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国家自然科学基金(60506020): 作品数：12被引量：15H指数：3; 导出分析报告; 相关作者：郝跃马佩军李康史江一谢元斌更多>>; 相关机构：西安电子科技大学更多>>; 相关期刊：《西安电子科技大学学报》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《微电子学》更多>>; 相关主题：DEGRADATION集成电路THRESHOLD_VOLTAGESTRESSSILC更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

基于网络处理的多核共享SDRAM控制器: 《计算机工程》2010年第14期212-214,共3页武颖奇李康马佩军关娜史江义; 国家自然科学基金资助项目(60506020);陕西省科技厅自然科学基础研究计划基金资助项目(SJ08-ZT13); 设计一种基于网络处理的多核共享SDRAM控制器,提出分层优先级仲裁算法以提高多核访问共享内存的效率,针对IP包处理特点,给出一种基于指令控制的块数据传输机制来缩短IP包的读写延迟。在FPGA平台上进行验证,结果表明,当处理长度为64Byte...; 关键词：分层优先级仲裁块数据传输 SDRAM控制器

多核网络处理器的高速数据交换控制结构被引量：3: 《计算机工程》2010年第14期215-217,共3页刘宇李康马佩军史江义; 国家自然科学基金资助项目(60506020);陕西省科技厅自然科学基础研究计划基金资助项目(SJ08-ZT13); 提出一种用于多核网络处理器数据通道处理的高速MAC接口数据交换控制结构。利用主动请求机制控制数据包的接收,通过多线程分配策略实现对接收数据的并行处理,维护数据包的到达顺序,实现高速数据传输。仿真与验证结果表明,接收控制器模...; 关键词：数据交换接口网络处理器多核片上系统千兆端口

一种缩短共享存储访问时延的优化仲裁技术: 《计算机应用研究》2010年第4期1391-1393,1399,共4页关娜李康马佩军武颖奇; 国家自然科学基金资助项目(60506020);陕西省科技厅自然科学基础研究计(SJ08-ZT13); 提出一种提高访问性能的优先级仲裁策略,按照不同类型的内存访问优先级进行分层仲裁,并通过隐藏bank预充电时延提高了内存访问效率。本方法应用于网络处理器(XD-NP)的可配置SDRAM控制器的设计中,并在FPGA平台上进行了验证,结果表明,采...; 关键词：多处理器片上系统优先级仲裁内存访问时延隐藏

小规模频繁子电路的规律性预提取算法被引量：2: 《计算机辅助设计与图形学学报》2010年第2期226-233,共8页潘伟涛郝跃谢元斌史江一; 国家自然科学基金(60506020);国家重大基础研究项目(61398); 针对数字IC规律性提取算法复杂度过高的问题,提出一种逐级对根节点进行分类的算法.通过对频繁边的直接扩展,实现了小规模频繁子电路的快速提取;利用门级电路中小规模频繁子电路与大规模频繁子电路间的结构依赖性,解决了候选子电路生成...; 关键词：子电路同构候选子电路频繁子电路规则性指数

Study on the degradation of NMOSFETs with ultra-thin gate oxide under channel hot electron stress at high temperature被引量：3: 《Chinese Physics B》2009年第12期5479-5484,共6页胡仕刚郝跃马晓华曹艳荣陈炽吴笑峰; Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos 60736033 and 60506020); This paper studies the degradation of device parameters and that of stress induced leakage current （SILC） of thin tunnel gate oxide under channel hot electron （CHE） stress at high temperature by using n-channel me...; 关键词：threshold voltage interface traps stress induced leakage current

集成电路关键面积研究方法的发展与挑战被引量：4: 《微电子学》2009年第5期704-709,共6页张国霞马佩军张旭郝跃; 国家自然科学基金资助项目(60506020);陕西省自然科学基础研究项目(SJ08-ZT13); 关键面积研究方法是集成电路可制造性(DFM)领域的重要研究内容。对主流关键面积研究方法进行了综述与分析,讨论了Monte Carlo方法、多边形算子方法、Voronoi图方法的优缺点;对亚波长光刻阶段关键面积研究面临的挑战进行了分析与探讨。; 关键词：集成电路关键面积关键面积提取深亚微米光刻

具有冗余设计的铜互连线电迁移可靠性评估: 《固体电子学研究与进展》2009年第4期602-605,共4页杜鸣马佩军郝跃; 国家自然科学基金资助项目(编号:60506020); 铜互连的电迁移可靠性与晶粒结构、几何结构、制造工艺以及介质材料等因素有着密切的关系。分别试制了末端有一定延伸的互连线冗余结构设计的样品,以及无冗余结构的互连线样品,并对样品进行了失效加速测试。测试结果显示,采用冗余结构...; 关键词：电迁移失效加速测试冗余

二同构扩展数字集成电路规律性提取算法被引量：2: 《西安电子科技大学学报》2009年第3期452-457,462,共7页潘伟涛谢元斌郝跃史江一; 国家自然科学基金资助(60506020);国家部委科技预研项目资助(51308010301); 针对目前集成电路具有高度的规律性的特点,提出了一种新的数字集成电路规律性结构提取算法,可自动对电路中一些重复出现的电路结构进行识别和提取.通过对两两相连的标准单元进行特征提取比较并产生二同构子电路,对出现频数较高的二同构...; 关键词：子电路同构规律性子电路模板逻辑综合标准单元

Degradation of ultra-thin gate oxide LDD NMOSFET under GIDL stress: 《Journal of Semiconductors》2009年第4期34-37,共4页胡仕刚郝跃曹艳荣马晓华吴笑峰陈炽周清军; supported by the National Natural Science Foundation of China (Nos. 60736033, 60506020); The degradation of device under GIDL （gate-induced drain leakage current） stress has been studied using LDD NMOSFETs with 1.4 nm gate oxides. Experimental result shows that the degradation of device parameters depen...; 关键词：GIDL interface traps direct tunneling SILC

Effect of substrate bias on negative bias temperature instability of ultra-deep sub-micro p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors: 《Chinese Physics B》2009年第1期309-314,共6页曹艳荣郝跃马晓华胡仕刚; Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos 60376024,60736033 and 60506020);the National High Technology Research and Development Program of China (Grant No 2003AA1Z1630); The effect of substrate bias on the degradation during applying a negative bias temperature （NBT） stress is studied in this paper. With a smaller gate voltage stress applied, the degradation of negative bias tempera...; 关键词：negative bias temperature instability （NBTI） substrate bias hot holes oxide traps

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