电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金

作品数：71被引量：155H指数：6
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相关作者：李平邓宏蔡苇符春林蒋亚东更多>>
相关机构：电子科技大学南京邮电大学重庆科技学院中国科学院更多>>
相关期刊：《微波学报》《微处理机》《磁性材料及器件》《微电子学》更多>>
相关主题：性能研究掺杂LDMOS铁电场发射更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
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一种具有高PSRR的分段温度补偿带隙基准被引量：4
《微电子学》2023年第1期8-13,共6页陈杰浩 郭志弘 胡浩 
电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放基金(KFJJ201914)
基于华虹0.18μm BCD工艺,设计了一种具有高PSRR的分段温度补偿带隙基准。电路采用5 V电源进行供电,基准输出电压为1.256 V。仿真结果表明,在-45~125℃的温度范围内,TT工艺角下,传统结构的温漂系数只能达到2.048×10^(-5)/℃。采用新型...
关键词：带隙基准 高PSRR 分段温度补偿 
一种用于电流舵DAC的开关顺序优化技术
《微电子学》2022年第2期211-216,共6页袁艺丹 林国伟 马俊成 吴克军 
电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放基金资助项目(KFJJ202007)。
提出了一种用于电流舵DAC的开关顺序优化技术。首先,将高位电流源阵列拆分成四个部分并位于四个象限中,在每个象限中采用开关顺序优化技术消除电流源阵列由PVT变化而带来的二阶梯度幅值误差;其次,对开关顺序优化后的电流源阵列根据幅值...
关键词：电流舵DAC 失配误差 开关顺序 校正技术 
基于ZnO/Al_(2)O_(3)缓冲层制备耐高温SAW器件电极
《压电与声光》2021年第3期365-369,共5页李海鸥 刘晶晶 彭斌 王博文 刘兴鹏 郭磊 
广西科技基地与人才专项基金资助项目(No.AD19245066);电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放基金资助项目(KFJJ201906);中国科学院纳米器件与应用重点实验室开放课题基金资助项目(20YZ02)。
为了声表面波(SAW)器件能在高温环境(不小于1000℃)中工作,该文设计并在La_(3)Ga_(5)SiO_(14)压电衬底上制作Pt/ZnO/Al_(2)O_(3)多层复合薄膜电极,利用ZnO/Al_(2)O_(3)组合缓冲层增强了Pt薄膜电极在极端高温条件下的导电稳定性。制备的...
关键词：高温 缓冲层 电极稳定性 声表面波器件 压电衬底 
低驱动电压RF MEMS悬臂梁开关的对比研究被引量：2
《电子产品世界》2020年第7期81-84,共4页欧书俊 张国俊 王姝娅 戴丽萍 钟志亲 
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放基金支持。
本文针对一字型悬臂梁RF MEMS开关,提出了两种降低驱动电压RF MEMS开关的方法,分别为:增大局部驱动面积和降低弹性系数。根据这两种方法设计了4种形状的悬臂梁开关,分别为增大局部驱动面积的十字型梁,降低弹性系数的三叉戟型、蟹钳型和...
关键词：RF MEMS 悬臂梁 驱动电压 弹性系数 
一种基于肖特基二极管的逆导型SOI-LIGBT被引量：1
《微电子学》2020年第3期428-432,共5页武嘉瑜 易波 陈星弼 
国家自然科学科学基金青年基金资助项目(61804021);电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放基金资助项目(KFJJ201708)。
提出了一种逆导型(RC)SOI-LIGBT。通过在LIGBT阳极发射结反向并联一个肖特基二极管,在没有增大LIGBT正向导通压降的情况下,消除了传统阳极短路RC-LIGBT在正向导通时的电压折回效应。通过二维仿真软件对器件稳态、瞬态的电学特性进行了...
