SNAPBACK

作品数：24被引量：35H指数：3
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New DDSCR structure with high holding voltage for robust ESD applications被引量：1
《Chinese Physics B》2021年第3期529-539,共11页Zi-Jie Zhou Xiang-Liang Jin Yang Wang Peng Dong 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.61774129,61827812,and 61704145);the Huxiang High-level Talent Gathering Project from the Hunan Science and Technology Department,China(Grant No.2019RS1037);the Changsha Science and Technology Plan Key Projects,China(Grant Nos.kq1801035 and kq1703001).
A novel dual direction silicon-controlled rectifier(DDSCR)with an additional P-type doping and gate(APGDDSCR)is proposed and demonstrated.Compared with the conventional low-voltage trigger DDSCR(LVTDDSCR)that has posi...
关键词：dual direction silicon-controlled rectifier(DDSCR) failure current snapback gate voltage simulation transmission line pulsing(TLP) 
Insight into multiple-triggering effect in DTSCRs for ESD protection被引量：2
《Journal of Semiconductors》2017年第7期93-96,共4页Lizhong Zhang Yuan Wang Yize Wang Yandong He 
supported by the Beijing Natural Science Foundation,China(No.4162030)
The diode-triggered silicon-controlled rectifier（DTSCR） is widely used for electrostatic discharge（ESD） protection in advanced CMOS process owing to its advantages, such as design simplification, adjustable trigge...
关键词：electrostatic discharge（ESD） diode-triggered silicon-controlled rectifier（DTSCR） double snapback transmission line pulse（TLP） test 
NMOS管Snapback特性ESD仿真模型研究
《电子与封装》2012年第3期36-40,共5页高国平 蒋婷 韩兆芳 孙云华 
随着集成电路特征尺寸的不断缩小,ESD的问题始终困扰着芯片设计师们。文章提出了一种宏模型用于ESD的snapback仿真,它包含一个MOS管、一个NPN晶体管和一个衬底电阻,没有外部的电流源。简化的宏模型没有必要使用行为级的语言,如Verilog-A...
关键词：NMOS SNAPBACK ESD 模型 HICUM Mextram VBIC 
ESD robustness studies on the double snapback characteristics of an LDMOS with an embedded SCR被引量：3
《Journal of Semiconductors》2011年第9期34-37,共4页蒋苓利 张波 樊航 乔明 李肇基 
Project supported by the Analog Devices Inc and the National Natural Science Foundation of China(No.60906038)
Criterion for the second snapback of an LDMOS with an embedded SCR is given based on parasitic parameter analysis.According to this criterion,three typical structures are compared by numerical simulation and structura...
关键词：ESD LDMOS SCR double snapback 
A Novel GGNMOS Macro-Model for ESD Circuit Simulation
《Chinese Journal of Electronics》2009年第4期630-634,共5页JIAO Chao JIAO Chao YU Zhiping YU Zhiping 
This work is supported by the National Natural Science Foundation of China （No.90307016）.
A novel macro-model for ESD circuit sim- ulation with only five fitting parameters is proposed. In this model a new topology and a new multiplication factor equation are proposed as well as the extracting method. This...
关键词：Gate-grounded-NMOS Electrostatic dis- charge  ESD modeling  Human body model  Snapback. 
Design Analysis of a Novel Low Triggering Voltage Dual Direction SCR ESD Device in 0.18μm Mixed Mode RFCMOS Technology被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第11期2164-2168,共5页朱科翰 于宗光 董树荣 韩雁 
the Natural Science Foundation of Jiangsu Province(No.BK2007026);the Natural Science Foundation of Zhejiang Province(No.Y107055)~~
A novel SCR on-chip ESD device is proposed to protect IC chips against ESD stressing in two opposite direc- tions. The triggering voltages of four types of dual direction SCRs （DDSCR） are compared and analyzed, pMOS...
关键词：electrostatic discharge dual direction SCR SNAPBACK 
LDD-CMOS中ESD及其相关机理被引量：11
《Journal of Semiconductors》2003年第8期892-896,共5页马巍 郝跃 
国防预先研究支持项目 (项目编号 :413 0 80 60 3 0 5 )~~
LDD工艺是CMOS集成电路进入亚微米后应用最广泛的技术 ,该技术很好地改善了沟道电场分布 ,避免了在器件漏端的强场效应 ,在可靠性方面明显地提高器件及电路的热载流子寿命 .然而 ,LDD结构的抗ESD的能力却大大降低了 .文中通过实验和分...
关键词：LDD—CMOS ESD潜在损伤 SNAPBACK 
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