中国博士后科学基金(2013M541585)

作品数：3被引量：3H指数：1
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一种具有浮空P型埋层的新型FS-IGBT被引量：2
《微电子学》2017年第2期254-257,284,共5页陈旭东 成建兵 郭厚东 滕国兵 周骏 袁晴雯 
国家自然科学基金资助项目(61274080);中国博士后科学基金资助项目(2013M541585)
提出了一种在阳极引入浮空P型埋层的新型场截止绝缘栅晶体管(FS-IGBT)。结合超结与阳极短路的思想,在相同仿真条件下,与传统FS-IGBT相比,新结构的击穿电压提高了13.9%。当通态电流密度为150A/cm^2时,新结构的优化压降增量小于9%,关断时...
关键词：场截止绝缘栅晶体管 击穿电压 负阻现象 折中关系 
Novel trench gate field stop IGBT with trench shorted anode被引量：1
《Journal of Semiconductors》2016年第5期61-64,共4页陈旭东 成建兵 滕国兵 郭厚东 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(No.61274080);the Postdoctoral Science Foundation of China(No.2013M541585)
A novel trench field stop （FS） insulated gate bipolar transistor （IGBT） with a trench shorted anode （TSA） is proposed. By introducing a trench shorted anode, the TSA-FS-IGBT can obviously improve the breakdown v...
关键词：FS-IGBT trench shorted anode breakdown voltage turn off loss TRADEOFF 
Electric field optimized LDMOST using multiple decrescent and reverse charge regions
《Journal of Semiconductors》2014年第7期65-68,共4页成建兵 夏晓娟 蹇彤 郭宇峰 于舒娟 杨浩 
supported by the National Natural Science Foundation of China(No.61274080);the Natural Science Foundation of Jiangsu Province(No.BK2011753);the Postdoctoral Science Foundation of China(No.2013M541585)
A lateral double-diffused metal-oxide-semiconductor field effect transistor （LDMOST） with multiple n-regions in the p-substrate is investigated in detail. Because of the decrescent n-regions, the electric field dist...
关键词：LDMOST multiple decrescent and reverse charge regions electric field breakdown voltage ON-RESISTANCE 
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