国家高技术研究发展计划(2004AA513021)

作品数：12被引量：67H指数：5
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相关作者：敖建平孙云何青李凤岩孙国忠更多>>
相关机构：南开大学安徽工程科技学院天津大学安徽工程大学更多>>
相关期刊：《光子学报》《真空科学与技术学报》《Journal of Semiconductors》《太阳能学报》更多>>
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不同成分比例CIGS薄膜及太阳电池的快速退火(英文)被引量：2
《光子学报》2009年第9期2188-2191,共4页刘芳芳 孙云 王赫 张力 李长健 何青 李风岩 周志强 
Supported by the National High Technology Research and Development Program of China(2004AA513021)
研究了110～180℃(2 min)下的快速热退火对Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜特性及CIGS太阳电池性能的影响.结果表明:对于不同成分比例的CIGS(正常、富Cu、高Ga)电池来说,150℃,2 min的快速退火最利于电池性能及二极管特性的增加.其中,退火对富C...
关键词：CIGS薄膜太阳电池 成分比例 快速退火 二极管特性 
一步法电化学沉积Cu(In1-x， Gax)Se2薄膜的特性被引量：8
《物理化学学报》2008年第6期1073-1079,共7页敖建平 孙国忠 闫礼 康峰 杨亮 何青 周志强 李凤岩 孙云 
国家863基金(2006AA03Z217,2004AA513021)资助项目
在CuCl2、InCl3、GaCl3及H2SeO3组成的酸性水溶液电沉积体系中,对Mo/玻璃衬底上一步法电沉积Cu(In1-x,Gax)Se2(简写为CIGS)薄膜进行了研究.为了稳定溶液的化学性质,在溶液中加入邻苯二甲酸氢钾和氨基磺酸作为pH缓冲剂,将溶液的pH值控制...
关键词：电沉积 Cu(In1-x Gax)Se2薄膜 循环伏安法 pH缓冲溶液 
联氨对化学水浴沉积ZnS薄膜的影响被引量：1
《半导体光电》2007年第5期671-675,共5页冒国兵 刘琪 敖建平 
国家高技术研究发展计划重点项目(2004AA513021);安徽省教育厅自然科学基金项目(KJ2007B062)
在A(ZnSO4、SC(NH2)2、NH4OH)和含有联氨的B(ZnSO4、SC(NH2)2、NH4OH、(NH2)2)两种水溶液中采用化学水浴法沉积ZnS薄膜,研究了联氨对薄膜沉积过程和薄膜性质的影响。结果表明,加入少量联氨以后,薄膜沉积速度明显增加。两种溶液沉积的Zn...
关键词：联氨 ZNS薄膜 化学水浴沉积(CBD) CIGS太阳电池 
化学水浴沉积时间对CdS薄膜性质的影响被引量：8
《功能材料》2007年第6期968-971,共4页刘琪 冒国兵 敖建平 
国家高技术研究发展计划(863计划)重点资助项目(2004AA513021);安徽省教育厅自然科学基金资助项目(KJ2007B062)
采用CBD法在醋酸镉溶液体系中制备CdS半导体薄膜,通过XRD、XRF、SEM和光学透过率谱等测试手段研究了沉积时间对CdS薄膜沉积过程和性质的影响。结果表明,随着沉积时间的增加,薄膜增厚;S/Cd原子比增加,但都为富Cd的CdS薄膜;XRD研究表明,...
关键词：化学水浴沉积(CBD) CDS薄膜 沉积时间 Cu(In Ga)Se2太阳电池 
三元体系化学水浴法制备ZnS薄膜结晶性能的研究
《功能材料》2007年第A04期1512-1515,共4页王应民 孙云 蔡莉 杜楠 孙国忠 李禾 
基金项目：国家高技术研究发展计划（863计划）资助项目（2004AA513021）;江西省材料中心基金资助项目（ZX200401007）;江西省教育厅科技资助项目（DB200501107）
太阳薄膜电池ZnS缓冲层一般以氨水为主络合剂、水合肼为辅助络合剂二元络合体系化学水浴法制备。实验发现以氨水为主络合剂、水合肼和柠檬酸为辅助络合荆三元体系制备的ZnS薄膜质量明显要比氨水、水合肼二元体系的ZnS薄膜好。薄膜表面...
