锗烷

作品数：24被引量：20H指数：3
导出分析报告
相关领域：理学电子电信更多>>
相关作者：冯奕钰封伟王宇叶志镇张鑫更多>>
相关机构：博纯材料股份有限公司福建博纯材料有限公司天津大学赢创运营有限公司更多>>
相关期刊：《分析化学》《有机化学》《化学研究与应用》《河北工业大学学报》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国博士后科学基金江苏省博士后科研资助计划项目更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
氢空位簇调控锗烷的电子结构和分子掺杂
《物理学报》2023年第12期241-251,共11页杨子豪 刘刚 吴木生 石晶 欧阳楚英 杨慎博 徐波 
江西省自然科学基金(批准号:20224ACB201010,20212BAB201017);国家自然科学基金(批准号:12064014,12064015,51962010,12174162,12164019);鸿之微项目资助的课题。
锗烷因其合适的带隙、较高的电子迁移速率、较好的环境稳定性、较小的电噪声和超薄的几何结构,有望取代现有硅基或锗基材料成为下一代半导体器件的理想载体.基于密度泛函理论和非平衡格林函数的第一性原理方法,研究了不同构型和浓度的...
关键词：锗烷 缺陷 分子吸附 电子性质 
GC-AED在高纯磷烷特种气体杂质分析检测领域的研究应用
《低温与特气》2022年第3期38-41,共4页朱颜 乔洋 陈化冰 黄呈熙 
对GC-AED光谱分析检测技术在高纯特气分析检测领域做了应用研究,首次在国内实现高纯磷烷中锗烷杂质的分析检测,锗烷检出限低于0.5×10^(-9),为高迁移率电子器件及探测器外延应用提供有效指导。
关键词：GC-AED(色谱-原子发射光谱检测器) 磷烷 锗烷 砷烷 
镍催化芳基(烯基)亲电试剂与氯锗烷的还原C—Ge键偶联反应被引量：2
《有机化学》2022年第1期312-313,共2页何福生 吴劼 
过渡金属催化的交叉偶联反应为有机分子的合成提供了一种变革性的方法,在学术界和工业界有着广泛的应用^([1]).近年来,亲电试剂的还原交叉偶联反应由于官能团兼容性好,避免了对空气和湿气敏感的有机金属试剂的使用,以及与传统偶联反应...
关键词：交叉偶联反应 亲电试剂 过渡金属催化 变革性 兼容性 
专利文摘
《低温与特气》2021年第2期12-12,18,22,28,36,54,共6页
一种砷烷在线检测装置和检测方法申请(专利)号:201910623198.1,公开(公告)日:2021-01-12,申请(专权)人:东泰高科装备科技有限公司,摘要:本发明提供了一种砷烷在线检测装置和检测方法。该在线检测装置包括:砷烷浓度检测器;水分检测器,与...
关键词：在线检测装置 气质联用仪 锗烷 砷烷 羰基硫 脉冲放电氦离子化检测器 二氧化碳 一氧化碳 
锗烷浓度对非晶/微晶相变区硅锗薄膜结构及光电特性的影响
《河北工业大学学报》2017年第3期83-87,共5页范闪闪 路雪 牛纪伟 于威 傅广生 
河北省重点基础研究项目(12963930D)
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,制备了一系列从非晶到微晶相变区硅锗合金薄膜,研究了锗烷浓度对相变区及相变边缘硅锗薄膜微观结构和光电特性的影响.结果表明,锗烷的加入抑制了晶态硅的生长,使硅锗合金薄膜发生从晶态到非晶...
关键词：等离子体增强化学气相沉积 硅锗合金薄膜 相变区及相变边缘 锗烷浓度 光敏性 
GeH/π层间弱相互作用调控锗烯电子结构的机制被引量：3
《物理学报》2016年第9期264-271,共8页武红 李峰 
国家博士后基金(批准号:2015M581824);江苏省博士后基金(批准号:1501070B)资助的课题~~
锗烯是继石墨烯、硅烯发现以来最重要的二维纳米材料之一,以其优异的物理化学性质迅速得到人们的广泛关注.然而,锗烯具有的零带隙能带特点(狄拉克点)极大程度地限制了其在微电子纳米材料方面的应用.本文采用范德华力修正的密度泛函计算...
关键词：锗烯 锗烷 弱相互作用 密度泛函 
2015中国气体被引量：3
《低温与特气》2015年第6期1-4,18,共5页孙福楠 
回顾2015年中国气体的现状,对未来中国气体进行了预测。提出了我国标准气体属地化生产与经营的想法,对于我国各类主要电子气体同发达国家的差距做了详细的分析。
关键词：电子气体 标准气体 硅烷 高纯笑气 砷烷 锗烷 高纯氯气 高纯氨气 
光明院参加起草的两项国家标准正式颁布
《低温与特气》2015年第5期23-23,共1页
根据国家标准公告2015年第25号,中昊光明化工研究设计院参加制定的《电子工业用气体锗烷》和《电子工业用气体八氟丙烷》两项国家标准于2015年9月11日获得国家质检总局、国家标准委批准,正式颁布。
关键词：八氟丙烷 锗烷 标准委 
锗烷气体制备装置及利用其制备单锗烷气体的方法
《低温与特气》2015年第4期31-31,共1页
申请（专利）号：201380043627.9 公开（公告）日：2015-05-13 申请（专利权）人：奥瑟亚新材料股份有限公司摘要：本发明涉及一种锗烷气体制备装置及利用其制备单锗烷气体的方法。
关键词：气体制备装置 锗烷 利用 专利权 新材料 
锗烷合成工艺及用途概述被引量：1
《低温与特气》2013年第6期33-36,43,共5页陈艳珊 刘兴斌 
锗烷主要用于半导体、光伏太阳能和集成电路行业,是制造高纯锗和各种硅锗合金的重要原材料。主要介绍了锗烷的合成方法:化学还原法、电化学反应法、等离子合成法。同时介绍了锗烷的性质和用途。
关键词：锗烷 合成 用途 
全选清除导出
共3页<123>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部