云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家重点基础研究发展计划(2011CBA00706)

国家重点基础研究发展计划(2011CBA00706): 作品数：40被引量：139H指数：6; 导出分析报告; 相关作者：赵颖张晓丹魏长春张德坤陈新亮更多>>; 相关机构：南开大学河北工业大学中国民航大学郑州大学更多>>; 相关期刊：《Science Bulletin》《南开大学学报（自然科学版）》《物理学报》《人工晶体学报》更多>>; 相关主题：太阳电池ZNO薄膜WH磁控溅射更多>>; 相关领域：电气工程理学电子电信一般工业技术更多>>

Cu_2O/ZnO氧化物异质结太阳电池的研究进展被引量：7: 《物理学报》2018年第11期22-32,共11页陈新亮陈莉周忠信赵颖张晓丹; 国家重点基础研究发展计划(批准号：2011CBA00706,2011CBA00707)和天津市重点自然科学基金(批准号：13JCZDJC26900)资助的课题.; 介绍了近年来低成本Cu_2O/ZnO氧化物异质结太阳电池方面的研究进展.应用于光伏器件的吸收层材料Cu_2O是直接带隙半导体材料,天然呈现p型;其原材料丰富,且对环境友好.Cu_2O/ZnO异质结太阳电池结构主要有平面结构和纳米线/纳米棒结构.纳...; 关键词：Cu2O/ZnO 缓冲层异质结太阳电池

宽光谱窄带隙微晶硅锗太阳电池研究被引量：1: 《中国科技论文》2015年第4期429-432,共4页刘群倪牮张建军马峻王昊赵颖; 国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2011CBA00705,2011CBA00706,2011CBA00707);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20120031120044);天津市应用基础及前沿技术研究计划资助项目(12JCQNJC01000);国家自然科学基金资助项目(61377031); 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,制备了高锗含量(原子百分含量)的氢化微晶硅锗(μc-Si1-x Gex:H)材料。通过锗含量、拉曼光谱、吸收系数以及电导率测试,研究了不同离子轰击条件下μc-Si1-xGex:H薄膜的结构及光电性能...; 关键词：微晶硅锗离子轰击长波响应太阳电池

钙钛矿太阳电池综述被引量：49: 《物理学报》2015年第3期135-142,共8页姚鑫丁艳丽张晓丹赵颖; 国家"973"重点基础研究发展计划项目(批准号:2011CBA00706;2011CBA00707);天津市科技支撑项目(批准号:12ZCZDGX03600);天津市重大科技支撑计划项目(批准号:11TXSYGX22100);高等学校博士学科点专项科研基金资助课题(批准号:20120031110039);科技部863高技术发展计划(批准号:2013AA050302)和国家自然科学基金(批准号:61474065)资助的课题~~; 基于有机-无机杂化钙钛矿材料(CH3NH3Pb X3)制备的太阳电池效率自2009年从3.8%增长到19.6%,因其较高的光吸收系数,较低的成本及易于制备等优势获得了广泛关注.钙钛矿材料不仅可以作为光吸收层,还可用作电子和空穴传输层,以此制备出不同...; 关键词：钙钛矿材料太阳电池晶体结构电荷传输层

“类金字塔”状ZnO改善硅异质结电池近红外波段外量子效率: 《人工晶体学报》2015年第2期311-315,共5页王宁王奉友张晓丹王利果郝秋艳刘彩池赵颖; 国家重点基础研究发展计划(973计划)(2011CBA00706,2011CBA00707);天津市科技支撑项目(12ZCZDGX03600);国家高技术研究发展计划(863计划)(2013AA050302);天津市重大科技支撑计划项目(11TXSYGX22100);高等学校博士学科点专项科研基金(20120031110039); 因晶体硅是间接带隙半导体材料,其较低的吸收系数限制了对近红外波段入射光的吸收。为此,引入金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术制备的Zn O薄膜,并通过改变掺杂流量和沉积时间调节Zn O∶B(BZO)薄膜的光学和电学性能。将BZO薄膜用于硅异质...; 关键词：ZnO:B薄膜金属有机化学气相沉积外量子效率异质结太阳电池

异质结太阳电池硅衬底绒面陷光结构的优化被引量：9: 《光学学报》2015年第2期237-244,共8页王利果赵振越张晓丹王奉友姜元建杜建赵颖刘彩池魏长春许盛之郝秋艳; 国家973计划(2011CBA00706,2011CBA00707);天津市重大科技支撑计划(11TXSYGX22100);高等学校博士学科点专项科研基金(20120031110039); 硅异质结(SHJ)太阳电池作为备受关注的新型高效太阳电池,是在单晶硅表面沉积非晶硅薄膜制备而成的。将绒面结构的单晶硅衬底应用于异质结太阳电池,可以减少光的反射,增强光吸收的效率,从而提高太阳电池短路电流密度。利用湿法化学腐蚀...; 关键词：光学设计陷光制绒金字塔形貌反射率硅异质结太阳电池

