云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 等离子体增强

等离子体增强: 作品数：340被引量：736H指数：9; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：亓钧雷冯吉才姜礼华肖婷向鹏更多>>; 相关机构：中国科学院哈尔滨工业大学大连理工大学浙江大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>

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GaAs衬底上等离子体增强原子层沉积GaN薄膜: 《半导体光电》2023年第4期573-579,共7页邱洪宇王馨颐段彰仇鹏刘恒朱晓丽田丰卫会云郑新和; 采用等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术在斜切的砷化镓(GaAs)衬底上低温沉积了氮化镓(GaN)薄膜,对生长过程、表面机制以及界面特性等进行分析,得到GaN在215~270℃的温度窗口内生长速度(Growth-Per-Cycle, GPC)为0.082 nm/cycle,并从表...; 关键词：等离子增强原子层沉积氮化镓砷化镓衬底低温

PECVD生长垂直石墨烯的场发射特性研究: 《半导体光电》2022年第6期1124-1129,共6页叶志豪许坤丁佩李艳田喜敏段向阳杨鹏李倩倩赵梦圆杜银霄陈雷明曾凡光; 河南省高等学校重点科研项目基础专项项目(22ZX012);河南省重点研发与推广专项(科技攻关)项目(212102210271);河南省高等学校重点科研项目(21B140010);河南省高校科技创新团队项目(22IRTSTHN004);航空科学基金项目(ASFC-2019ZF055002)。; 采用射频等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,以甲烷为碳源,在金属铜箔上制备了三维垂直石墨烯。通过调节生长参数,进行了七组对比实验,利用扫描电子显微镜,拉曼光谱对垂直石墨烯的形貌、质量以及层数进行了表征,用二级结构的场发射...; 关键词：场发射特性垂直石墨烯石墨烯边缘等离子体增强化学气相沉积

掺硼非晶硅薄膜的电阻不稳定性研究被引量：1: 《半导体光电》2008年第5期705-708,共4页杨利霞吴志明李世彬蒋亚东朱魁鹏李伟廖乃镘; 教育部新世纪优秀人才支持计划资助项目(NCET-04-0896); 以硅烷和硼烷为气相反应气体,采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备了硼掺杂氢化非晶硅薄膜。测试了不同样品电阻随测试时间的变化,以及光照和噪声对材料电学性质的影响。结果表明,刚制备出来的样品存在氧化现象,长时间光照会出现...; 关键词：氢化非晶硅硼掺杂噪声等离子体增强化学气相沉积

掺磷a-Si∶H红外薄膜电阻率及电阻温度系数研究被引量：3: 《半导体光电》2007年第1期80-82,103,共4页史磊李伟匡跃军廖乃镘蒋亚东; 用等离子体增强化学气相沉积方法制备了掺磷氢化非晶硅薄膜材料,对薄膜的电阻率以及电阻温度系数进行了详细研究。结果表明,掺磷a-Si∶H薄膜的电阻率随磷掺杂比(PH3/SiH4)的增大和气体温度的升高而降低,但随退火温度的升高而增大;掺磷a...; 关键词：等离子体增强化学气相沉积掺磷非晶硅薄膜电阻率电阻温度系数

等离子体增强化学气相沉积端面减反膜的研究被引量：3: 《半导体光电》2004年第5期380-383,387,共5页张立江熊兵王健孙长征钱可元罗毅; 国家"973"计划资助项目(G2000-03-6601);国家"863"计划资助项目 (2 0 0 1AA3 1 2 1 80 ); 　利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制作半导体有源器件端面减反膜的方法简单易行,且适合进行大规模在片制作。采用1/4波长匹配法对减反膜的折射率、膜厚及其容差进行了理论设计,并在选定折射率下,对PECVD的沉积速率进行了测量...; 关键词：减反射膜等离子体增强化学气相沉积低反射率

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