栅介质

作品数：268被引量：261H指数：6
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基于AlON的4H-SiC MOS高k栅介质电性能
《微纳电子技术》2020年第9期714-719,共6页夏经华 桑玲 查祎英 杨霏 吴军民 王世海 万彩萍 许恒宇 
国家电网有限公司总部科技项目(5455GB180003)。
提高栅介质的界面质量和可靠性一直是功率碳化硅金属氧化物半导体(MOS)器件研发的核心任务之一。基于原子层沉积(ALD)技术,在n型4H-SiC上沉积了Al基高介电常数(k)栅介质材料AlON。在不同沉积后退火(PDA)温度下制备了AlON/4H-SiC MOS电容...
关键词：4H-SIC 金属氧化物半导体(MOS)电容 原子层沉积(ALD) ALON 界面态 介质零时击穿(TZDB) 高k栅介质材料 
X射线光电子能谱法研究In0.53Ga0.47As基Er2O3薄膜的能带排列
《微纳电子技术》2019年第7期575-579,共5页潘小杰 徐海涛 姚博 朱燕艳 曾丽雅 方泽波 
国家自然科学基金资助项目(61504082,51672172);上海市自然科学基金资助项目(15ZR1418700);浙江省自然科学基金资助项目(LQ16F040001,LY15A040001);绍兴市科技规划资助项目(2017B70063,2015B70009)
采用分子束外延(MBE)法在In0.53Ga0.47As衬底上沉积了金属Er薄膜,后经氧气退火得到Er2O3薄膜。台阶仪测得该Er2O3薄膜厚约10 nm。X射线光电子能谱(XPS)显示,采用此方法得到的Er2O3薄膜符合化学计量比。原子力显微镜测试结果显示,该薄膜...
关键词：Er2O3/In0.53Ga0.47As异质结 高K栅介质 分子束外延(MBE) X射线光电子能谱(XPS) 能带偏移 
HfGdO/Ge异质结的制备及其能带排列被引量：1
《微纳电子技术》2016年第6期401-405,共5页孙孟君 朱燕艳 
HfO_2是一种很有应用前景的高k栅介质材料,稀土元素掺杂可以有效改进HfO_2的性能。采用磁控溅射方法制备了Ge基HfGdO薄膜,即HfGdO/Ge异质结。X射线衍射结果显示这种方法制备的薄膜是非晶结构,利用原子力显微镜对退火前后薄膜的表面形貌...
关键词：HfGdO/Ge异质结 高K栅介质 磁控溅射 X射线光电子能谱(XPS) 能带结构 
La基高k栅介质的研究进展
《微纳电子技术》2010年第5期282-289,共8页陈伟 方泽波 马锡英 谌家军 宋经纬 
国家自然科学青年基金项目(60806031);国家自然科学基金项目(60776004);绍兴市重点科研项目(2007A21015)
SiO2作为栅介质已无法满足MOSFET器件高集成度的需求,高k栅介质材料成为当前研究的热点。综述了高k栅介质材料应当满足的各项性能指标和研究意义,总结了La基高k栅介质材料的最新研究进展,以及在改正自身缺点时使用的一些实验方法,指出...
关键词：高K栅介质 La基氧化物 二氧化硅 金属氧化物半导体场效应晶体管 摩尔定律 
高k纳米MOSFET的关态泄漏电流的研究被引量：1
《微纳电子技术》2007年第12期1043-1047,共5页杨建红 李桂芳 刘辉兰 
中国博士后基金资助项目(G2000068306);辽宁省教育厅资助项目(90201038)
对纳米MOSFET关断态的栅电流、漏电流和衬底电流进行了模拟,指出边缘直接隧穿电流(IEDT)远远大于传统的栅诱导泄漏电流(IGIDL)、亚阈区泄漏电流(ISUB)及带间隧穿电流(IBTBT)。对50 nm和90 nm MOSFET器件的Id-Vg特性进行了比较,发现在高...
关键词：关态泄漏电流 边缘直接隧穿电流 边缘诱导的势垒降低 高K栅介质 
高k绝缘层研究动态被引量：5
《微纳电子技术》2005年第5期220-223,248,共5页翁寿松 
介绍了ITRS2003对高k绝缘层材料的要求、高k绝缘层材料必须满足的要求、高k绝缘材料(尤其是HfSiON材料)研究成果以及研究中存在的问题。
关键词：高k绝缘层 栅结构 栅介质 HfSiON薄膜 
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