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约翰·戈萨奇《三十二英寸的尺子》 恶魔就在细节中
《数码摄影》2025年第4期16-23,共8页王丁丁(文/图) 
美国摄影师约翰·戈萨奇(John Gossage)是一位有些神秘且难以描述的摄影创作者。早在1985年,他的第一本单行本《池塘》The Pond就奠定了他的开创性地位。如《摄影书:一种历史》The Photobook:A History的联合作者,英国摄影学者格里·巴...
关键词：约翰戈萨奇 池塘 摄影书:一种历史 新地景摄影师 
国产6英寸SiC基GaN HEMT研制
《太赫兹科学与电子信息学报》2025年第4期322-330,共9页孔欣 汪昌思 
近年来,国产6英寸SiC基氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)研制取得明显进展。本文研究了多层介质应力调制技术和高一致性背孔刻蚀技术,并应用于6英寸工艺整合。在48 V工作时,0.5μm工艺在3.5 GHz输出功率密度达8.6 W/mm,功率增益达15 ...
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT) 6英寸 国产衬底 国产外延 工艺技术 良率 
汉口既济水厂早期的三道出厂干管
《城镇供水》2025年第2期1-9,共9页张仁港 
汉口租界自来水管最大管径是20英寸(508毫米)还是20市寸(666毫米)?话题源自《汉口租界志》,溯源1918年版《商办汉镇既济水电有限公司第二届报告》和1921年版《汉口既济水电公司财产估价表译本》均误印为市寸,造成误导。运用1933年版《...
关键词：既济水厂 汉口租界 供水管径 英寸 市寸 
4英寸高质量GaN单晶衬底制备
《人工晶体学报》2025年第4期717-720,共4页齐占国 王守志 李秋波 王忠新 邵慧慧 刘磊 王国栋 孙德福 于汇东 蒋铠泽 张爽 陈秀芳 徐现刚 张雷 
国家自然科学基金重点项目(62434010,52472010)。
本研究结合多孔衬底技术和应力调控策略,成功突破异质外延GaN单晶生长中的位错延伸与应力控制难题,制备出直径4英寸(1英寸=2.54 cm)的高质量GaN单晶。经切割、倒角、研磨及化学机械抛光等加工后,获得厚度500μm的无损伤、超光滑4英寸自...
关键词：GaN单晶衬底 4英寸 氢化物气相外延 晶体生长 晶体加工 
国际首创!九峰山实验室8英寸GaN衬底材料新突破
《变频器世界》2025年第3期39-40,共2页
3月22日,九峰山实验室首次公布了GaN相关的研究成果,包括国际首创8英寸硅基氮极性氮化镓衬底(N-polarGaNOI);全国首个100nm高性能氮化镓流片PDK平台;动态远距离无人终端无线能量传输完成示范验证。成果覆盖了GaN产业链的上下游,包括材...
关键词：国际首创 8英寸硅基氮极性氮化镓衬底 
全球首发!杭州仁发布首颗8英寸氧化单晶
《变频器世界》2025年第3期56-56,共1页
2025年3月5日,杭州镓仁半导体有限公司(以下简称“仁半导体”)发布全球首颗第四代半导体氧化镓8英寸单晶。镓仁半导体采用完全自主创新的铸造法成功实现8英寸氧化单晶生长,并可加工出相应尺寸的晶圆衬底。这一成果,标志着镓仁半导体成...
关键词：杭州镓仁半导体有限公司 第四代半导体氧化镓 
120亿!又一8英寸SiC项目全面封顶!
《变频器世界》2025年第3期54-54,共1页
士兰集宏项目总投资120亿元,分两期建设,总建筑面积达23.45万m,一期投资70亿元,预计2025年四季度初步通线、2026年一季度试生产,达产后年产能42万片8英寸SiC芯片;二期投产后总产能将提升至72万片/年,成为全球规模领先的8英寸SiC功率器...
关键词：总投资 SiC项目 8英寸SiC芯片 新能源汽车 
征世科技成功研发2英寸单晶金刚石晶圆
《人工晶体学报》2025年第3期531-531,共1页朱长征 杜洪兵 
2025年2月20日,上海征世科技股份有限公司(以下简称:征世科技)宣布成功研发出2英寸(1英寸=2.54 cm)单晶金刚石晶圆,如图1所示。这一重大突破标志着征世科技在单晶金刚石领域的技术已达到国际先进水平,为未来宽禁带半导体、功率器件、量...
关键词：单晶金刚石 宽禁带半导体 量子计算 晶圆 功率器件 广阔前景 国际先进水平 科技 
3~4英寸Fe掺高阻β-Ga_(2)O_(3)单晶的制备及其性能研究
《人工晶体学报》2025年第3期407-413,I0003,共8页霍晓青 张胜男 周金杰 王英民 程红娟 孙启升 
超宽禁带半导体β-Ga_(2)O_(3)单晶以优异的耐高压性能和低成本的潜力,引起了研究者的广泛关注。本文采用导模法生长出了3~4英寸(1英寸=2.54 cm)Fe掺β-Ga_(2)O_(3)单晶,长度最大可达270 mm,一块晶坯可以获得多块大尺寸氧化镓单晶,有效...
关键词：β-Ga_(2)O_(3)单晶 电阻率 透过率 RAMAN光谱 XRD半峰全宽 
英飞凌首批8英寸SiC即将交付
《变频器世界》2025年第2期49-49,共1页
2月13日,英飞凌官网宣布,他们在8英寸SiC技术路线上取得重要进展,首批基于8英寸SiC晶圆的器件产品将于2025年第一季度交付客户。据悉,这些产品在英飞凌位于奥地利菲拉赫(Villach)的工厂生产,主要面向高压应用领域,包括可再生能源、铁路...
关键词：可再生能源 电动汽车 菲拉赫 英飞凌 应用领域 市场需求 SIC 马来西亚 
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