等离子体损伤

作品数：15被引量：18H指数：2
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相关作者：郝跃唐瑜王守国胡顺欣邓建国更多>>
相关机构：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司上海华力微电子有限公司上海华虹宏力半导体制造有限公司中芯国际集成电路制造(北京)有限公司更多>>
相关期刊：《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《电子与封装》《微电子学》更多>>
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p-GaN ICP刻蚀损伤研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第7期1097-1103,共7页龚欣 吕玲 郝跃 李培咸 周小伟 陈海峰 
国家重大基础研究发展规划资助项目(批准号:51327020301)~~
运用Cl2/N2等离子体系统,系统研究了ICP刻蚀中ICP功率、RF功率、反应室压力和Cl2百分比对p型GaN材料的物理表面形貌和欧姆接触特性的影响.原子力显微镜显示,在文中所用的刻蚀条件范围内,刻蚀并没有引起表面形貌较大的变化,刻蚀表面的均...
关键词：GAN 感应耦合等离子体刻蚀 等离子体损伤 
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