PMOSFET

作品数：101被引量：107H指数：4
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一种用于高压PMOSFET驱动器的电压跟随电路被引量：2
《半导体技术》2021年第3期198-202,222,共6页师翔 崔玉旺 赵永瑞 谭小燕 张浩 贾东东 
通常PMOSFET栅源电压为-20~20 V,而用于GaN功率放大器的高压PMOSFET驱动器,其工作电压为28~50 V,因此需要一种新型电路结构来保证PMOSFET栅源电压工作在额定范围。设计了一种新型电压跟随电路,采用新型多环路负反馈结构,核心电路主要为...
关键词：PMOSFET驱动器 栅源电压 电压跟随电路 多环路负反馈 低温度漂移 
PMOSFET动态NBTI效应的研究被引量：2
《半导体技术》2010年第1期79-83,共5页宋芳芳 解江 李斌 章晓文 
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金(9140C0301030901)
负偏压温度不稳定性效应(NBTI)已经成为影响CMOS集成电路可靠性的一个关键因素,而动态应力条件下的NBTI效应对器件和电路的影响越来越受到关注。对PMOSFET的动态NBTI效应进行了系统介绍,讨论了动态应力条件下NBTI(DNBTI)效应和静态应力...
关键词：PMOS 动态NBTI 可靠性 恢复效应 
基于DCIV法对pMOSFET热载流子损伤的研究被引量：1
《半导体技术》2009年第3期240-243,共4页冯志刚 何波涌 
国家自然科学基金资助项目(NSFC60606015);上海交通大学微电子学院科研基金资助项目(C071026)
利用新型的直流电流电压(DCIV)法研究了热载流子应力下的亚微米pMOSFET的氧化层陷阱电荷和表面态产生行为,并对热载流子应力下pMOSFET的阈值电压和线性区漏端电流的退化机制做出了物理解释。实验发现在栅极电压较高的热载流子应力条件下...
关键词：PMOSFET 热载流子退化 表面态 氧化层电荷 
PMOSFET的NBTI效应被引量：1
《半导体技术》2005年第5期62-66,27,共6页李若瑜 李斌 陈平 韩静 
随着工艺的发展,器件尺寸的不断缩小,PMOSFET受负温度不稳定性(NBTI)效应影响而失效的现象愈来愈严重,NBTI效应的影响成为器件可靠性的一个焦点问题。本文综述了NBTI效应的产生机理、影响因素、减缓方法及其相关的一些前沿问题。
关键词：PMOS场效应晶体管 负温度不稳定性 栅氧化层可靠性 器件失效 
选择性外延隔离P^+多晶硅栅PMOSFET
《半导体技术》1992年第2期25-28,12,共5页凌浩 熊大菁 
在离子注入埋层的硅片上,以SiO_2层为掩膜和隔离,生长了选择性外延(SEG)单晶硅层,并在此外延层上制作了P^+掺杂的多晶硅栅PMOSFET。浅源漏结的P^+多晶硅栅PMOSFET是使用一次离子注入同时完成栅与源漏的掺杂注入,并由低温退火与快速热退...
关键词：PMOSFET 单晶硅层 隔离 硅栅 掺杂 
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