倒装芯片

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一种基于倒装芯片的超宽带BGA封装差分传输结构
《半导体技术》2024年第1期91-96,共6页杨振涛 余希猛 张俊 段强 杨德明 白宇鹏 刘林杰 
随着高速数字电路和射频微波电路对时钟频率和带宽的要求越来越高,差分传输结构因其优良的噪声抑制和抗干扰性能而受到越来越多的重视。提出了一种基于倒装芯片的超宽带球栅阵列(BGA)封装差分传输结构。整体传输结构包括采用陶瓷材料制...
关键词：陶瓷基板 倒装芯片 球栅阵列(BGA)封装差分传输结构 垂直互连 高次模 信号完整性 
倒装芯片封装中多层铜互连结构的界面分层
《半导体技术》2023年第3期255-261,267,共8页黄慧霞 张立文 杨贺 杨陈 曹磊 李团飞 
河南省重点研发与推广专项(科技攻关)项目(222102210207);河南省高等学校重点科研项目(20B510006)。
芯片封装过程中,较高的机械热应力易导致多层铜互连结构发生分层甚至断裂失效。运用三级子模型技术建立了倒装芯片10层铜互连结构的有限元分析模型,通过计算不同界面裂纹尖端能量释放率对多层铜互连结构的界面分层展开研究。结果表明:...
关键词：铜互连结构 子模型技术 界面分层 能量释放率 介电材料 
球形焊点三角形排列倒装芯片底部填充的能量法研究
《半导体技术》2021年第7期558-564,共7页蒋伟杰 姚兴军 
上海市自然科学基金资助项目(15ZR1409300)。
对于具有球形焊点且呈正三角形排列的倒装芯片,由于其待填充的空隙结构复杂,难以通过平均毛细压来建立底部填充的解析模型。因此通过能量变化来分析底部填充过程以避免平均毛细压的计算。首先分析了底部填充过程中表面能的变化、动能的...
关键词：倒装芯片 底部填充 能量法 能量守恒 计算流体力学(CFD) 
ENEPIG在倒装芯片用陶瓷外壳中的应用可行性被引量：3
《半导体技术》2020年第6期484-488,共5页张崤君 李含 
目前倒装芯片用陶瓷外壳的表面处理工艺以化学镀镍/浸金(ENIG)为主,而ENIG带来的黑盘现象使封装产品面临润湿不良和焊接强度不足等一系列问题。化学镀镍/化学镀钯/浸金(ENEPIG)是ENIG的一种改进方案,可有效避免黑盘现象。对分别采用ENIG...
关键词：化学镀镍/浸金(ENIG) 化学镀镍/化学镀钯/浸金(ENEPIG) 高密度陶瓷外壳 表面处理 焊接可靠性 
FCOL封装芯片热应力及影响因素分析被引量：7
《半导体技术》2019年第10期803-807,共5页陶鑫 王珺 
国家自然科学基金资助项目(61774044)
引线框架上倒装芯片(FCOL)封装常用于I/O数量少的功率芯片封装。由于FCOL封装中铜引线框架和硅芯片的热膨胀系数差异大,热载荷作用下热失配应力导致与焊点相连的芯片表面微结构发生失效破坏。采用有限元分析(FEA)法对一款FCOL器件封装...
关键词：引线框架上倒装芯片(FCOL) 有限元分析(FEA)法 参数化分析 热应力 爬锡 
微波芯片倒装金凸点热疲劳可靠性分析及优化被引量：4
《半导体技术》2018年第7期555-560,共6页王健 万里兮 侯峰泽 李君 曹立强 
国家自然科学基金委员会-中国工程物理研究院(NSAF)联合基金资助项目(U1730143)
为了满足射频系统小型化的需求,提出了一种基于硅基板的微波芯片倒装封装结构,解决了微波芯片倒装背金接地的问题。使用球栅阵列（BGA）封装分布为周边型排列的Ga As微波芯片建立了三维有限元封装模型,研究了微波芯片倒装封装结构在-55-...
关键词：金凸点 硅基板 热疲劳可靠性 倒装芯片 球栅阵列(BGA)封装 
基于表面能理论的倒装芯片封装下填充流动研究被引量：3
《半导体技术》2018年第1期70-74,共5页杨家辉 姚兴军 章文俊 方俊杰 
上海市自然科学基金资助项目(15ZR1409300)
为了预测倒装芯片封装中的下填充过程,通常要首先通过繁复的方法来求解平均毛细压。为了避免此问题,从能量的角度分析了倒装芯片封装工艺中的下填充流动过程。认为下填充是较低表面能的界面代替较高表面能的界面的过程,所释放的表面能...
关键词：倒装芯片 下填充 表面能 能量守恒 封装 
焊球正六边形排布倒装芯片的下填充毛细压研究被引量：1
《半导体技术》2017年第12期938-943,共6页方俊杰 姚兴军 杨家辉 
上海市自然科学基金资助项目(15ZR1409300)
除了正四边形,正六边形也是倒装芯片中可行的焊球排布形式,为了预测封装倒装芯片时的下填充过程,需要精确计算毛细驱动压。在已有的焊球正四边形排布情况下平均毛细压计算方法的基础上,进一步研究了焊球正六边形排布情况下平均毛细压计...
关键词：倒装芯片 下填充 焊球排布 毛细压 六边形 
倒装芯片下填充流动二维化数值分析方法的应用被引量：1
《半导体技术》2017年第6期463-468,共6页吴亚军 姚兴军 方俊杰 杨家辉 
上海市自然科学基金资助项目(15ZR1409300)
下填充流动是确保倒装芯片可靠性的重要封装工艺,其流场和流动过程具有明显的二维特征,通过降维得到的二维化数值分析新方法能高效地模拟下填充流动过程。针对一种焊球非均匀、非满布的典型倒装芯片,用该数值分析方法模拟了单边下填充...
关键词：倒装芯片 下填充 数值分析 二维化 可视化 
基于倒装应用的单刀双掷开关MMIC设计被引量：3
《半导体技术》2016年第12期899-905,958,共8页高显 何庆国 白银超 王凯 
基于GaAs PHEMT ED25B与薄膜工艺设计了基于倒装应用的DC^26 GHz的单刀双掷(SPDT)开关。首先对倒装芯片与传统的正装芯片进行比较,倒装芯片MMIC技术具有明显的优势;然后对比了不同倒装情况对芯片性能的影响进而提出对倒装无源元器件和Ga...
关键词：倒装芯片 单刀双掷(SPDT)开关 GaAs PHEMT开关建模 倒装互连结构 
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