等离子体损伤

作品数：15被引量：18H指数：2
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相关机构：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司上海华力微电子有限公司上海华虹宏力半导体制造有限公司中芯国际集成电路制造(北京)有限公司更多>>
相关期刊：《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《电子与封装》《微电子学》更多>>
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大马士革工艺中等离子体损伤的天线扩散效应
《半导体技术》2019年第1期51-57,72,共8页赵悦 杨盛玮 韩坤 刘丰满 曹立强 
等离子体技术的广泛应用给工艺可靠性带来了挑战,等离子体损伤的评估成为工艺可靠性评估的重要内容之一。针对大马士革工艺中的等离子体损伤问题,提出了天线扩散效应,确定了相应工艺的天线扩散系数,提高了工艺可靠性评估的准确性。根据...
关键词：大马士革工艺 天线扩散效应 等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 等离子体损伤 经时击穿(TDDB) 
高纵横选择比低损伤多晶硅栅的工艺实现被引量：2
《半导体技术》2013年第7期536-539,共4页苏延芬 苏丽娟 胡顺欣 邓建国 
分析了采用微波高密度等离子体刻蚀(HDP)系统刻蚀实现高纵横向刻蚀选择比、低等离子体损伤、精细线条尺寸的MOSFET多晶硅栅的可行性。研究了刻蚀用气体中CH4和SF6等离子体分别在多晶硅栅刻蚀当中的作用及其分别对刻蚀速率、多晶硅栅侧...
关键词：微波高密度等离子体(HDP) 纵横向刻蚀选择比 等离子体损伤 聚合物清洗 终点检测(EPD) 
等离子体加工对器件损伤的两种模式被引量：1
《半导体技术》2002年第5期69-72,共4页刘艳红 赵宇 王美田 胡礼中 马腾才 
介绍了微细加工中等离子体工艺对器件的损伤。主要有两种损伤模式:充电效应引起的损伤和辐射损伤。讨论了两种损伤模式的等离子体过程及损伤机制。
关键词：等离子体损伤 可靠性 半导体工艺 超大规模集成电路 
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