国家自然科学基金(11005152)

作品数：15被引量：71H指数：5
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相关机构：中国科学院大学中国科学院中国科学院新疆理化技术研究所重庆光电技术研究所更多>>
相关期刊：《红外与激光工程》《发光学报》《物理学报》《强激光与粒子束》更多>>
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电荷耦合器件的γ辐照剂量率效应研究
《发光学报》2016年第6期711-719,共9页武大猷 文林 汪朝敏 何承发 郭旗 李豫东 曾俊哲 汪波 刘元 
国家自然科学基金(11005152);中国科学院“西部之光”人才培养计划重点项目“CCD的空间位移损伤效应及评估技术研究”资助
对电荷耦合器件进行了不同剂量率的γ辐照实验,通过多种参数的测试探讨了剂量率与电荷耦合器件性能退化的关系,并对损伤的物理机理进行分析。辐照和退火结果表明:暗信号和暗信号非均匀性是γ辐照的敏感参数,电荷转移效率和饱和输出电压...
关键词：电荷耦合器件 暗信号 低剂量率损伤增强效应 暗场像素统计 
温度对4管像素结构CMOS图像传感器性能参数的影响被引量：4
《发光学报》2016年第3期332-337,共6页王帆 李豫东 郭旗 汪波 张兴尧 
国家自然科学基金(11005152)资助项目
为了对4管像素结构CMOS图像传感器的空间应用提供可靠性指导,对4管像素结构的CMOS图像传感器进行了-40~80℃的变温实验,着重分析了样品器件的转换增益、满阱容量、饱和输出和暗电流等参数随温度的变化规律。实验结果表明,随着温度的升高...
关键词：CMOS图像传感器 转换增益 满阱容量 暗电流 温度 
电荷耦合器件中子辐照诱发的位移效应被引量：2
《发光学报》2016年第1期44-49,共6页汪波 李豫东 郭旗 汪朝敏 文林 
国家自然科学基金(11005152)资助项目
为研究电荷耦合器件空间辐照效应、参数退化机理,对国产64×64像元电荷耦合器件进行了中子辐照位移损伤效应研究。样品在中子辐照下,暗信号、暗信号非均匀性和电荷转移效率等关键性能参数退化显著。研究结果表明:暗信号的退化是由于中...
关键词：电荷耦合器件 中子辐照 位移效应 电荷转移效率 暗信号 
质子与中子辐照对电荷耦合器件暗信号参数的影响及其效应分析被引量：1
《物理学报》2015年第19期165-172,共8页曾骏哲 李豫东 文林 何承发 郭旗 汪波 玛丽娅 魏莹 王海娇 武大猷 王帆 周航 
国家自然科学基金(批准号:11005152)资助的课题~~
对科学级电荷耦合器件(charge-coupled device,CCD)进行了质子和中子辐照试验及退火试验,应用蒙特卡洛方法计算了质子和中子在CCD中的能量沉积,分析了器件的辐射损伤机理.仿真计算了N+埋层内沉积的位移损伤剂量,辐照与退火试验过程中主...
关键词：电荷耦合器件 质子辐照 中子辐照 输运仿真 
深亚微米N沟道MOS晶体管的总剂量效应被引量：1
《微电子学》2015年第5期666-669,共4页文林 李豫东 郭旗 孙静 任迪远 崔江维 汪波 玛丽娅 
国家自然科学基金资助项目(11005152)
为了研究深亚微米工艺CCD的辐射效应特性,了解因器件特征尺寸变小引入的新效应,对0.18μm商用工艺线上流片的不同沟道宽长比的N型沟道MOSFET器件进行了60Co-γ射线辐照实验,这些NMOSFET与CCD内的MOSFET结构相同。分析了辐照后由于总剂...
关键词：深亚微米 NMOSFET 总剂量效应 窄沟效应 
CMOS有源像素传感器的中子辐照位移损伤效应被引量：4
《强激光与粒子束》2015年第9期202-206,共5页汪波 李豫东 郭旗 文林 孙静 王帆 张兴尧 玛丽娅 
国家自然科学基金项目(11005152)
为研究空间高能粒子位移损伤效应引起的星用CMOS图像传感器性能退化,对国产CMOS有源像素传感器进行了中子辐照试验,当辐射注量达到预定注量点时,采用离线的测试方法,定量测试了器件的暗信号、暗信号非均匀性、饱和输出电压、像素单元输...
关键词：CMOS有源像素传感器 中子辐照 像素单元 饱和输出电压 位移效应 
电子辐照深亚微米MOS晶体管的总剂量效应
《微电子学》2015年第4期537-540,544,共5页文林 李豫东 郭旗 孙静 任迪远 崔江维 汪波 玛丽娅 
国家自然科学基金资助项目(11005152)
为了研究电子辐照导致CCD参数退化的损伤机理,以及CCD内不同沟道宽长比的NMOSFET的辐射效应,将与CCD同时流片的两种不同沟道宽长比的深亚微米NMOSFET进行电子辐照实验。分析了电子辐照导致NMOSFET阈值电压和饱和电流退化的情况,以及器...
关键词：深亚微米 NMOSFET 电子辐照 总剂量效应 
电荷耦合器件在质子辐照下的粒子输运仿真与效应分析
《物理学报》2015年第11期231-238,共8页曾骏哲 何承发 李豫东 郭旗 文林 汪波 玛丽娅 王海娇 
国家自然科学基金(批准号:11005152)资助的课题~~
应用蒙特卡洛方法计算了质子在科学级电荷耦合器件(charge-coupled device,CCD)结构中的能量沉积,并结合该CCD的质子辐照试验及退火试验数据,分析了器件的辐射损伤机理.仿真计算体硅内沉积的位移损伤剂量和栅氧化层的电离损伤剂量,辐照...
关键词：电荷耦合器件 质子辐照 位移效应 输运仿真 
质子、中子、^(60)Co-γ射线辐照对电荷耦合器件饱和输出电压的影响被引量：5
《红外与激光工程》2015年第B12期35-40,共6页汪波 文林 李豫东 郭旗 汪朝敏 王帆 任迪远 曾骏哲 武大猷 
国家自然科学基金(11005152);中国科学院"西部之光"人才培养计划重点项目"CCD的空间位移损伤效应及评估技术研究"
对国产工艺的电荷耦合器件进行了质子、中子、^(60)Co-γ射线辐照试验,研究了不同粒子辐照对器件饱和输出电压的影响。试验结果显示在质子、γ射线辐照下,电荷耦合器件的饱和输出电压显著退化,而在1 Me V中子辐照下,饱和输出电压基本保...
关键词：电荷耦合器件 高能粒子辐照 饱和输出电压 电离总剂量效应 
质子辐射下互补金属氧化物半导体有源像素传感器暗信号退化机理研究被引量：6
《物理学报》2015年第8期189-195,共7页汪波 李豫东 郭旗 刘昌举 文林 任迪远 曾骏哲 玛丽娅 
国家自然科学基金(批准号:11005152)资助的课题~~
对某国产0.5μm工艺制造的互补金属氧化物半导体有源像素传感器进行了10 Me V质子辐射试验,当辐射注量达到预定注量点时,采用离线的测试方法,定量测试了器件暗信号的变化情况.试验结果表明,随着辐射注量的增加暗信号迅速增大.采用MULASS...
关键词：互补金属氧化物半导体有源像素传感器 暗信号 质子辐射 位移效应 
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