国家自然科学基金(51172009)

作品数：4被引量：22H指数：2
导出分析报告
相关作者：黄安平肖志松王玫郑晓虎贾林楠更多>>
相关机构：北京航空航天大学更多>>
相关期刊：《Science Bulletin》《物理学报》《激光与光电子学进展》更多>>
相关主题：调制高K材料介质石墨烯FINFET更多>>
相关领域：电子电信电气工程理学机械工程更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-4
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
光增益型集成光学陀螺研究进展被引量：2
《激光与光电子学进展》2016年第3期1-8,共8页靳俊杰 张浩 陈佳阳 林坚 毕篆芳 黄安平 肖志松 
国家自然科学基金(11574021,51172009);国家国际科技合作专项项目(2014DFA52000);中央高校基本科研业务费专项(YWF-15-WLXY-005)
报道了国际上光增益型集成光学陀螺(IOGWOG)的研究进展和本课题组在该领域的研究成果,展示了通过半导体光放大器、受激拉曼散射以及稀土离子受激辐射的方式实现光增益型陀螺的技术路线,指出了目前研究中存在的问题和今后的发展方向。可...
关键词：集成光学 光学器件 光学陀螺 谐振腔 光增益 
Interface dipole engineering in metal gate/high-k stacks被引量：1
《Chinese Science Bulletin》2012年第22期2872-2878,共7页HUANG AnPing ZHENG XiaoHu XIAO ZhiSong WANG Mei DI ZengFeng CHU Paul K 
supported by the National Natural Science Foundation of China(51172009,51172013 and 11074020);Program for New Century Excellent Talents in University(NCET-08-0029);Hong Kong Research Grants Council(RGC)General Research Funds(GRF)(CityU112510);City University of Hong Kong Strategic Research Grant(SRG)(7008009)
Although metal gate/high-k stacks are commonly used in metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors (MOSFETs) in the 45 nm technology node and beyond,there are still many challenges to be solved.Among the variou...
关键词：IDE接口 金属栅 偶极子 堆叠 工程 MOSFET 半导体场效应晶体管 技术节点 
界面效应调制忆阻器研究进展被引量：15
《物理学报》2012年第21期432-442,共11页贾林楠 黄安平 郑晓虎 肖志松 王玫 
国家自然科学基金(批准号:51172009;51172013;11074020);教育部新世纪优秀人才计划(批准号:NCET-08-0029);高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室开放课题基金(批准号:KL201209SIC)资助的课题~~
忆阻器因其优异的非易失存储特性,且具有结构简单、存储速度快、能耗低、集成度高等优势,在新型电子器件研究领域引起了广泛关注.本文从忆阻器结构出发,对忆阻器主要材料、机理等进行了综述,介绍了忆阻器在电子电路及人工智能等领域的...
关键词：忆阻器 忆阻机理 界面效应 非易失存储 
高k介质在新型半导体器件中的应用被引量：4
《物理学报》2012年第13期473-480,共8页黄力 黄安平 郑晓虎 肖志松 王玫 
国家自然科学基金(批准号:51172009;51172013和11074020);教育部新世纪优秀人才计划(NCET-08-0029)资助的课题~~
当CMOS器件特征尺寸缩小到45 nm以下,SiO_2作为栅介质材料已经无法满足性能和功耗的需要,用高k材料替代SiO_2是必然选择.然而,由于高k材料自身存在局限性,且与器件其他部分的兼容性差,产生了很多新的问题如界面特性差、阈值电压增大、...
关键词：高K材料 FINFET 石墨烯器件 忆阻器 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部