云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 上海第二工业大学校基金(QD209012)

上海第二工业大学校基金(QD209012): 作品数：3被引量：0H指数：0; 导出分析报告; 相关作者：张永红毕烨黄瑞更多>>; 相关机构：上海第二工业大学更多>>; 相关期刊：《微纳电子技术》《上海第二工业大学学报》更多>>; 相关主题：LDMOSFETCMOS工艺比导通电阻高压LDMOS击穿电压更多>>; 相关领域：电子电信更多>>

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两层金属场极板高压LDMOS的优化设计: 《微纳电子技术》2011年第2期87-91,共5页张永红黄瑞; 上海第二工业大学校基金项目(QD209012); 采用场极板结终端技术提高LDMOS击穿电压,借助二维器件仿真器MEDICI软件对基于体硅CMOS工艺500V高压的n-LDMOS器件结构和主要掺杂参数进行优化,确定漂移区的掺杂浓度(ND)、结深(Xj)和长度(LD)。对多晶硅场极板和两层金属场极板的结构参...; 关键词：LDMOSFET 金属场极板多晶硅场极板击穿电压比导通电阻

面向可制造性设计的铜互连有源测试结构的设计与实现: 《上海第二工业大学学报》2010年第2期117-123,共7页张永红毕烨; 上海第二工业大学校基金(No.QD209012); 随着超大规模集成电路制造技术的不断进步,互连线寄生电容已经成为超大规模集成电路延时和噪声的主要来源。提出并实现了一种基于电荷测量技术的互连寄生电容测试结构。利用这种结构可研究互连线和相关介质的几何尺寸变化,并可反馈应用...; 关键词：可制造性设计铜互连电容提取测试结构设计

纳米CMOS工艺下互连测试结构的设计与实现: 《上海第二工业大学学报》2010年第1期16-21,共6页张永红毕烨; 上海第二工业大学校基金(No.QD209012); 集成电路制造技术进入纳米时代后,互连线制造过程中出现的半导体材料和工艺物理特性变异已不是仅靠晶圆厂或掩模厂采用的分辨率增强技术所能矫正。结合目前后段制程的工艺特点,设计了平行板电容、层跃平行板电容、叉指型电容、叉指型通...; 关键词：互连线标准互连线性能参数测试结构设计自动实现

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