关键词：SOI-LIGBT 肖特基二极管 消除电压折回 反向导通 反向恢复 
低温烧结BIT掺杂NiCoZn铁氧体及高频EMI抑制性能研究被引量：2
《功能材料》2020年第1期1088-1093,共6页雷鹏 凌味未 张婉婷 李元勋 苏桦 张怀武 
国家自然科学基金资助项目(61201094);电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放基金资助项目(KFJJ201808);中国博士后基金面上资助项目(2018M633349);四川省科技重点研发资助项目(2019YFG0280);成都信息工程大学中青年学术带头人基金资助项目(J201708)
高频高Q的NiCoZn铁氧体可作为关键材料应用于EMI(electromagnetic Interference)滤波器,但高烧结温度限制了其与目前主流的LTCC(low temperature Co-fired ceramic)无源集成技术的结合。本文制备了一系列低温烧结(900℃)的Bi4Ti3O12(BIT...
关键词：高频 高Q值 EMI NiCoZn铁氧体 BIT掺杂 
一种基于扩展栅的改进的双通道OPTVLD p-LDMOS被引量：4
《微电子学》2019年第1期146-152,共7页李欢 程骏骥 陈星弼 
国家自然科学基金资助项目(51237001);中国青年自然科学基金资助项目(61604030);电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放基金资助项目(KFJJ201612)
提出了一种具有超低比导通电阻的新型优化横向变掺杂双通道p-LDMOS。与传统结构相比,该结构在器件表面增加了一个自驱动的扩展栅。该扩展栅不仅显著提高了导通时空穴的导电能力,还改善了阻断时器件表面的电场分布。因此,新结构的击穿电...
关键词：积累层 双通道 高侧 p-LDMOS 比导通电阻 
逆导型沟槽FS IGBT的设计与实现
《半导体技术》2017年第9期669-674,695,共7页邓小社 郭绪阳 李泽宏 张波 张大成 
国家自然科学基金资助项目(61404023);国家科技重大专项资助项目(2011ZX02504-001;2011ZX02504-003);电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放基金资助项目(KFJJ201301)
逆导型沟槽场终止绝缘栅双极型晶体管(RC Trench FS IGBT)是一种新型的功率半导体器件,具有成本低、体积小、可靠性高等优点。设计并实现了一款1 200 V逆导型沟槽FS IGBT。重点研究了逆导型绝缘栅门极晶体管(RC IGBT)特有的回扫现象,以...
关键词：逆导型沟槽场终止绝缘栅双极型晶体管(RC TRENCH FS IGBT) 载流子寿命 反向恢复时间 回扫现象 开关特性 
一种新型宽发射材料的合成及其光电性能研究
《功能材料》2017年第8期63-66,73,共5页施昆雁 席昭洋 陈柳青 文平 张跳梅 王忠强 赵波 梁效中 孙鹏 曹亚雄 王华 刘旭光 许并社 
国家自然科学基金资助项目(61307030;61307029;51503022);国家自然科学基金青年基金资助项目(61605137);中国教育部大学新世纪优秀人才计划资助项目(NCET-13-0927);山西省科技创新研究队伍资助项目(201513002-10);山西省自然科学基金资助项目(2015021070;201601D011031;201601D021050);电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放基金资助项目(KFJJ201507);山西省高等学校科技创新资助项目(2016134)
以2-噻吩甲醛、苯胺及方酸为原料合成了一种新型含噻吩基方酸菁衍生物的宽发射有机电致发光材料——1,3-二(苯基噻吩氨基)方酸(SQ),通过核磁共振、红外光谱和元素分析确定其分子结构。并研究了其光物理性能。研究发现,SQ薄膜的发射光谱...
关键词：异方酰胺 有机电致发光 白光 宽发射 
OTP存储器位线负载对读出速度的影响被引量：2
《微电子学》2015年第5期649-651,656,共4页吴欣昱 张金旻 罗玉香 
电子薄膜与集成器件国家重点实验室创新基金资助项目(CXJJ200905)
在OTP存储器设计中,随着存储器容量的不断加大,位线负载也相应变大,可能导致读机制失效。为了防止发生读机制失效,需增加灵敏放大器充电时间,但是延长充电时间会影响读取速度。在分析OTP存储器灵敏放大器工作原理的基础上,重点研究了位...
关键词：一次性可编程存储器 位线 灵敏放大器 位线负载 
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