云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家自然科学基金(60476042)

国家自然科学基金(60476042): 作品数：14被引量：27H指数：3; 导出分析报告; 相关作者：姚江宏王占国舒永春舒强刘如彬更多>>; 相关机构：南开大学中国科学院天津城市建设学院天津职业技术师范大学更多>>; 相关期刊：《Optoelectronics Letters》《激光与红外》《量子电子学报》《光谱学与光谱分析》更多>>; 相关主题：量子点光学特性应变量子阱光致发光谱光致发光更多>>; 相关领域：电子电信理学更多>>

双模自组织量子点光致发光的温度依赖性: 《发光学报》2008年第6期1023-1026,共4页邓浩亮姚江宏; 天津工程师范学院科研基金(KJ2006-028);天津应用基础研究计划(08JCYBJC14800;06YFJZJC01100);国家自然科学基金(60476042);"863"计划(2006AA03Z413);"973"计划(2006CB921703)资助项目; 采用稳态速率方程模型,对双模自组织量子点光致发光的温度依赖性进行了研究,模拟获得了不同温度下双模自组织量子点的光致发光光谱,并进一步研究了两组量子点分布的光致发光强度比的温度依赖性。研究表明:在低温下(<75K),两组量子点分...; 关键词：双模自组织量子点光致发光热激发

生长温度和结构参数对InGaAs／GaAs量子阱光学特性的影响被引量：6: 《发光学报》2008年第2期325-329,共5页贾国治姚江宏舒永春邢晓东皮彪; 国家自然科学基金(60476042);国家重点基础研究发展计划(2006CB921703);天津市应用基础研究计划重点项目(06YFJZJC01100);天津城市建设学院人才启动经费资助项目; 研究了不同生长温度下制备的In0.15Ga0.85As/GaAs应变量子阱的PL谱,结果表明,生长温度越高,In偏析和In-Ga互混越严重,同时,导致更多的In脱附,PL谱发光峰蓝移。对不同In含量的和不同InGaAs厚度的InGaAs/GaAs量子阱进行PL谱测试,分析表明I...; 关键词：应变量子阱偏析脱附光致发光谱

光致发光谱研究自组织InAs双模量子点态填充: 《光谱学与光谱分析》2007年第11期2178-2181,共4页贾国治姚江宏张春玲舒强刘如彬叶小玲王占国; 国家自然科学基金项目(60476042);天津市应用基础研究计划重点项目(06YFJZJC01100);长江学者创新团队发展计划资助; 采用固态源分子束外延技术在GaAs(100)衬底上,制备了InAs量子点,对样品进行原子力显微镜测试,统计结果表明量子点尺寸呈双模分布。光致发光谱研究表明,在室温和77K下,小量子点的发光峰均占主导地位,原因可能是:(1)大量子点的态密度小于...; 关键词：光致发光谱量子点双模分布态填充

半导体可饱和吸收镜实现超短高功率脉冲激光研究进展被引量：8: 《激光与红外》2007年第3期197-199,210,共4页舒强舒永春刘如彬陈琳姚江宏许京军王占国; 国家自然科学基金(60476042);天津市应用基础研究计划06/FJZJC01100资助项目; 介绍了半导体可饱和吸收镜(SESAM)的基本结构及使用半导体可饱和吸收镜被动锁模固态激光器的基本原理。综述了利用半导体可饱和吸收镜被动锁模薄片式固态激光器及光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器,获得高平均输出功率超短脉冲的最新进...; 关键词：激光技术半导体可饱和吸收镜被动锁模薄片式固态激光器光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器

量子点阵列光致荧光谱温度依赖性研究被引量：1: 《量子电子学报》2007年第1期100-104,共5页刘国梁姚江宏许京军王占国; 国家自然科学基金(60476042);长江学者和创新团队发展计划资助; 多模量子点阵列的光致荧光(PL)光谱的温度依赖性研究对于实现高效的量子点光电器件有着非常重要的意义．利用速率方程模型模拟不同密度量子点阵列中的载流子动力学过程。研究表明,高密度量子点阵列中不同尺寸量子点族的PL强度表现不同...; 关键词：光电子学光致荧光速率方程多模量子点阵列热激发

