国家自然科学基金(50390061)

作品数：67被引量：409H指数：10
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相关作者：康仁科郭东明金洙吉苏建修申儒林更多>>
相关机构：大连理工大学中南大学河南科技学院郑州大学更多>>
相关期刊：《机械科学与技术》《机械工程学报》《中南大学学报（自然科学版）》《系统仿真学报》更多>>
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相关领域：电子电信金属学及工艺机械工程一般工业技术更多>>
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A signal processing method for the friction-based endpoint detection system of a CMP process
《Journal of Semiconductors》2010年第12期138-142,共5页徐驰 郭东明 金洙吉 康仁科 
Project supported by the Major Program of National Natural Science Foundation of China(No.50390061);the National Science and Technology Major Project,China(No.2009ZX02011)
A signal processing method for the friction-based endpoint detection system of a chemical mechanical polishing （CMP） process is presented. The signal process method uses the wavelet threshold denoising method to red...
关键词：CMP endpoint detection signal processing 
硅片化学机械抛光表面材料去除非均匀性实验被引量：3
《超硬材料工程》2010年第5期1-4,共4页苏建修 陈锡渠 杜家熙 宁欣 康仁科 
国家自然科学基金重大项目资助(No.50390061);河南省科技攻关计划重点项目(102102210405);河南省教育厅自然科学研究计划项目(2009A460004);河南科技学院科技创新基金项目资助
化学机械抛光技术已成为超大规模集成电路制造中实现硅片全局平面化的实用技术和核心技术。CMP的最大问题之一是硅片材料去除的非均匀性,它是集成电路对硅片表面平坦化需求的一个重要指标。文章提出了硅片表面材料去除非均匀性计算公式,...
关键词：化学抛光 材料去除 非均匀性 
摩擦化学反应活化能在SiO_2-CMP中的作用被引量：2
《纳米技术与精密工程》2010年第3期275-280,共6页刘瑞鸿 郭东明 金洙吉 康仁科 
国家自然科学重大基金资助项目(50390061);国家自然科学青年基金资助项目(50325518)
基于摩擦化学反应动力学,在修正阿伦尼乌斯公式的基础上,建立了考虑摩擦效应在内的化学反应速率方程,并建立SiO2介质膜化学机械抛光总材料去除率模型;同时,通过浸泡、变温抛光试验确定了材料去除模型.研究结果表明,在化学机械抛光(CMP)...
关键词：摩擦化学反应活化能 层间介质膜 化学机械抛光 
Material removal rate in chemical-mechanical polishing of wafers based on particle trajectories被引量：3
《Journal of Semiconductors》2010年第5期145-150,共6页苏建修 陈锡渠 杜家熙 康仁科 
supported by the Major Project of National Natural Science Foundation of China(No.50390061);the Key Project of Science and Technology R & D Program of Henan Province,China(No.102102210405);the Research Project Program of Natural Science of the Education Department of Henan Province,China(No.2009A460004);the Scientific Research Foundation of Henan Institute of Science and Technology for High Level Scholar;the Science and Technology Innovation Program of Henan Institute of Science and Technology.
Distribution forms of abrasives in the chemical mechanical polishing（CMP） process are analyzed based on experimental results.Then the relationships between the wafer,the abrasive and the polishing pad are analyzed b...
关键词：chemical mechanical polishing material removal mechanism ABRASIVE material removal rate 
一种用于化学机械抛光的加压装置设计研究被引量：3
《中国机械工程》2010年第7期839-842,864,共5页王彩玲 康仁科 金洙吉 
国家自然科学基金资助项目(50390061)
low-k材料的使用,使低下压力技术成为化学机械抛光(CMP)设备研发设计必须面临的关键技术之一,为适应该需求,提出了弹性组合元件加压技术,即通过改变加压元件的变形量来实现压力调整的机械调压技术。对该加压模式的设计要求及加压精度进...
关键词：化学机械抛光 低下压力 弹性组合元件 加压元件 
铜化学机械抛光材料去除机理研究被引量：3
《金刚石与磨料磨具工程》2010年第1期5-9,共5页苏建修 高虹 陈锡渠 杜家熙 宁欣 康仁科 
国家自然科学基金重大项目资助(No:50390061);河南科技学院高学历人才启动基金资助;河南省教育厅自然科学研究计划项目(2009A460004)
本文根据铜CMP过程中表面材料的磨损行为,建立了铜CMP时的材料去除率构成成分模型,并通过材料去除率实验,得出了各机械、化学及其交互作用所引起的材料去除率及其作用率:当np=nw=200r/min时,有最佳材料去除率,此时单纯的机械作用率为9....
关键词：化学机械抛光 硅片 材料去除机理 
微电子和光电子制造中的节约型高效精密加工技术被引量：1
《江南大学学报（自然科学版）》2009年第6期746-752,共7页李庆忠 康仁科 郭东明 
国家自然科学基金重大项目(50390061);江苏省自然科学基金项目(BK20080605)
着重介绍了高效精密加工制造技术的科学内涵、应用范围和在机械加工制造业的重要性,以及国内外研究现状与发展趋势,分析了国内在先进加工制造工艺和装备领域的基础研究中存在的主要问题和差距。
关键词：微电子 光电子 超精密 制造技术 
机群系统上单晶硅磨削过程分子动力学仿真并行化研究
《系统仿真学报》2009年第10期2850-2854,共5页郭晓光 郭东明 康仁科 金洙吉 
国家自然科学重大基金项目(50390061);国家自然科学杰出青年基金(50325518)
详细介绍了单晶硅磨削过程分子动力学并行化涉及到的并行算法设计基础等基础理论,分析了现有的几种并行算法,确定采用区域分解法作为本文的并行算法,在此基础上提出了基于区域二次划分的分子动力学并行仿真算法。介绍了分子动力学并行...
关键词：超精密加工 分子动力学仿真 并行算法 机群系统 
基于磨损行为的单晶硅片化学机械抛光材料的去除特性被引量：8
《纳米技术与精密工程》2009年第3期265-269,共5页苏建修 高虹 陈锡渠 宁欣 郭东明 
国家自然科学基金重大资助项目(50390061);河南科技学院高学历人才启动基金资助项目;河南省教育厅自然科学研究计划项目(2008B460007)
为了掌握化学机械抛光(CMP)过程中硅片表面材料的去除行为,根据CMP过程中硅片表面材料的磨损行为,建立了硅片CMP时的材料去除率构成成分模型,设计了不同成分的抛光液并进行了材料去除率实验,得出了机械、化学及其交互作用所引起的材料...
关键词：化学机械抛光 材料去除机理 材料去除率 磨损行为 
单晶硅片化学机械抛光材料去除特性被引量：6
《北京科技大学学报》2009年第5期608-611,617,共5页杜家熙 苏建修 万秀颖 宁欣 
国家自然科学基金重大资助项目(No.50390061);河南科技学院高学历人才启动基金资助项目
根据化学机械抛光(CMP)过程中硅片表面材料的磨损行为,建立了硅片CMP时的材料去除率模型,设计了不同成分的抛光液并进行了材料去除率实验,得出了机械、化学及其交互作用所引起的材料去除率.结果表明,磨粒的机械作用是化学机械抛光中的...
关键词：硅片 化学机械抛光 材料去除机理 材料去除率 磨损行为 
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