国家自然科学基金(60166002)

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Al_xGa_(1-x)As/GaAs异质结中电子迁移率的压力效应
《Journal of Semiconductors》2005年第12期2422-2427,共6页白鲜萍 班士良 
国家自然科学基金(批准号:60166002);内蒙古自治区优秀学科带头人计划资助项目~~
对AlxGa1-xAs/GaAs半导体单异质结系统,引入有限高势垒与考虑导带弯曲的真实势,同时计入电子对异质结势垒的隧穿,利用变分法和记忆函数方法讨论在界面光学声子和体纵光学声子的散射下,异质结界面附近电子迁移率随温度的变化关系及其压...
关键词：异质结 电子迁移率 压力效应 
有限深量子阱中电子迁移率的压力效应
《内蒙古大学学报（自然科学版）》2005年第5期520-524,共5页郝国栋 班士良 
国家自然科学基金资助项目(60166002);内蒙古自治区优秀学科带头人计划项目
考虑量子阱中局域类体光学声子模及界面光学声子模的影响,采用介电连续模型,运用力平衡方程研究GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中声子模对电子迁移率影响随阱宽的变化关系及其压力效应.结果表明,在窄阱时迁移率主要受界面光学声子模的影响,随着...
关键词：量子阱 迁移率 压力效应 GAAS/ALXGA1-XAS 
GaAs和ZnSe中极化子的压力效应
《内蒙古大学学报（自然科学版）》2005年第5期525-531,共7页戈华 班士良 孟建英 
国家自然科学基金资助项目(60166002);内蒙古自治区优秀学科带头人计划项目
考虑电子发射和吸收多个虚声子对极化子的影响,计入压力效应,采用改进的线性组合算符法讨论极性晶体中的Ⅲ～Ⅴ族GaAs和Ⅱ～Ⅵ族ZnSe极化子的性质.在中间耦合极限下,数值计算得到了这两种极化子的耦合常数、自陷能、有效质量和围绕电子...
关键词：极化子 压力效应 GAAS ZNSE 
有限势垒量子阱中极化子结合能的压力效应被引量：1
《内蒙古大学学报（自然科学版）》2005年第1期31-37,共7页孟建英 班士良 王树涛 
国家自然科学基金资助项目(60166002)
计入流体静压力效应,同时考虑量子阱中三类光学声子模(局域类体光学声子、半空间类体光学声子和界面光学声子模)对单电子基态能量的影响,采用变分法讨论GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中自由极化子的结合能.得到了压力下三类光学声子模对极化子...
关键词：极化子 结合能 量子阱 压力效应 GAAS/ALXGA1-XAS 
双势垒中杂质原子对量子隧穿的影响被引量：1
《内蒙古大学学报（自然科学版）》2005年第1期26-30,共5页贾秀敏 班士良 
国家自然科学基金资助项目(60166002)
采用计算穿越任意势之透射系数的数值计算方法,得到了在双势垒阱区中有正电杂质时电子隧穿的共振能级、波函数、透射系数.通过与无杂质原子的双势垒量子隧穿情形对比,详细讨论了杂质原子对量子隧穿的影响.数值结果显示,体系的有效势是...
关键词：量子隧穿 双势垒 杂质原子 透射系数 
磁场对GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结系统中束缚极化子的影响被引量：7
《Journal of Semiconductors》2004年第12期1618-1623,共6页张敏 班士良 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :60 1660 0 2 )~~
对 Ga As/ Alx Ga1 - x As单异质结系统引入三角势近似异质结势 ,同时考虑体纵光学 (L O)声子和有效近似下两支界面光学 (IO)声子的影响 ,采用变分法讨论了外界恒定磁场对束缚于近界面杂质的光学极化子结合能的影响 .利用改进的 L ee- L...
关键词：GAAS/ALXGA1-XAS 异质结 磁场 束缚极化子 结合能 
磁场下半导体GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结中的杂质态被引量：9
《发光学报》2004年第4期369-374,共6页张敏 班士良 
国家自然科学基金资助项目 ( 60 1660 0 2 )
对异质结势采用三角势近似 ,考虑屏蔽效应 ,用变分法讨论磁场下半导体异质结系统中的施主杂质态 ,数值计算了GaAs/AlxGa1-xAs单异质结系统中杂质态结合能随磁场的变化关系。结果表明 ,由于外界磁场使界面附近束缚于正施主杂质的单电子...
关键词：异质结 磁场 杂质态 屏蔽 
磁场对Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs异质结系统中施主结合能的影响被引量：2
《内蒙古大学学报（自然科学版）》2003年第4期390-394,共5页张敏 班士良 
国家自然科学基金资助课题(60166002)
对半导体单异质结系统,引入三角势近似异质结势,考虑外界恒定磁场对界面附近束缚于正施主杂质的单电子基态能量的影响,利用变分法对磁场下Ga1-xAlxAs/GaAs异质结系统中杂质态的结合能进行了数值计算.并讨论了结合能随杂质位置、电子面...
关键词：异质结 施主 磁场 结合能 
半导体异质结中施主结合能的磁场效应被引量：2
《内蒙古大学学报（自然科学版）》2003年第4期395-401,共7页王树涛 班士良 
国家自然科学基金资助项目(60166002)
对单异质结界面系统,引入有限高势垒与考虑导带弯曲的真实势,利用变分法讨论磁场对界面附近束缚于施主杂质的单电子基态能量的影响.对磁场中的AlxGa1-xAs/GaAs异质结系统的杂质态结合能作了数值计算,给出结合能随Al组合分、电子面密度...
关键词：异质结 磁场 施主 结合能 
Ⅲ-Ⅴ族宽禁带含氮三元混晶半导体禁带宽度的计算被引量：2
《内蒙古大学学报（自然科学版）》2003年第2期235-237,共3页于晓龙 班士良 
国家自然科学基金资助项目(60166002)
使用简化相干势近似(SCPA)计算了 — 族三元混晶InGaN的禁带宽度.结果表明,该方法与实验数据吻合较好,可用于 — 族含氮三元混晶相关常数的计算.
关键词：INGAN 三元混晶 SCPA 禁带宽度 
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