中央级公益性科研院所基本科研业务费专项(2009ZZ0017)

作品数：2被引量：2H指数：1
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蓝宝石上生长高质量InN单晶薄膜的研究发展被引量：2
《半导体光电》2013年第2期180-185,共6页管云芳 高芳亮 李国强 
国家自然科学基金项目(51002052);广东省战略新兴产业LED专项项目(2011A081301012);华南理工大学基本科研业务费重点项目及其滚动项目(2009ZZ0017)
通过介绍蓝宝石衬底上生长氮化铟(InN)单晶薄膜的发展历程,阐述了生长该单晶薄膜的几种方法及生长过程中存在的一些问题和改进措施,说明了生长高质量InN单晶薄膜的有效途径,为InN的生长及应用提供了理论与技术指导。
关键词：氮化铟 单晶薄膜 MOCVD RF-MBE 溅射技术 HVPE 
氮化时间对RF-MBE法生长InN薄膜晶体结构的影响
《半导体光电》2013年第1期59-61,65,共4页高芳亮 管云芳 李国强 
国家自然科学基金项目(51002052);广东省战略新兴产业LED专项项目(211A081301012);华南理工大学基本科研业务费重点项目及其滚动项目(2009ZZ0017)
采用射频等离子体分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石(Al2O3)衬底上外延生长了InN薄膜,在生长之前对其进行不同时间的氮化处理。通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对薄膜的形貌和结构进行了表征,发现氮化时间小于60min时获得的InN...
关键词：氮化铟 氮化 RF-MBE 单晶薄膜 
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