云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家高技术研究发展计划(2013AA014202)

国家高技术研究发展计划(2013AA014202): 作品数：15被引量：44H指数：3; 导出分析报告; 相关作者：王凌华苏辉薛正群林中晞苏辉更多>>; 相关机构：中国科学院福建物质结构研究所中国科学院大学中国科学院福建师范大学更多>>; 相关期刊：《红外与激光工程》《Chinese Optics Letters》《Chinese Physics B》《光子学报》更多>>; 相关主题：光纤光栅外腔半导体激光器半导体激光器ALGAINAS发散角多量子阱激光器更多>>; 相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>

单片集成的低暗电流1.3μm激光二极管和探测器芯片: 《红外与激光工程》2018年第12期273-277,共5页丘文夫林中晞苏辉; 国家863计划(2013AA014202); 为了在单片上实现半导体激光二极管与探测器的集成,开展了外延材料生长及结构工艺的设计研究。通过刻蚀工艺引入隔离区的方法制备了集成背光探测器的1.3μm InGaAsP/InP半导体激光二极管芯片。管芯的光电性能测试显示,激光二极管具有较...; 关键词：半导体激光二极管背光探测器隔离区低暗电流

InGaAsP多量子阱双稳态激光器的实验及理论研究: 《红外与激光工程》2018年第11期114-119,共6页徐玉兰林中晞陈景源林琦王凌华苏辉; 国家自然科学基金(61405198);国家863计划(2013AA014202);福建省自然科学基金(2014J06022);国家重点研发计划(2016YFB0402300;2016YFB0402304); 从实验和理论上研究了InGaAsP多量子阱(Multi-Quantum-Well,MQW)双区共腔(Common Cavity Tandem Section, CCTS)结构半导体激光器的吸收区偏置状态对双稳态特性的影响。实验结果表明:随着可饱和吸收区上的负偏置电压的增大,激光器P-I曲...; 关键词：双稳态半导体激光器双区共腔回滞曲线环开关比

反射式倒装对1300 nm激光器性能改善的分析被引量：2: 《发光学报》2018年第4期534-540,共7页薛正群王凌华苏辉; 国家自然科学基金(61405198);国家863计划(2013AA014202)资助项目~~; 对AlGaInAs多量子阱1300nmFP激光器进行反射式倒装封装,在热沉上靠近激光器出光端面约10~20μm的区域采用Au反射层,对器件垂直方向出光进行反射。测试结果显示,与常规封装相比,采用这种结构封装芯片垂直发散角从34.5°降低至17°,器件...; 关键词：AlGaInAs多量子阱激光器倒装 Au反射层发散角加速老化

1550nm宽光谱超辐射发光二极管的研制被引量：3: 《红外与激光工程》2018年第4期256-260,共5页訾慧薛正群王凌华林中晞苏辉; 国家自然科学基金(61405198);国家863计划(2013AA014202);福建省自然科学基金(2014J06022);国家重点研发计划(2016YFB0402300;2016YFB0402304); 超辐射发光二极管因其宽光谱低抖动的光谱特点以及输出光为非相干光的特性,在光学相干层析成像技术、光处理技术等领域具有重要应用。为获得宽光谱低抖动的超辐射输出光,设计并制备了一种1 550 nm AlGaInAs多量子阱超辐射发光二极管。...; 关键词：超辐射发光二极管宽光谱低抖动倾斜波导隔离区抗反射薄膜

温度对InP激光器波长蓝移影响的分析被引量：6: 《光子学报》2018年第1期7-12,共6页薛正群王凌华苏辉; 国家自然科学基金(No.61405198);国家高技术研究发展计划(No.2013AA014202)资助~~; 对AlGaInAs多量子阱FP TO-56半导体激光器在不同环境温度、相同发热量下测量出光波长的变化来分析器件波长温度变化系数;并对器件在室温、不同发热功率下的出光波长变化进行测量,分析计算得到器件热阻为183K/W.接着对器件进行不同高温...; 关键词：AlGaInAs多量子阱激光器高温失效热阻波长蓝移发散角

Yb···GdYCOB晶体涡旋激光器: 《中国激光》2016年第9期18-23,共6页卢洁玲张莉珍林州斌林海枫陈玮冬张戈; 国家863计划(2013AA014202);国家自然科学基金(11404332;61575199;6118054;61308085;61475158;61275177);中国国家留学基金(201504910418;201504910629);福建省科技计划项目(2014H0052;2016H0045); 采用光强分布为环形的半导体激光器端面抽运Yb…GdYCOB晶体,实现了激光谐振腔直接发射涡旋激光。通过测量输出激光光束的空间强度分布、光束品质因子、光束纯度以及光束的波前相位信息,证实激光器输出的光束为高纯度涡旋光束。当抽运功...; 关键词：激光技术涡旋激光环形端面抽运 Yb件掺杂晶体

光反馈对光纤光栅外腔半导体激光器特性的影响被引量：6: 《中国激光》2016年第7期62-67,共6页江璐芸王凌华林中晞薛正群苏辉; 国家863计划(2013AA014202);国家自然科学基金(61405198); 主要研究了外加光反馈对光纤布拉格光栅外腔半导体窄线宽激光器特性的影响。在研究温度对光纤光栅外腔半导体激光器激射波长影响的基础上,设计了强度可调的外加光反馈系统,并利用延时自外差法测试外腔半导体激光器的线宽,从实验上分析...; 关键词：激光器外腔半导体激光器线宽相对强度噪声光反馈延时自外差法

1.5 μm dual-lateral-mode distributed Bragg reflector laser for terahertz excitation: 《Chinese Optics Letters》2016年第1期70-74,共5页张莉萌余力强潘碧玮陆丹潘教青赵玲娟; supported by the National Natural Science Foundation of China (No. 61335009, 61274045, 61271066, 61321063);the National 973 Project of China (No. 2011CB301702);the National 863 Project of China (No. 2013AA014202); A terahertz excitation source based on a dual-lateral-mode distributed Bragg reflector （DBR） laser working in the 1.5 μm range is experimentally demonstrated. By optimizing the width of the ridge waveguide, the fun...; 关键词：Bragg reflectors Distributed Bragg reflectors Laser excitation REFLECTION Ridge waveguides

Fabrication and optimization of 1.55-μm InGaAsP/InP high-power semiconductor diode laser被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2015年第9期89-92,共4页柯青谭少阳刘松涛陆丹张瑞康王圩吉晨; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.61274046,61201103);the National High Technology Research and Development Program of China(No.2013AA014202); A comprehensive design optimization of 1.55-#m high power InGaAsP/InP board area lasers is performed aiming at increasing the internal quantum efficiency （ηi） while maintaining the low internal loss （αi） of the ...; 关键词：high power laser INP internal loss internal quantum efficiency

Graded doping low internal loss 1060-nm InGaAs/AlGaAs quantum well semiconductor lasers被引量：2: 《Chinese Physics B》2015年第6期374-377,共4页谭少阳翟腾张瑞康陆丹王圩吉晨; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.61274046,61335009,61201103,and 61320106013);the National High Technology Research and Development Program of China(Grant No.2013AA014202); Internal loss is a key internal parameter for high power 1060-nm InGaAs/A1GaAs semiconductor laser. In this paper, we discuss the origin of internal loss of 1060-nm InGaAs/GaAs quantum welt （QW） AIGaAs separate conf...; 关键词：internal loss free carrier absorption semiconductor laser

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