河北省自然科学基金(E2008000079)

作品数：5被引量：5H指数：1
导出分析报告
相关作者：陈贵锋蔡莉莉冯翠菊吴建海马晓薇更多>>
相关机构：河北工业大学华北科技学院天津职业技术师范大学天津理工大学更多>>
相关期刊：《硅酸盐学报》《Chinese Physics B》《稀有金属》《硅酸盐通报》更多>>
相关主题：电子辐照辐照缺陷氧沉淀直拉硅电阻率更多>>
相关领域：电子电信交通运输工程建筑科学更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-5
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
电子辐照对直拉硅单晶电学参数的影响被引量：3
《稀有金属》2013年第1期82-86,共5页蔡莉莉 冯翠菊 陈贵锋 
国家自然科学基金项目(50872028);河北省自然科学基金项目(E2008000079);河北省教育厅科学研究计划项目(2009318)资助
对N型[111]晶向直拉硅样品进行电子辐照,然后在不同温度下进行常规热处理,对比研究了不同辐照剂量的样品少子寿命和电阻率随退火温度的变化。结果表明:直拉硅单晶样品经电子辐照后电阻率增加,少子寿命下降,辐照剂量越高电阻率增加的越多...
关键词：电子辐照 少子寿命 辐照缺陷 电阻率 
快速热处理对高能粒子辐照硅中氧沉淀的影响被引量：1
《浙江大学学报（工学版）》2011年第5期928-933,953,共7页陈贵锋 马晓薇 吴建海 马巧云 薛晶晶 郝秋艳 
国家自然科学基金资助项目(50872028);河北省自然科学基金资助项目(E2008000079);河北省教育厅科研计划资助项目(2009318)
研究快速热处理对快中子辐照掺氮直拉硅(NCZ-Si)和电子辐照直拉硅(CZ-Si)中氧沉淀和清洁区(DZ)的影响.样品经过不同温度、降温速率和退火气氛快速热处理(RTP)预处理后,再进行高温一步长时间退火,以形成氧沉淀.研究结果表明:对于快中子辐...
关键词：中子辐照 电子辐照 掺氮直拉硅 直拉硅 氧沉淀 清洁区 
快中子辐照硅中双空位的退火行为研究
《硅酸盐通报》2010年第4期779-783,共5页杨帅 邓晓冉 徐建萍 陈贵锋 闫文博 
国家自然科学基金(50872028;10904109);河北省自然科学基金(E2008000079);河北省教育厅科研计划(2009318);天津职业技术师范大学科研发展项目(No.KJ0817)资助课题
本文利用傅立叶变换红外光谱技术（FTIR）及正电子湮没谱技术（PAS）对快中子辐照硅中的双空位（V2）的退火行为作了详细研究.研究发现区熔硅中双空位在250 ℃热处理会通过相互连接形成链状而在红外光谱中消失,提高退火温度到350～450 ...
关键词：辐照缺陷 硅 双空位 FTIR 
快速热处理对电子辐照直拉硅中氧沉淀的影响被引量：1
《硅酸盐学报》2010年第2期196-200,共5页蔡莉莉 陈贵锋 李养贤 
国家自然科学基金(50872028);河北省自然科学基金(E2008000079);河北省教育厅科学研究计划(2009318)资助项目
对n型[111]晶向直拉硅样品进行电子辐照,然后分别在不同温度和降温速率下快速热处理(rapid thermal process,RTP),再在1100℃下进行常规一步退火。研究了RTP温度和降温速率对硅样品内氧沉淀的变化及样品表面清洁区形成的影响。结果表明...
关键词：硅单晶 电子辐照 氧沉淀 快速热处理 清洁区 
Infrared studies of oxygen-related complexes in electron-irradiated Cz-Si
《Chinese Physics B》2009年第7期2988-2991,共4页陈贵锋 阎文博 陈洪建 崔会英 李养贤 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No 50872028);Natural Science Foundation of Hebei Province of China (Grant Nos E200500048 and E2008000079);Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education of China (Grant No 20050080006)
This paper investigates the infrared absorption spectra of oxygen-related complexes in silicon crystals irradiated with electron （1.5 MeV） at 360 K.Two groups of samples with low [Oi] = 6.9 x 10^17 cm^-3 and high [O...
关键词：electron irradiation CZ-SI defect complex annealing processes 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部