资助的课题.~~
用基于密度泛函理论平面波赝势法首先对六方AlN本征点缺陷(氮空位、铝空位、氮替代铝、铝替代氮、氮间隙、铝间隙)存在时的晶格结构进行优化,得到其稳定结构;然后通过各缺陷形成能的计算可得知其在生长过程中形成的难易程度;最后从态密...
关键词：六方AlN 形成能 缺陷能级 态密度 
短波HgCdTe光电二极管中缺陷能级对器件性能的影响
《红外与毫米波学报》1999年第2期108-112,共5页胡新文 李向阳 王勤 陆慧庆 赵军 方家熊 张胜坤 
国家科技预研基金
利用变频导纳谱研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．６）ｎ＋－ｏｎ－ｐ结中的深能级缺陷，得到其缺陷能级位置在价带上０．１５ｅＶ，同时给出了其俘获截面和缺陷密度，初步认为是Ｈｇ空位或与其相关的复合缺陷．根据深能级的有关参...
关键词：导纳谱 缺陷能级 汞镉碲 光电二极管 红外器件 
GaAs可饱和吸收体本征点缺陷的第一性原理计算与模拟被引量：1
《红外与激光工程》2011年第5期822-825,共4页李德春 赵圣之 唐文婧 李桂秋 杨克建 
国家自然科学基金(60876056);山东省博士后创新项目专项资金(200903067);中国博士后科学基金(20090461210)
GaAs可饱和吸收体中的深能级缺陷(EL2缺陷)对其被动调Q性能有着重要的影响,因此有必要对EL2缺陷的微观结构及形成机理做进一步研究。用基于密度泛函理论的平面波赝势法首先对GaAs本征点缺陷(镓空位、砷空位、镓替代砷、砷替代镓、镓间...
关键词：EL2缺陷 形成能 缺陷能级 态密度 
氧化物红色荧光粉Sr_(3)Ga_(4)O_(9):Eu^(2+)中Eu^(2+)的格位工程调控机制被引量：1
《硅酸盐学报》2024年第11期3482-3491,共10页邝宇航 朱英泽 夏志国 
国家自然科学基金(51972118)。
稀土离子Eu^(2+)在无机固体基质占据低配位数(六配位)阳离子格位可引起较大晶体场劈裂,进而产生红光乃至近红外发射。采用上述理论模型,设计并制备了一种可被蓝光激发的氧化物红色荧光粉Sr_(3)Ga_(4)O_(9):Eu^(2+),其发射峰值为618 nm,...
关键词：稀土发光材料 红色荧光粉 晶体场劈裂 缺陷能级 白光照明 
碘化铟晶体本征缺陷的第一性原理研究被引量：3
《物理学报》2013年第24期129-135,共7页张伟 徐朝鹏 王海燕 陈飞鸿 何畅 
河北省应用基础研究计划重点基础研究项目(批准号:13961103D);中国电子科技集团公司第四十六研究所创新基金(批准号:CJ20120208)资助的课题~~
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,对正交碘化铟(InI)晶体可能存在的6种本征点缺陷(碘空位、铟空位、碘占铟位、铟占碘位、碘间隙、铟间隙)结构进行优化.通过缺陷形成能的计算,得出各缺陷在生长过程中形成的难易程度;通过态密度的...
关键词：碘化铟 形成能 缺陷能级 深空穴陷阱 
Hg_(1-x)Cd_xTe深缺陷能级研究
《红外与毫米波学报》1994年第5期359-363,共5页周洁 封松林 卢励吾 司承才 李言谨 胡晓宁 
利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了Hg_(1-x)Cd_xTe(x=0.4)p^+n光伏二极管中的缺陷能级.通过改变注入脉冲条件,获得2个电子陷阱和2个空穴陷阱,电子陷阱的能级位置分别为E(0.06)和E(0.15),空穴陷阱的能级位置分别为H(0.075)和H(0.29).这些深...
关键词：深能级瞬态谱 缺陷能级 HGCDTE 
体相二硫化铼中点缺陷的形成与稳定性
《原子与分子物理学报》2025年第5期143-150,共8页何诗颖 赵宇清 邹代峰 许英 廖雨洁 禹卓良 
国家自然科学基金(12204166,12205093);湖南省教育厅青年基金(20B219);湖南科技大学科研启动基金(E51996)。
二硫化铼是过渡金属二硫族化合物的成员,由于层间的范德华作用、合适的带隙、高的光吸收系数和长的载流子迁移距离在光电子研究领域引起广泛的关注.其中光电材料及器件的优良特性由电子结构决定,而半导体的缺陷能级对电子结构具有重要...
关键词：体相二硫化铼 形成能 缺陷能级 稳定性 
基于无催化剂化学气相沉积法的氮化镓纳米线制备和表征被引量：2
《井冈山大学学报（自然科学版）》2015年第1期81-84,共4页李林虎 张勃 沈龙海 
国家自然科学基金项目(11004138);辽宁省优秀人才支持计划(LJQ2011020)项目
采用化学气相沉积法,通过金属镓和氨气的直接反应,在石英衬底上沉积出GaN纳米线。利用XRD和SEM对制备的GaN纳米线进行了结构和形貌的表征。结果表明合成的GaN纳米线为六方纤锌矿结构,直径为100~200 nm,长度达几微米,GaN纳米线的生长符合...
关键词：石英 GAN纳米线 缺陷能级 
退火处理对ZnO薄膜发光特性的影响被引量：5
《人工晶体学报》2005年第1期107-111,共5页苏凤莲 彭观良 邹军 宋词 杭寅 徐军 周圣明 
用脉冲激光沉积法(PLD)在MgO(100)、α Al2O3 (0001)和MgAl2O4 (111)衬底上沉积了ZnO薄膜,测量了它们的发射光谱,观察到 430nm的蓝光发射,并研究了退火、衬底和激发波长对ZnO薄膜这一蓝光发射的影响。指出ZnO薄膜中 430nm的蓝光发射是...
关键词：蓝光发射 ZNO薄膜 衬底 原子 价带 激发波长 脉冲激光沉积法 发光特性 光激 缺陷能级 
基于光致发光谱的窄禁带半导体材料能级研究被引量：1
《红外》2020年第7期1-4,37,共5页申晨 李乾 周朋 杨海燕 
材料能带以及缺陷能级状态是窄禁带半导体材料芯片制造过程中的重要参数。红外调制光致发光(Photoluminescence,PL)光谱仪是一种无损的有效检测技术。利用该技术对不同的窄禁带半导体材料进行了检测,然后用线型拟合光谱揭示了不同能级...
关键词：窄禁带半导体材料 PL光谱 能级跃迁 缺陷能级 
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