二极管特性

作品数：45被引量：80H指数：5
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雪崩光电二极管特性与测量被引量：1
《电子技术与软件工程》2022年第24期142-146,共5页张逸斐 
本文首先介绍了雪崩光电二极管的应用特性及工作原理,随后在不同通信速率及不同偏压条件下对APD的灵敏度进行了即时测量,对光通信领域的接收性能提升提供了较好的理论指导及技术支持。
关键词：雪崩光电二极管 器件结构 灵敏度测量 
模拟电路实验教学中应用仿真软件Multisim的探究被引量：3
《科技风》2022年第22期59-61,共3页张科红 
以二极管特性测试电路和OTL功率放大电路为例,通过多种分析方式的深入剖析,探讨了如何更好地发挥Multisim在实验预习中的功效,并阐述了Multisim在设计性实验中的开展经验。实践证明,通过引入仿真软件Multisim,实现虚实结合,能更好地激...
关键词：仿真软件 二极管特性测试电路 OTL功放电路 实验预习 
超级结JBS二极管特性的仿真分析
《微处理机》2021年第4期16-20,共5页刘勇 关艳霞 刘亭 王卉如 邓杰 
为实现反向阻断特性和正向导通压降的折衷优化、提高单极型二极管功率,通过增加结型势垒控制肖特基二极管P柱区域结深,在JBS二极管中引入超级结结构。以300V耐压超级结JBS二极管为例分析其工作原理并建立模型,使用Silvaco软件对其反向...
关键词：超级结JBS二极管 Silvaco仿真 反向阻断特性 正向导通特性 反向恢复特性 
图解法定性研究薄膜太阳能电池的弱光性能
《建筑玻璃与工业玻璃》2021年第7期13-15,17,共4页崔介东 曹欣 马立云 石丽芬 仲召进 
通过比较薄膜太阳能电池在正常光照(100%光强)与弱光条件(50%光强)下的电流-电压特性差异,采用图解法来求解太阳能电池二极管特性的超越方程,研究电池的开路电压随光照强度的变化关系,结果表明,薄膜太阳能电池的开路电压与电池的并联电...
关键词：薄膜太阳能电池 开路电压 并联电阻 电池组件 二极管特性 图解法 光照强度 超越方程 
氧化钨薄膜对发光二极管特性的影响研究
《光电子．激光》2021年第4期344-348,共5页肖和平 朱志佳 
氧化钨薄膜具有适中的光学带隙、折射率及高功函数等半导体特性,本文采用溅射法(Sputtering)制备氧化钨薄膜测试其光电特性,使用AFM、XRD观察薄膜外观结构与晶体状态,应用XPS、UPS表征薄膜的化学计量组分及薄膜功函数,并将此薄膜应用于A...
关键词：氧化钨 函数等 ALGAINP发光二极管 出光效率 
表面缺陷对SiC JBS二极管特性影响研究
《电力电子技术》2020年第10期72-74,共3页胡继超 蒲红斌 胡彦飞 陈治明 
国家自然科学基金(61904146);陕西省教育厅自然科学专项(18JK0585)。
由于碳化硅(SiC)外延材料中缺陷的影响,目前SiC结势垒肖特基(JBS)二极管实际性能仍低于理论预期。通过4H-SiC外延材料生长和表征、4H-SiC JBS二极管制作和器件特性测试分析,研究了表面缺陷对4H-SiC JBS二极管反向特性的影响。结果表明,...
关键词：结势垒肖特基二极管 碳化硅 表面缺陷 
MPS二极管特性折衷的研究被引量：2
《微处理机》2018年第1期1-4,共4页张晓勇 关艳霞 
在开关电源或逆变电路中,快速软恢复二极管得到大量的使用。传统的PIN二极管存在着大反向恢复峰值电流和硬恢复特性的问题,因此具有低阳极注入的二极管结构被提出,例如PN结和肖特基接触相结合的混合PIN肖特基二极管MPS。以1200V MPS二...
关键词：MPS二极管 正向导通特性 反向阻断特性 反向恢复特性 折衷曲线 
用吉时利源表实现二极管特性曲线测试
《电子测试》2017年第8X期25-27,共3页薛克瑞 顾汉玉 
二极管的伏安特性曲线直观地反应了器件的性能,传统上采用阴极射线管(CRT)的晶体管图形仪进行测试,设备体积大、能耗大,测试精度低,人工读数的方式还会带来无法避免的主观差异。随着测试技术和计算机技术的发展,可以采用数字源表加控制...
关键词：晶体管 二极管 伏安特性 晶体管图示仪 ATE PMU 数字源表 
二极管特性简化模型在染料敏化太阳能电池电流-电压曲线拟合及在光电特性参数评估中的应用
《物理化学学报》2015年第6期1113-1117,共5页张平 王弋 付立民 艾希成 张建平 
国家自然科学基金(21133001;20933010);中央高校基础研究经费(10XNI007)资助项目~~
利用瞬态光电导技术研究了在一个大的偏压范围内染料敏化太阳能电池(DSSC)中的电荷收集和电荷复合过程的动力学.结果表明,在不同的电压下电荷收集速率远快于电荷复合速率,用以解释电荷的收集效率几乎不变.基于这个结果,简化了DSSC二极...
关键词：串联电阻 并联电阻 I-V曲线 叔丁基吡啶 理想因子 
浮结位置对4H-SiC浮结结势垒肖特基二极管特性的影响(英文)
《固体电子学研究与进展》2014年第4期315-320,共6页曹琳 王富珍 吴磊 
国家自然科学基金资助项目(60876050)
同质外延层厚度、铝离子注入深度及光刻偏差会导致4H-SiC浮结结势垒肖特基二极管中浮结位置偏离最优值,器件特性变差。通过数值模拟的方法对浮结横向及纵向位置偏差对其电学特性的影响进行了研究。纵向方向,两个梯形电流分布使得通态比...
关键词：碳化硅 浮结 位置偏差 数值模拟 
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