衬底温度对磁控溅射生长HMGZO薄膜特性的影响: 《光电子．激光》2014年第11期2114-2122,共9页刘杰铭陈新亮田淙升梁俊辉张德坤赵颖张晓丹; 国家重点基础研究发展计划(2011CBA00705,2011CBA00706,2011CBA00707);科技部“863”高技术发展计划(2013AA050302);中央高校基本科研业务费专项资金(65010341);天津市应用基础及前沿技术研究计划13JCZDJC26900);天津市重大科技支撑计划(11TXSYGX22100)资助项目; 为适应高效Si基薄膜太阳电池对宽光谱透明导电薄膜的需求,采用磁控溅射技术生长了不同衬底温度氢化作用下Ga和Mg共掺杂ZnO（HMGZO）透明导电氧化物（TCO）薄膜。研究了不同衬底温度（200~280℃）对HMGZO薄膜结晶特性及光电特性的影响。...; 关键词：ZNO薄膜 Mg和Ga共掺 H2引入衬底温度光学带隙展宽太阳电池

Structural properties of a-SiO_x:H films studied by an improved infrared-transmission analysis method被引量：1: 《Chinese Physics B》2014年第9期578-584,共7页王烁张晓丹熊绍珍赵颖; supported by the National Basic Research Program of China(Grant Nos.2011CBA00705,2011CBA00706,and 2011CBA00707);the National Natural Science Foundation of China(Grant No.60976051);the Program for New Century Excellent Talents in University of China(Grant No.NCET-08-0295); An improved method of fitting point-by-point is proposed to determine the absorption coefficient from infrared （IR） transmittance. With no necessity of empirical correction factors, the absorption coefficient can be...; 关键词：amorphous silicon oxide film thin thickness infrared transmission structural properties

A new kind of superimposing morphology for enhancing the light scattering in thin film silicon solar cells： Combining random and periodic structure: 《Chinese Physics B》2014年第8期350-356,共7页Huang Zhen-Hua; Project supported by the National Basic Research Program of China （Grant Nos. 2011CBA00705, 2011CBA00706, and 2011CBA00707）, the National Natural Science Foundation of China （Grant No. 61377031）, the Natural Science Foundation of Tianjin, China （Grant No. 12JCQNJC01000）, the Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education, China （Grant No. 20120031120044）, and the Fundamental Research Funds for the Central Universities, China （Grant No. 65012371）.; In this article, a new type of superimposing morphology comprised of a periodic nanostructure and a random structure is proposed for the first time to enhance the light scattering in silicon-based thin film solar cell...; 关键词：light scattering superimposing morphology RANDOM PERIODIC

Optical absorption enhancement of μc-SiGe:H films deposited via high pressure and high power被引量：2: 《Optoelectronics Letters》2014年第3期202-205,共4页李天微张建军曹宇黄振华马俊倪牮赵颖; supported by the National Basic Research Program of China(Nos.2011CBA00705,2011CBA00706 and 2011CBA00707);the National Natural Science Foundation of China(No.61377031);the Natural Science Foundation of Tianjin(No.12JCQNJC01000);the Fundamental Research Funds for the Central Universities; Hydrogenated microcrystalline silicon-germanium(μc-SiGe:H) films are fabricated by radio-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition(RF-PECVD).The optical absorption coefficient and the photosensitivity of t...; 关键词：GERMANIUM Light absorption Plasma enhanced chemical vapor deposition

电极间距对μc-Si_(1-x)Ge_x:H薄膜结构特性的影响被引量：2: 《物理学报》2014年第7期277-282,共6页曹宇张建军严干贵倪牮李天微黄振华赵颖; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CBA00705,2011CBA00706,2011CBA00707);国家自然科学基金(批准号:61377031);天津市应用基础及前沿技术研究计划(批准号:12JCQNJC01000);东北电力大学博士科研启动基金(批准号:BSJXM-201304)资助的课题~~; 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,使用SiH4加GeH4的反应气源组合生长微晶硅锗(μc-Si1-x Gex:H)薄膜.研究了电极间距对μc-Si1-x Gex:H薄膜结构特性的影响.发现薄膜中的Ge含量随电极间距的降低逐渐增加.当电极间距降至7...; 关键词：微晶硅锗电极间距滞留时间射频等离子体增强化学气相沉积

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