国家自然科学基金(90307009)

作品数：9被引量：10H指数：2
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CMOS磁敏/光敏兼容传感器集成电路的设计被引量：1
《固体电子学研究与进展》2009年第1期138-142,共5页郭清 韩雁 朱大中 
国家自然科学基金(90307009)
研制了一种新型的磁敏传感器和光敏象限传感器兼容的集成电路。该传感器采用0.6μm标准CMOS工艺制造,设计并实现了磁敏传感器、光敏象限传感器及其兼容的信号处理电路的单片集成,并采用有源预处理电路和相关二次采样电路进行磁敏和光敏...
关键词：互补金属氧化物半导体 磁敏传感器 光敏传感器 
0.6μm CMOS集成传感器电路兼容的RS232串行通信发送接口芯片研究被引量：3
《传感技术学报》2007年第1期114-117,共4页孙颖 吴献 朱大中 
国家自然科学基金资助项目(90307009)
采用5 V 0.6μm标准CMOS工艺设计制造了具有RS232串行通信发送接口的传感器接口芯片.该芯片包含电荷泵和发送电路两个功能模块.其中电荷泵对5 V电源进行正/负倍压得到+7.6 V和-6.1 V的正负电平,并作为发送电路的电源,实现CMOS/TTL电平到...
关键词：RS232串行接口 10.6μm CMOSI集成传感器 电荷泵 
基于扇形霍尔板几何修正因子的分裂漏磁敏场效应晶体管相对灵敏度研究
《Journal of Semiconductors》2006年第12期2155-2159,共5页刘同 朱大中 
国家自然科学基金资助项目(批准号:90307009)~~
采用保角变换方法推导出扇形霍尔板的几何修正因子,并根据几何修正因子得到扇形分裂漏场效应晶体管相对灵敏度的解析表达式.通过计算机模拟和实验测试结果的验证,进一步完善了扇形磁敏分裂漏场效应管相对灵敏度的数学模型.相比矩形结构...
关键词：MAGFET 保角变换 几何修正因子 相对灵敏度 数学模型 
基于扇形MAGFET同步取样模式的CMOS磁敏传感器集成电路被引量：1
《传感技术学报》2006年第6期2391-2394,2398,共5页郭清 朱大中 
国家自然科学基金(NSFC)资助(90307009)
研究了基于扇形MAGFET同步取样模式的CMOS磁敏传感器集成电路,并由0.6μmCMOS工艺实现。该CMOS磁敏传感器集成电路以共源极的扇形分裂漏磁敏MOS管作为磁敏传感单元,使磁敏传感器在参考工作模式和测量工作模式下实现同步取样,测量垂直磁...
关键词：扇形分裂漏磁敏晶体管 同步取样 互补金属氧化物半导体 磁敏传感器 
256单元光电管阵列四象限CMOS传感器研究
《压电与声光》2005年第5期479-482,共4页周鑫 朱大中 
国家自然科学基金资助项目(90307009)
介绍了一种采用0.6μm CM O S工艺实现的256单元光电管阵列四象限CM O S光电传感器。该传感器由16×16单元有源光电管阵列,相关二次采样电路,差分放大电路和数字控制电路组成。每个有源光电管单元的尺寸为60μm×60μm,其感光面积百分比...
关键词：CMOS集成电路 256阵列四象限光电传感器 相关二次采样 
基于标准CMOS工艺的有源像素单元结构的研究被引量：2
《压电与声光》2005年第4期434-437,共4页周鑫 朱大中 郭维 
国家自然科学基金资助项目(90307009)
基于标准N阱互补金属氧化物半导体集成电路(CM O S)工艺,设计了P+/N-w e ll/P-sub光电管结构和传统的N+/P-sub光电管结构的有源像素单元。像素单元面积为100μm×100μm,感光面积百分比分别为77.6%和89%,采用了上华0.6μm两层金属两层...
关键词：互补金属氧化物半导体集成电路(CMOS) 有源像素传感器 光电传感器 
基于标准CMOS工艺的光敏传感单元结构的研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2005年第3期329-334,共6页周鑫 朱大中 孙颖 
国家自然科学基金资助项目(90307009)
基于0.6 μm标准N阱CMOS工艺,研究了光敏管的结深及其侧墙结构对有源感光单元的感光面积百分比、光电响应信号幅值、感光灵敏度以及感光动态范围等参数的影响.研究了包括传统N+/P衬底的光敏管结构,以及网格状N+/P衬底,N阱/P衬底,网格状N...
关键词：互补金属氧化物半导体工艺 侧墙结构 光敏传感器 动态范围 
新型集成阵列四象限CMOS光电传感器的研制被引量：3
《电子学报》2005年第5期928-930,共3页周鑫 朱大中 
国家自然科学基金(No.90307009)
　本文介绍了一种用于目标跟踪和坐标定位的新型集成阵列四象限CMOS光电传感器.该传感器采用上华0.6μm标准CMOS工艺制造,实现了象限传感器与后端信号处理电路的单片集成.该传感器由16×16单元有源光电管阵列,相关二次采样电路和时序控...
关键词：阵列式象限传感器 相关二次采样 互补金属氧化物半导体光电传感器 动态范围调整 二次扫描 
基于标准CMOS工艺的扇形磁敏晶体管及其模型被引量：1
《Journal of Semiconductors》2005年第4期751-755,共5页姚韵若 朱大中 
国家自然科学基金资助项目(批准号:90307009)~~
提出一种基于0.6μmn阱标准CMOS工艺的扇形分裂漏磁敏晶体管,给出了器件相对灵敏度的数学模型.模型重点在于研究扇形分裂漏磁敏晶体管几何参数对相对灵敏度的影响.通过计算机数值积分计算和实验测试结果修正完善了器件的数学模型.测试...
关键词：MAGFET CMOS 几何修正因子 相对灵敏度 数学模型 
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