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国家自然科学基金(61274134): 作品数：10被引量：12H指数：2; 导出分析报告; 相关作者：郑新和王乃明王海啸甘兴源吴渊渊更多>>; 相关机构：中国科学院中国科学院大学北京科技大学中国科学技术大学更多>>; 相关期刊：《发光学报》《物理学报》《Journal of Semiconductors》《中国科学：物理学、力学、天文学》更多>>; 相关主题：超晶格太阳能电池GAINASINGAASMBE生长更多>>; 相关领域：电气工程理学电子电信更多>>

Boron-rich layer removal and surface passivation of boron-doped p–n silicon solar cells: 《Journal of Semiconductors》2018年第12期19-22,共4页Caixia Hou Rui Jia Ke Tao Shuai Jiang Pengfei Zhang Hengchao Sun Sanjie Liu Mingzeng Peng Xinhe Zheng; Project supported by the Beijing Municipal Science and Technology Commission,China(No.Z151100003515003);the Beijing Natural Science Foundation(No.4173077,2184112);the Fundamental Research Funds for the Central Universities,China(Nos.FRF-BR-16-018A,FRF-TP-17-022A1,06400071);the National Natural Science Foundation of China(Nos.110751402347,61274134,51402064,61274059,51602340);the Beijing Municipal Innovation and Research Base,China(No.Z161100005016095);the Youth Innovation Promotion Association of Chinese Academy of Sciences(No.2015387); In boron-doped p+-n crystalline silicon（Si） solar cells, p-type boron doping control and surface passivation play a vital role in the realization of high-efficiency and low cost pursuit. In this study, boron-doped p...; 关键词：p^+–n Si solar cell boron-rich layer Al_2O_3/SiN_x stack surface passivation

InGaN/GaN多量子阱电池的垒层结构优化及其光学特性调控被引量：1: 《半导体光电》2017年第5期709-713,共5页侯彩霞郑新和彭铭曾杨静赵德刚; 国家自然科学基金项目(61274134);中央高校基本科研基金项目(06105033); InGaN基量子阱作为太阳电池器件的有源区时,垒层厚度设计以及实际生长对其光学特性的影响极为重要。采用金属有机化学气相沉积(MOVCD)技术,在蓝宝石衬底上外延生长了垒层厚度较厚的InGaN/GaN多量子阱,使用高分辨X射线衍射和变温光致发...; 关键词：INGAN/GAN多量子阱金属有机化学气相沉积光致发光高分辨X射线衍射

Crystalline silicon surface passivation investigated by thermal atomic-layer-deposited aluminum oxide被引量：1: 《Chinese Physics B》2017年第9期478-482,共5页侯彩霞郑新和贾锐陶科刘三姐姜帅张鹏飞孙恒超李永涛; Project supported by the Beijing Municipal Science and Technology Commission,China(Grant No.Z151100003515003);the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.110751402347,61274134,51402064,61274059,and 51602340);the University of Science and Technology Beijing(USTB)Start-up Program,China(Grant No.06105033);the Beijing Municipal Innovation and Research Base,China(Grant No.Z161100005016095);the Fundamental Research Funds for the Central Universities,China(Grant Nos.FRF-UM-15-032 and 06400071);the Youth Innovation Promotion Association of Chinese Academy of Sciences(Grant No.2015387); Atomic-layer-deposited（ALD） aluminum oxide（Al2O3） has demonstrated an excellent surface passivation for crystalline silicon（c-Si） surfaces, as well as for highly boron-doped c-Si surfaces. In this paper, water-b...; 关键词：atomic layer deposition Al_2O_3 surface passivation effective minority carrier lifetime

Designing of 1 eV GaNAs/GaInAs superlattice subcell in current-matched four-junction solar cell被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2016年第1期51-55,共5页王海啸郑新和甘兴源王乃明杨辉; supported by the National Natural Science Foundation of China(No.61274134);the International Cooperation Program of Suzhou;China(No.SH201215); A reasonably-thick GaNAs/GalnAs superlattice could be an option as a roughly 1 eV subcell to achieve high-effiCiency multi-junction solar cells on a lattice-matched Ge substrate. A detailed consideration of a high- ef...; 关键词：SUPERLATTICE theoretical designing solar cell current match

