国防基金(99J241JW0514)

作品数：2被引量：1H指数：1
导出分析报告
相关作者：宋跃邹雪城更多>>
相关机构：华中科技大学湘潭师范学院湖南科技大学更多>>
相关期刊：《Journal of Semiconductors》《仪器仪表学报》更多>>
相关主题：A-SI补偿电容A-SI:HTFT寄生效应更多>>
相关领域：电子电信更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
a-SiTFT有源矩阵的单故障交流导纳分析
《仪器仪表学报》2004年第2期212-216,共5页宋跃 邹雪城 
国防基金资助项目 (99J2 .4.1.JW0 5 14 )
为检测 a- Si TFT有源矩阵板缺陷 ,提出了 TFT阵列测试电流环路模式和交流导纳单故障模型 ,研究了 TFT像素单元交流导纳特性和缺陷效应 ,研究发现 TFT单元在无缺陷时 ,它的等效电导、电容是测试信号频率和 TFT沟道电阻的函数 ,在出现任...
关键词：缺陷模型 导纳特性 电流环路 归一化 缺陷效应 A-SITFT TFT-LCD 
a-Si∶HTFT的寄生效应被引量：1
《Journal of Semiconductors》2003年第4期391-395,共5页宋跃 邹雪城 
国防基金资助项目 ( No.99J2 .4.1.JW0 5 14 )~~
a- Si∶ H TFT的栅源几何交迭会引起几何寄生电容 ,实验研究表明它并不能完全表征 TFT的寄生效应 ,研究发现由栅极和源极形成的电场的电力线交迭也会导致物理寄生效应且这种效应始终存在 .从 L CD的结构、材料、制备工艺等普遍性出发 ,...
关键词：A-SI:H TFT 寄生效应 电力线 物理寄生电容 补偿电容 液晶显示器 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部