HOT-CARRIER

作品数：18被引量：14H指数：3
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Model of hot-carrier induced degradation in ultra-deep sub-micrometer nMOSFET
《Chinese Physics B》2014年第5期525-529,共5页雷晓艺 刘红侠 张月 马晓华 郝跃 
Project supported by the National Basic Research Program of China(Grant No.2011CBA00606);the National Natural Science Foundation of China(Grant No.61106106)
The degradation produced by hot carrier （HC） in ultra-deep sub-micron n-channel metal oxide semiconductor field effect transistor （nMOSFET） has been analyzed in this paper. The generation of negatively charged int...
关键词：n-channel metal oxide semiconductor field effect transistor hot carder DEGRADATION lifetimemodel 
Hot-Carrier-Induced Defects Distribution and Coupling Effect of the Front and Back Interface Degradation in SOI nMOSFET＇s Operating in a Bi-MOS Hybrid Mode
《Chinese Journal of Electronics》2004年第1期69-74,共6页HUANGRu WANGJinyan HEJin YUMin ZHANGXing WANGYangyuan 
In this paper based on the forward gated-diode configuration, the hot carrier behavior of the SOI (Silicon-on-insulator) nMOSFET's operating in a Bi-MOS hybrid mode (abbreviated as Bi-nMOSFET) is investigated. The per...
关键词：热载流子 选通二极管 SOI MOSFET Bi-MOS混合方式 耦合效果 
Channel Hot-Carrier-Induced Breakdown of PDSOI NMOSFET's
《Journal of Semiconductors》2001年第8期1038-1043,共6页刘红侠 郝跃 朱建纲 
中国国家先进研究基金资助项目 (批准号 :982 5 741)
The hot-carrier-induced oxide breakdown i s systematically clarified for partially depleted SOI NMOSFET's fabricated on SI MOX wafer.The gate oxide properties are considered to analyze the channel hot-c arrier effects...
关键词：Hot-Carrier Effects (HCE) device lifetime SOI  NMOSFET's SIMOX 
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