膜电阻器

作品数:121被引量:84H指数:5
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精密薄膜电阻材料研究进展
《微纳电子技术》2025年第3期68-73,共6页王攀龙 崔光宇 田广科 
国家自然科学基金(52322022)。
精密薄膜电阻材料是制作高精度薄膜电阻元件的关键材料,衡量其性能的关键技术指标是薄膜阻值精度和电阻率温度系数(TCR)绝对值。从不同薄膜材料的TCR入手,重点综述了近10年来国内外在精密薄膜电阻材料方面的研究进展,指出了目前存在的...
关键词:精密薄膜电阻器 电阻率 电阻率温度系数(TCR) 微电子技术 磁控溅射 
压力传感器温度补偿薄膜电阻器手工焊接失效分析
《传感器世界》2024年第4期11-13,27,共4页林昕怡 周富强 赵彦龙 高德亮 
压力传感器主要有应变式、谐振式和硅压阻式(MEMS)等类型。航空发动机主要以硅压阻式为主,硅压阻式压力传感器受温度影响非常大,一般不能直接使用,需要串并联温度补偿电阻进行温度补偿后才能使用。模拟焊接出现电阻焊接后浮高、偏移不良...
关键词:薄膜电阻器 手工焊接 失效分析 
高温高湿环境下镍铬合金薄膜电阻器失效分析被引量:3
《集成技术》2022年第5期88-98,共11页蔡亚丽 刘丽霞 戴文斌 俞亮 岳文锋 张冲 郭全胜 贾婷婷 于淑会 
广东省基础与应用基础研究基金项目(2020B1515120019);深圳科学技术创新委员会项目(KQTD20170810160424889)。
在85℃和85%相对湿度的环境下,对镍铬(Ni-Cr)合金薄膜电阻器进行带载老化试验(“双85”老化试验),测试其老化试验3 000 h后的可靠性。测试结果显示,在“双85”老化试验环境下,薄膜电阻器进行老化试验后,表现出两种失效模式:阻值漂移和...
关键词:NI-CR合金 薄膜电阻器 “双85”老化试验 失效模式 
端羟基聚二甲基硅氧烷提升金属膜电阻器用环氧绝缘材料防潮性能的研究被引量:5
《绝缘材料》2021年第9期41-47,共7页李登云 岳长喜 张松 朱凯 余佶成 张子扬 
采用端羟基聚二甲基硅氧烷对邻甲酚酚醛环氧树脂进行接枝改性,制备一种高防潮性能的环氧绝缘材料,从理论计算及实验的角度对其性能进行了分析。结果表明:当端羟基聚二甲基硅氧烷质量分数为10%时,改性环氧树脂的模量和韧性较高、高温体...
关键词:金属膜电阻器 环氧绝缘材料 端羟基聚二甲基硅氧烷 防潮性能 
高压直流电压互感器用精密电阻器的自主化研发现状被引量:7
《高电压技术》2021年第6期1948-1958,共11页张松 赵玉顺 李登云 汪本进 杜斌 杨克荣 
国家重点研发计划(2017YFF0205701)。
我国直流输电工程用高压直流电压互感器长期以来依靠进口。随着直流输配电技术的快速发展,高压直流电压互感器需求量将越来越大,实现高压直流电压互感器的自主化具有重要的意义。精密电阻器作为高压直流电压互感器的核心器件,决定着高...
关键词:直流输电 直流电压互感器 电阻器特性要求 金属膜电阻器 厚膜电阻器 
片式厚膜电阻器长期可靠性及失效模式研究被引量:6
《电子工艺技术》2020年第2期118-121,共4页张放 王波 丁亭鑫 
通过采用不同程度的高温高湿试验对片式厚膜电阻器长期可靠性及失效模式展开试验验证及研究分析。结果表明:片式厚膜电阻器在85℃,85%RH,10%RV,2000 h的试验条件下,水汽容易入侵片式厚膜电阻激光调阻切割槽处,在电阻内部形成并联电路,...
关键词:厚膜电阻器 高温高湿 失效模式 长期可靠性 
稀土掺杂NiCrSi高阻靶材制备及镀膜性能研究
《稀土》2019年第4期87-94,共8页鲁飞 刘树峰 李慧 刘小鱼 李静雅 孙良成 
包头科技局项目(2014X1008)
采用真空热压烧结法制备稀土掺杂NiCrSi高阻合金靶材。利用X射线衍射仪、金相显微镜、扫描电镜、EDS能谱仪等表征手段测试分析靶材物相组成、显微组织及微区元素分布。同时将所制备靶材溅射沉积金属膜电阻器,研究稀土元素掺入种类对电...
关键词:NiCrSi高阻靶材 稀土 热压烧结 金属膜电阻器 
AEC-Q200厚膜电阻器
《传感器世界》2019年第8期48-48,共1页 
Bourns推出新系列的抗硫化AEC-Q200厚膜电阻器。Bourns■CRxxxxA-AS系列芯片电阻器提供8种不同的封装尺寸,从小型0201(0603公制)至2512(6432公制),额定功率从0.05W-1W.新型表面贴装芯片电阻还具有1欧姆至20百万欧姆的宽电阻范围,非常适...
关键词:厚膜电阻器 封装尺寸 表面贴装 额定功率 抗硫化 芯片 公制 欧姆 
退火温度对氮化钽薄膜电阻器性能的影响被引量:6
《广州化工》2018年第14期39-42,共4页杨俊锋 丁明建 冯毅龙 赖辉信 庄严 
广州市珠江科技新星项目(201610010049)
通过反应直流磁控溅射法在Si片表面沉积氮化钽(Ta N)电阻薄膜,并在空气中进行退火,系统研究了退火温度对薄膜的物相组成、微观形貌、电阻性能的影响。结合X射线衍射(XRD)物相分析、扫描电子显微镜(SEM)形貌分析及电阻性能测试结果,Ta N...
关键词:电阻器 薄膜 热处理 氮化钽 
为您的设计选择正确的精密薄膜电阻器
《今日电子》2018年第Z1期51-52,共2页KORY SCHROEDER 
<正>薄膜材料和沉积技术的进步已经为市场提供了价格合理的精密电阻器,并允许其用于广泛的应用和终端产品中。更具体地说,独特的材料和设计已经产生了具有更高的额定功率、更低的公差和TCR值,以及耐潮湿性的精密芯片电阻——所有这些都...
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