国家高技术研究发展计划(2004AA303560)

作品数：9被引量：30H指数：4
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基于FPGA的AMOLED驱动控制系统设计被引量：1
《现代显示》2007年第7期38-44,共7页李文明 荆海 马凯 
国家863计划资助项目(2004AA303560)
根据有机电致发光显示器件的显示原理,选用NEC公司的液晶驱动芯片并适当运用,利用视频解码芯片SAA7113H和Altera公司的低成本Cyclone FPGA器件,设计出一种驱动5.2in(320×3×240)彩色有源OLED视频显示的新方案,此方案可以实现各子像素6...
关键词：有源OLED 视频解码 可编程逻辑器件 行驱动 列驱动 
ZnO纳米棒/薄膜结构的电沉积制备及性能被引量：4
《液晶与显示》2007年第6期694-700,共7页侯旭峰 荆海 张会平 
国家自然科学基金(No.60576056);国家"863"计划资助项目(No.2004AA303560)
以阳离子表面活性剂——十六烷三甲基氯化铵(CTAC)作为添加剂,采用电沉积法在氧化铟锡玻璃基板上制备了ZnO薄膜。并研究了CTAC含量对阴极电流密度、结构、表面形貌、化学态和光学性能的影响。实验发现阴极电流密度和(002)择优取向随CTA...
关键词：ZNO 薄膜 电沉积 光致发光 
a-Si双栅TFT对电泳显示器响应速度的改善被引量：4
《液晶与显示》2007年第5期565-571,共7页杨澍 荆海 付国柱 马凯 
国家"863"计划资助项目(No.2004AA303560)
第一次提出了共栅极双栅结构用于不定形硅薄膜晶体管(a-SiTFTs)的像素结构,通过控制高源漏电压下的过大漏电流,解决有源矩阵电泳显示器(AM-EPD)响应速度慢的问题。文章通过与单栅a-SiTFTs的对比分析,预期到采用等沟道长度双栅结构将在...
关键词：电泳显示器 不定形硅双栅薄膜晶体管 漏电流 响应时间 SPICE模拟 
彩色AMOLED驱动控制系统设计被引量：4
《液晶与显示》2007年第5期617-622,共6页李文明 荆海 马凯 
国家"863"计划资助项目(No.2004AA303560)
驱动控制电路是展示显示屏优良特性的重要部分,可编程逻辑器件FPGA具有功能灵活性,适合于高性能的视频和图像应用。文章利用液晶驱动芯片,模拟视频解码芯片和Altera公司的低成本CycloneFPGA器件,设计了一种新的针对13.2cm(5.2in)(320×3...
关键词：有源OLED 视频解码 现场可编程门阵列 驱动控制 
高阻ITO基板上电化学沉积ZnO薄膜的研究被引量：5
《液晶与显示》2007年第1期15-20,共6页侯旭峰 荆海 谷长栋 张会平 
国家自然科学基金(No.60576056);国家"863"计划(No.2004AA303560)资助项目
利用电化学沉积法,以65±1℃的0.1mol/LZn(NO3)2水溶液作为电解质溶液,在方块电阻为118Ω/□的氧化铟锡(ITO)玻璃基板上制备了ZnO薄膜。利用扫描电镜观察了ZnO薄膜表面形貌,结果表明随着电极电势的降低或沉积时间的增加,ZnO薄膜表面颗...
关键词：ZNO薄膜 电化学沉积 ITO基板 禁带宽度 
驱动AM-OLED的2-a-Si∶H TFT的设计与制作被引量：4
《液晶与显示》2006年第6期660-667,共8页刘金娥 廖燕平 齐小薇 高文涛 荆海 付国柱 李世伟 邵喜斌 
国家"863"计划资助项目(No.2004AA303560)
a-Si∶H/SiNx∶HTFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87～1.68)的氮化硅...
关键词：OLED 阈值电压漂移 N/Si C-V 2-a-Si:H TFT 
a-Si∶H-TFT阈值电压漂移机理及其在驱动OLED显示中的补偿设计被引量：3
《液晶与显示》2006年第5期491-496,共6页刘金娥 廖燕平 荆海 张志伟 付国柱 邵喜斌 
国家"863"计划资助项目(No.2004AA303560)
分析了a-Si∶H-TFT阈值电压漂移的机理,即分析了栅偏应力下电荷注入到SiNx∶H栅绝缘层和a-Si∶H中亚稳态的产生对TFT阈值电压漂移的影响。根据非晶硅中亚稳态产生的特点,并针对驱动OLED的两管a-Si∶H-TFT像素电路,提出了一种通过对数据...
关键词：OLED a—Si:H—TFT 阈值电压漂移 电荷注入 亚稳态 补偿方法 
a-Si∶H TFT亚阈值区SPICE模型的研究被引量：2
《液晶与显示》2005年第4期267-272,共6页邵喜斌 王丽娟 李梅 
国家"863"十五计划资助项目(No.2004AA303560)
研究了将非晶硅薄膜晶体管(a-Si∶HTFT)在电路模拟程序(SPICE)中使用的亚阈值区模型,将亚阈值区分为亚阈值前区和亚阈值后区并建立了模型,对比了不同模型下的模拟结果,发现亚阈值区的TFT特性依赖于材料性质,而且亚阈值前区和亚阈值后区...
关键词：a—Si:H TFT SPICE模型 亚阈值区 
用金属诱导准分子激光晶化法制备多晶硅薄膜被引量：4
《液晶与显示》2005年第2期128-132,共5页廖燕平 邵喜斌 吴渊 骆文生 付国柱 荆海 马凯 
国家"863"计划资助项目(No.2004AA303560)
提出了一种新的晶化方法———金属诱导准分子激光晶化法(MI ELA)。该方法在制备多晶硅(p Si)薄膜中包括两个步骤:第一步是用镍金属诱导方法(MIC)通过热退火形成NiSi2;第二步是再通过准分子激光退火方法(ELA)晶化形成p Si。通过用XRD、R...
关键词：多晶硅薄膜 金属诱导-准分子激光晶化 NiSi2 
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