俄歇复合对应变量子阱激光器阂值电流的影响被引量：1: 《量子电子学报》2007年第1期105-109,共5页贾国治姚江宏刘国梁柏天国刘如彬邢晓东; 国家自然科学基金(60476042);长江学者和创新团队发展计划资助; 通过考虑不同因素对压应变和张应变量子阱激光器阈值电流和特征温度的影响,得到了俄歇复合和非俄歇复合对阈值电流起主要作用的转变温度Tc,小于Tc时,主要是非俄歇复合;大于Tc时,主要是俄歇复合,而且张应变量子阱激光器转变温度要比压应...; 关键词：光电子学俄歇复合应变量子阱阈值电流密度特征温度

Design of tunneling injection quantum dot lasers: 《Optoelectronics Letters》2007年第1期4-6,共3页JIA Guo-zhi YAO Jiang-hong SHU Yong-chun WANG Zhan-guo; the National Natural Science Foundationof China (Grant No. 60476042) and Tianjin City Research Founda-tion for Key Basic Research, China (Grant No. 06YFJZJC01100); To implement high quality tunneling injection quantum dot lasers, effects of primary factors on performance of the tunneling injection quantum dot lasers were investigated. The considered factors were tunneling probab...; 关键词：隧道注入量子点激光器设计半导体激光器

近红外波段InAs量子点结构与光学特性被引量：3: 《发光学报》2007年第1期104-108,共5页贾国治姚江宏舒永春王占国; 国家自然科学基金(60476042);天津市应用基础研究计划重点项目(06YFJZJC01100);长江学者和创新团队发展计划资助项目~~; 采用分子束外延技术,分别在480,520℃的生长温度下,制备了淀积厚度2.7ML的InAs/GaAs量子点。用原子力显微镜对样品进行形貌测试和统计分布。结果表明,在相应的生长温度下,量子点密度分别为8.0×1010,5.0×109cm-2,提高生长温度有利于获...; 关键词：量子点分子束外延光致发光原子力显微镜

不同淀积厚度InAs量子点的喇曼散射: 《Journal of Semiconductors》2006年第6期1012-1015,共4页张冠杰徐波陈涌海姚江宏林耀望舒永春皮彪邢晓东刘如彬舒强王占国许京军; 国家自然科学基金(批准号:60476042);天津市应用基础研究(批准号:06YFJZJC01100)资助项目~~; 利用喇曼散射方法在77K温度下对不同淀积厚度的InAs/GaAs量子点材料进行了研究.在高于InAs体材料LO模的频率范围内观察到了量子点的喇曼特征峰,分析表明应变效应是影响QD声子频率的主要因素.实验显示,随着量子点层淀积厚度L的增加,InAs...; 关键词：量子点喇曼散射应变效应限制效应

调制掺杂GaAs/AlGaAs2DEG材料持久光电导及子带电子特性研究被引量：2: 《物理学报》2006年第3期1379-1383,共5页舒强舒永春张冠杰刘如彬姚江宏皮彪邢晓东林耀望许京军王占国; 国家自然科学基金(批准号:60476042);长江学者和创新团队发展计划和南开大学泰达学院资助的课题.~~; 在掺Si的GaAs/AlGaAs二维电子气(2DEG)结构中,得到μ2K=1·78×106cm2/(V·s)的高迁移率.在低温(2K)和高磁场(6T)的条件下,对样品进行红光辐照,观察到持久光电导(PPC)效应,电子浓度在光照后显著增加.通过整数量子霍尔效应(IQHE)和Shubni...; 关键词：二维电子气量子霍尔效应 SdH振荡持久光电导效应

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