国家教育部博士点基金(20079998015)

作品数：9被引量：17H指数：3
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单粒子瞬变中的双极放大效应研究被引量：5
《物理学报》2010年第1期649-654,共6页刘征 陈书明 梁斌 刘必慰 赵振宇 
国家自然科学基金重点项目(批准号:60836004);教育部"高性能微处理器技术创新团队";教育部博士点基金(批准号:20079998015)资助的课题~~
采用三维数值模拟的方法对比研究了单个NMOS晶体管和反相器链中的单粒子瞬变(single event transient,SET)电流脉冲,发现深亚微米工艺下双极放大电流在单管的SET电流脉冲中占主要成分,而在反相器链的SET模拟中不明显,分析二者的区别解...
关键词：单粒子瞬变 双极放大 混合模拟 台阶区电流 
一款0.18μm CMOS辐射加固差分压控振荡器被引量：3
《国防科技大学学报》2009年第6期12-17,共6页赵振宇 郭斌 张民选 刘衡竹 
国家自然科学基金资助项目(60836004;60676010;60876024);教育部博士点基金资助项目(20079998015);教育部"高性能微处理器技术"创新团队资助项目(IRT0614)
基于对称负载压控振荡器(VCO)的单粒子瞬变(SET)失效机理,应用设计加固(RHBD)技术分别改进了偏置电路和环形振荡器,设计和实现了一款0.18μm CMOS辐射加固差分VCO。模拟结果表明:加固VCO的SET敏感性大幅降低,同时还降低了抖动对于电源...
关键词：单粒子效应 单粒子瞬变 压控振荡器 RHBD 
基于PD SOI工艺的8Kb抗辐照静态存储器
《计算机工程与科学》2009年第7期81-84,共4页刘必慰 陈书明 梁斌 陈川 徐再林 
教育部高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20079998015)
SOI工艺具有内在的抗辐照能力,因此被广泛地应用于航天、军事等高可靠领域。本文基于我国目前最先进的0.5μm的PD SOI工艺设计了8Kb的SRAM,并且采用体引出、环形栅等多种技术对其进行了抗辐射加固。模拟表明该SRAM的读写时间小于20ns,50...
关键词：抗辐照 PD SOI 静态存储器 
SET无衰减传播临界脉冲宽度的建模
《计算机工程与科学》2009年第7期85-88,共4页梁斌 陈书明 赵振宇 刘征 
武器装备技术基础项目(050266307001);教育部博士点基金资助项目(20079998015)
本文利用SPICE电路模拟手段研究了SET在不同扇出反相器链中的传播。结果发现能够在反相器链中无衰减传播的临界脉冲宽度与反相器的传播延迟之间具有良好的线性关系,并以此为基础提出了一种估计数字电路中无衰减传播临界脉冲宽度的模型...
关键词：电路模拟 SET 传播 
基准电路中重汇聚导致的SET脉冲展宽效应
《计算机工程与科学》2009年第7期89-91,138,共4页陈建军 陈跃跃 梁斌 
武器装备技术基础项目(050266307001);教育部博士点基金资助项目(20079998015)
本文采用电路模拟手段对典型基准组合电路中的SET传播特性进行了研究,发现了一类新的导致脉冲展宽效应的机理——扇出重汇聚。根据重汇聚点逻辑门类型和输入脉冲特征的不同,重汇聚可以引发两种类型的脉冲。这两类脉冲具有截然不同的特征...
关键词：电路模拟 重汇聚 传播 SET 
Temperature dependence of charge sharing and MBU sensitivity induced by a heavy ion被引量：1
《Journal of Semiconductors》2009年第7期54-61,共8页刘必慰 陈书明 梁斌 
supported by the National Natural Science Foundation of China (No. 60836009);the Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education of China (No. 20079998015)
The temperature dependence of charge sharing in a 130 nm CMOS technology has been investigated over a temperature range of 200 to 420 K.Device simulation results show that the charge sharing collection increases by 66...
关键词：charge sharing temperature dependence parasitic bipolar MBU 
高可靠锁相环设计技术研究被引量：3
《计算机工程与科学》2009年第A01期76-79,83,共5页赵振宇 赵学谦 张民选 郭斌 秦军瑞 
国家自然科学基金资助项目(60836004;60676010);教育部博士点基金项目(20079998015);长江学者和创新团队发展计划
单粒子瞬变(SET)现象对高性能计算的影响日益严重,本文对高性能微处理器中锁相环(PLL)的RHBD(Radia-tion-Hardened-By-Design)加固方法进行了分析和总结,从系统级和电路级两个方面对PLL的SET加固方法进行了分类研究。分析结果表明,设计...
关键词：软错误 SET 锁相环 RHBD 电路加固 
差分压控振荡器中单粒子瞬变的研究被引量：5
《国防科技大学学报》2009年第2期81-85,共5页赵振宇 蒋仁杰 张民选 胡军 李少青 
国家自然科学基金资助项目(60836004;60676010);教育部博士点基金资助项目(20079998015)
压控振荡器(VCO)是锁相环(PLL)中对于单粒子瞬变(SET)最为敏感的部件之一。基于180nm体硅CMOS工艺设计了一款经典的对称负载结构差分VCO电路,并利用电流源表征单粒子效应中电荷沉积和收集的过程,模拟了VCO电路的SET响应。模拟和分析表明...
关键词：单粒子效应 单粒子瞬变 压控振荡器 
超深亚微米工艺下的电路级耦合SET脉冲注入被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第9期1819-1822,共4页刘必慰 陈书明 梁斌 刘征 
高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(批准号:20079998015)~~
超深亚微米工艺下在电路模拟器中使用独立电流源方法的单粒子瞬态(single event transient,SET)脉冲注入与实验结果有很大误差.作者提出了一种基于二维查找表的耦合电流源注入的方法,并且基于开源的SPICE代码实现.该方法的计算结果与器...
关键词：单粒子瞬态 脉冲注入 辐射效应 
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