关键词：化学浴沉积法 ZNS薄膜 透射光谱 柠檬酸 
Cu(In,Ga)Se_2太阳电池缓冲层ZnS薄膜性质及应用被引量：3
《Journal of Semiconductors》2007年第5期726-730,共5页刘琪 冒国兵 敖建平 
国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA513021);安徽省高等学校青年教师科研基金(批准号:2006jq1151);安徽省教育厅自然科学基金(批准号:KJ2007B062)资助项目~~
在含有ZnSO4,SC(NH2)2,NH4OH的水溶液中采用CBD法沉积ZnS薄膜,XRF和热处理前后的XRD测试表明,ZnS沉积薄膜为立方相结构,薄膜含有非晶态的Zn(OH)2.光学透射谱测试表明,制备的薄膜透过率(λ>500nm)约为90%,薄膜的禁带宽度约为3·51eV.ZnS...
关键词：化学水浴沉积 ZNS薄膜 CIGS太阳电池 
络合剂对化学水浴沉积ZnS薄膜的影响被引量：2
《功能材料》2007年第3期382-385,共4页刘琪 冒国兵 敖建平 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2004AA513021);安徽省高等学校青年教师科研资助项目(2006jq1151);安徽省教育厅自然科学基金(2006KJ276B)
采用不同络合剂化学水浴沉积ZnS薄膜,应用台阶仪、SEM、XRD、波谱仪等手段测定了ZnS薄膜的厚度、表面、物相结构及透过率等。结果表明,氨水体系沉积薄膜速度明显慢于另外两种体系,沉积的ZnS薄膜都为立方结构。柠檬酸钠体系沉积的ZnS薄...
关键词：化学水浴沉积(CBD) 络合剂 ZNS薄膜 Cu(In Ga)Se2太阳电 
化学水浴沉积CIGS太阳电池缓冲层ZnS薄膜的研究被引量：5
《太阳能学报》2007年第2期155-159,共5页刘琪 冒国兵 敖建平 孙云 孙国忠 刘芳芳 何青 李凤岩 周志强 李长健 
国家863高新技术发展计划(2004AA513021);南开大学基金(P02011);安徽省高等学校青年教师科研资助项目(2006jq1151)
在含有ZnSO4、SC(NH2)2、NH4OH的水溶液中采用CBD法沉积ZnS薄膜,研究了沉积时间、水浴温度、搅拌等工艺条件对沉积薄膜的影响。薄膜的厚度与搅拌的强度有很大关系,表明扩散传质是薄膜生长的控制步骤。XRF和XRD测试表明沉积的薄膜中含有...
关键词：化学水浴沉积(CBD) ZNS薄膜 CIGS太阳电池 
共蒸发三步法制备CIGS薄膜的性质被引量：12
《Journal of Semiconductors》2006年第8期1406-1411,共6页敖建平 孙云 王晓玲 李凤岩 何青 孙国忠 周志强 李长健 
国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA513021);南开大学基金(批准号:P02011;P02010)资助项目~~
采用PID温度控制器控制共蒸发设备中蒸发源及衬底加热的温度,以三步法工艺制备CIGS(Cu(In,Ga)Se2)薄膜,通过恒功率加热衬底测试温度的变化,可实现在线组分监测,得到CIGS薄膜的组成重现性很好.CIGS薄膜的表面光洁,粗糙度多数小于10nm.但...
关键词：共蒸发 Cu(In Ga)Se2(CIGS) 三步法工艺 薄膜太阳电池 
Cu(In,Ga)Se_2材料成分对其电池性能的影响被引量：14
《Journal of Semiconductors》2005年第10期1954-1958,共5页刘芳芳 何青 李凤岩 敖建平 孙国忠 周志强 孙云 
国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2004AA513021)~~
利用三步共蒸发法制备铜铟硒薄膜太阳电池中的吸收层CIGS薄膜,采用多种测试手段,研究其成分比例与薄膜的电阻率、载流子浓度、表面粗糙度之间的关系.电阻率为102～103Ω·cm之间,是Cu、Ⅲ族元素、Se配比较为合适的区域.载流子浓度在1015...
关键词：CIGS薄膜 太阳电池 转换效率 成分比例 
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