国家高技术研究发展计划(2008AA031403)

作品数：5被引量：16H指数：2
导出分析报告
相关作者：刘明龙世兵王琴王永杨潇楠更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所安徽大学兰州大学南京大学更多>>
相关期刊：《半导体技术》《微纳电子技术》《物理学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
相关主题：非挥发性存储器存储器I-V特性LOW-VOLTAGEHIGH-PERFORMANCE更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信理学机械工程更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-4
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
基于硅纳米晶的非挥发存储器制备与存储特性
《半导体技术》2011年第6期421-424,共4页杨潇楠 王永 张满红 张博 刘明 
国家重点基础研究发展计划(973)资助项目(2010CB934200);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2008AA031403)
硅纳米晶非挥发存储器由于其卓越的性能以及与传统工艺的高度兼容性,近来引起高度关注。采用两步低压化学气相淀积(LPCVD)生长方式制备硅纳米晶(Si-NC),该方法所制备的硅纳米晶具有密度高、可控性好的特点,且完全兼容于传统CMOS工艺。...
关键词：硅纳米晶 非挥发存储器 存储特性 耐受性 数据保持 
A low-voltage sense amplifier for high-performance embedded flash memory被引量：3
《Journal of Semiconductors》2010年第10期74-78,共5页柳江 王雪强 王琴 伍冬 张志刚 潘立阳 刘明 
Project supported by the National High Technology Research and Development Program of China(No.2008AA031403);the National Basic Research Program of China(No.2010CB934204);the National Science Fund for Distinguished Young Scholars of China (No.60825403)
This paper presents a sense amplifier scheme for low-voltage embedded flash （eFlash） memory applications. The topology of the sense amplifier is based on current mode comparison. Moreover, an offset-voltage eliminat...
关键词：sense amplifier current mode embedded flash memory low voltage 
二维移相光栅光强分布的计算及在制备有序纳米硅阵列中的应用被引量：1
《物理学报》2010年第5期3205-3209,共5页严敏逸 王旦清 马忠元 姚尧 刘广元 李伟 黄信凡 陈坤基 徐骏 徐岭 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB932202);江苏省自然科学基金(BK2007135);国家高技术研究发展计计划(批准号:2008AA031403)资助的课题~~
从菲涅耳衍射积分的一般形式出发,结合二维(2D)移相光栅掩模(PSGM)的具体参数,通过数值计算得到了作用于样品表面的光强分布.实验上,采用激光干涉晶化的方法,利用周期为400nm的2D-PSGM调制KrF准分子激光器的脉冲激光束斑的能量分布,在...
关键词：纳米硅 激光干涉晶化 移相光栅 菲涅耳衍射 
基于I-V特性的阻变存储器的阻变机制研究被引量：11
《微纳电子技术》2009年第3期134-140,153,共8页李颖弢 刘明 龙世兵 刘琦 张森 王艳 左青云 王琴 胡媛 刘肃 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2008AA031403);国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2006CB302706);国家自然科学基金资助项目(60825403,90607022,60506005)
随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧,直接制约了RRAM的研发与应用。通过介绍阻变存储器的基本工作原理、不同的...
关键词：阻变存储器 非挥发性存储器 I-V特性 阻变机制 工作原理 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部