国家自然科学基金(60076007)

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GaN基HEMT器件的表面陷阱电荷输运过程实验研究
《微电子学》2006年第6期722-724,735,共4页罗谦 杜江锋 靳翀 龙飞 周伟 夏建新 杨谟华 
国家自然科学基金资助项目(60076007)
基于特制的无台面AlGaN/GaN HEMT,设计了一种实验方法,用以研究AlGaN/GaN外延表面陷阱态间的电荷输运过程。经实验证实,在器件电流崩塌效应中,存在表面陷阱电荷输运,并确定了相关时间常数。针对应力后电流崩塌驰豫过程,实验监测到小于0....
关键词：GAN HEMT 电荷输运 表面态 电流崩塌 
GaN基HEMT器件的表面陷阱充电效应研究
《半导体技术》2006年第11期856-858,867,共4页罗谦 杜江锋 罗大为 朱磊 龙飞 靳翀 周伟 杨谟华 
国家自然科学基金(60076007)
设计了一种实验方法用以研究AlGaN/GaN外延表面陷阱充电效应对于薄膜电阻的影响,该效应与GaN基HEMT电流崩塌现象直接相关。测量获得了AlGaN/GaN异质结结构薄膜电阻在周期栅脉冲信号下的变化规律。薄膜电阻在低频区域对脉冲频率十分敏感...
关键词：氮化镓 表面态 电流崩塌 
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