有机薄膜晶体管

作品数：205被引量：241H指数：6
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基于金属电极和有机半导体层的制备工艺对有机薄膜晶体管性能的研究被引量：2
《半导体光电》2015年第1期88-91,共4页朱大龙 谢应涛 许鑫 欧阳世宏 方汉铿 
基于聚合物绝缘材料和半导体材料,采用溶液法旋涂工艺制作了有机薄膜晶体管(OTFT),通过不同方法制备有机半导体层、栅极和漏极,以提高有机薄膜晶体管的器件性能。结果表明,有机半导体层是否图形化以及不同金属电极的制备工艺对器件的接...
关键词：剥离 湿刻法 半导体层图形化 接触电阻 有机薄膜晶体管 
基于有机硅栅绝缘层的制备工艺对OTFT性能的影响
《半导体光电》2014年第6期1043-1046,共4页许鑫 朱大龙 石强 谢应涛 欧阳世宏 方汉铿 
基于聚合物绝缘材料和半导体材料,采用溶液法旋涂工艺制作了有机薄膜晶体管(OTFT),通过尝试不同旋涂速度、表面预处理、退火温度等条件来优化聚合物绝缘材料的制备工艺参数,获得了良好的绝缘性的聚合物绝缘材料和器件特性。结果表明,绝...
关键词：硅氧烷 聚合物栅极绝缘层 有机薄膜晶体管 
溶液法制程对有机薄膜晶体管性能影响的研究
《半导体光电》2014年第4期617-620,共4页石强 谢应涛 蔡述澄 欧阳世宏 方汉铿 
基于新型的聚合物绝缘材料和半导体材料,采用溶液法旋涂工艺制作有机薄膜晶体管,通过优化聚合物半导体材料的溶剂、旋涂速度、退火温度等条件,提高有机薄膜晶体管的器件性能。结果表明,不同溶剂溶解半导体对制成的有机薄膜晶体管的迁移...
关键词：溶液法制程 旋涂 聚合物 有机薄膜晶体管 迁移率 
交联剂对PVP介质膜电学特性的影响被引量：1
《半导体光电》2013年第3期428-431,435,共5页邱禹 刘欢 余屯 钟传杰 
国家自然科学基金项目(60776056);江南大学"创新计划"项目
通过分析加入不同交联剂质量分数的PVP绝缘膜MIS结构的电学特性,研究了交联剂质量对PVP薄膜电学特性的影响。交联剂PMF和PVP均溶于PGMEA,PVP绝缘膜通过溶液旋涂法由交联剂质量分数分别为1%、3%、5%、7%的四种溶液制成,四种溶液PVP的质...
关键词：PVP 绝缘膜 有机薄膜晶体管 陷阱密度 漏电机理 
CuPc有机薄膜晶体管稳定性研究
《半导体光电》2011年第2期168-171,279,共5页严剑飞 吴志明 太惠玲 李娴 肖战菲 朱涛 熊丽霞 罗振飞 
中央高校基本科研业务费专项资金项目(ZYGX2009J052);中央高校基本科研业务费学生专用资金项目
以酞菁铜为有源层,二氧化硅为绝缘层,钛/金作为电极,制作了沟道宽长比为6 000/10的有机薄膜晶体管。通过比较在不同时期器件在空气环境中的电学特性,分析了环境对器件电学性能的影响。结果表明,在其他条件不变的情况下,当器件置于空气中...
关键词：CUPC 有机薄膜晶体管 迁移率 体电导率 阈值电压 
不同沟道宽长比有机薄膜晶体管性能的研究被引量：4
《半导体光电》2011年第1期52-55,108,共5页严剑飞 吴志明 太惠玲 李娴 付嵩琦 
总装预研基金项目
以酞菁铜为有源层,二氧化硅为绝缘层,钛/金作为电极,制作了三种不同沟道宽长比的有机薄膜晶体管器件。通过对这三种器件的电学特性进行对比,分析了不同沟道宽长比对器件电学性能的影响。结果表明,沟道宽长比对器件的迁移率影响很小,阈...
关键词：沟道宽长比 有机薄膜晶体管 迁移率 阈值电压 
并五苯薄膜晶体管及其应用被引量：4
《半导体光电》2004年第4期253-256,共4页王伟 石家纬 郭树旭 刘明大 全宝富 
国家自然科学基金资助项目(60176022);吉林省自然科学基金资助项目 (2 0 0 2 0 63 4);校创新基金资助项目
　有机薄膜晶体管(TFT)在数据存储、集成电路、传感器诸方面的广泛应用引起了人们极大的兴趣。在有机TFT的研究中,并五苯TFT占有很重要的地位。介绍了并五苯薄膜晶体管的结构、工作原理及其应用,评述了该领域的研究进展,并对其前景进行...
关键词：并五苯 有机薄膜晶体管 迁移率 
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