GaInP/GaAs tandem solar cells with highly Te- and Mg-doped GaAs tunnel junctions grown by MBE: 《Chinese Physics B》2015年第10期644-650,共7页郑新和刘三姐夏宇甘兴源王海啸王乃明杨辉; Project supported by the SINANO-SONY Joint Program(Grant No.Y1AAQ11001);the National Natural Science Foundation of China(Grant No.61274134);the USCB Start-up Program(Grant No.06105033);the International Cooperation Projects of Suzhou City,China(Grant No.SH201215); We report a GaInP/GaAs tandem solar cell with a novel GaAs tunnel junction（TJ） with using tellurium（Te） and magnesium（Mg） as n- and p-type dopants via dual-filament low temperature effusion cells grown by molecu...; 关键词：Te doping Mg doping GaAs tunnel junction GalnP/GaAs tandem solar cell molecular beamepitaxy

GaNAs基超晶格太阳电池的分子束外延生长与器件特性被引量：2: 《发光学报》2015年第8期923-929,共7页郑新和夏宇刘三姐王瑾侯彩霞王乃明卢建娅李宝吉; 国家自然科学基金(61274134);上海空间电源研究所项目(Y1EAQ31001)资助; 采用分子束外延(MBE)生长技术生长了周期厚度不同的1 e V吸收带边的Ga N0.03As0.97/In0.09Ga0.91As应变补偿短周期超晶格(SPSL)。高分辨率X射线衍射(HRXRD)测量结果显示,当周期厚度从6 nm增加到20 nm时,超晶格的结晶质量明显改善。然而...; 关键词：GaNAs 超晶格太阳电池分子束外延生长

不同周期厚度的1 eV GaNAs/InGaAs超晶格太阳电池材料的MBE生长和器件特性: 《中国科学：物理学、力学、天文学》2015年第3期69-74,共6页王乃明郑新和陈曦甘兴源王海啸李宝吉卢建娅杨辉; 国家自然科学基金(批准号:61274134);苏州市国际合作项目(编号:SH201215)资助; 本文采用分子束外延(MBE)生长技术,研究了周期厚度对高含N量1eV GaNAs/InGaAs超晶格的结构品质的影响.高分辨率X射线衍射(HRXRD)与透射电镜(TEM)分析表明:当周期厚度从6 nm(阱层和垒层厚度相同,以下同)增加到20 nm时,超晶格的周期重复...; 关键词：GaNAs/InGaAs超晶格分子束外延周期厚度太阳电池快速退火

碲和镁掺杂的新型GaAs隧道结的MBE生长与器件特性被引量：1: 《中国科学：物理学、力学、天文学》2014年第5期472-478,共7页甘兴源郑新和吴渊渊王海啸王乃明; 国家自然科学基金(批准号:61274134);苏州市国际合作项目(编号:SH201215)资助项目; 本文采用分子束外延(MBE)的生长方法,研究了单质碲(Te)和单质镁(Mg)分别作为n型和p型掺杂剂时在III-V族半导体GaAs中的掺杂行为,并且实现了以Te和Mg为掺杂剂的新型GaAs隧道结的生长.通过对生长温度、As4与Ga束流强度V/III比和掺杂剂束...; 关键词：单质碲单质镁砷化镓分子束外延隧道结

1eV吸收带边GaInAs/GaNAs超晶格太阳能电池的阱层设计被引量：4: 《物理学报》2013年第21期499-503,共5页王海啸郑新和吴渊渊甘兴源王乃明杨辉; 国家自然科学基金(批准号:61274134);苏州市国际合作项目(批准号:SH201215)资助的课题~~; 使用In,N分离的GaInAs/GaNAs超晶格作为有源区是实现高质量1eV带隙GaInNAs基太阳能电池的重要方案之一.为在实验上生长出高质量相应吸收带边的超晶格结构,本文采用计算超晶格电子态常用的Kronig-Penney模型比较了不同阱层材料选择下,吸...; 关键词：GaInAs/GaNAs超晶格 KRONIG-PENNEY模型太阳能电池

1eV带隙GaNAs/InGaAs短周期超晶格太阳能电池的设计被引量：2: 《中国科学：物理学、力学、天文学》2013年第8期930-935,共6页王海啸郑新和文瑜吴渊渊甘兴源王乃明杨辉; 国家自然科学基金(批准号:61274134);苏州市国际合作项目(编号:SH201215)资助; 使用In,N分离的GaNAs/InGaAs短周期超晶格作为有源区是未来实现高效率GaInNAs基太阳能电池的重要结构之一.同时,考虑到具有1eV带隙的GaInNAs子电池的重要性以及与Ge衬底晶格匹配的优势,基于Ge衬底上的四结及多结太阳能电池无疑荣景可期...; 关键词：GaNAs InGaAs短周期超晶格传输矩阵方法太阳能电池超晶格参数

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