低K材料

作品数：21被引量：32H指数：4
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相关作者：刘玉岭高宝红何彦刚张卫王立冉更多>>
相关机构：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司河北工业大学长鑫存储技术有限公司复旦大学更多>>
相关期刊：《半导体技术》《电子测试》《现代电子技术》《电子元器件应用》更多>>
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穿透硅通孔互连结构的湿-热应力有限元分析被引量：4
《半导体技术》2012年第11期889-893,共5页俞箭飞 江五贵 
国家自然科学基金项目(10902048;11162014)
对穿透硅通孔(TSV)互连结构的湿-热应力问题进行了有限元分析。首先模拟了在二氧化硅和氢基半硅氧烷(HSQ)低k材料TSV互连结构在回流焊过程中,因热膨胀系数不匹配而引入的热应力,然后预测了HSQ基TSV互连结构在潮湿环境下因湿膨胀系数不...
关键词：TSV结构 低K材料 湿-热应力 有限元 铜互连 
碱性抛光液在CMP过程中对低k介质的影响被引量：2
《半导体技术》2012年第1期29-32,共4页王立冉 邢哲 刘玉岭 胡轶 刘效岩 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项(2009ZX02308)
以p型<111>硅片为衬底,经过旋涂固化制备低介电常数(低k)材料聚酰亚胺。经过化学机械抛光(CMP)过程,考察实验前后低k材料介电性能的变化。实验中分别使用阻挡层抛光液、Cu抛光液以及新型抛光液对低k材料进行抛光后,利用电参数仪对低k材...
关键词：低K材料 化学机械抛光 抛光液 介质电特性 聚酰亚胺 
Forouhi-Bloomer离散方程在低k材料光学表征上的应用被引量：1
《半导体技术》2007年第6期508-511,519,共5页吴恩超 江素华 胡琳琳 张卫 李越生 
半导体工艺中对低k介质材料的精确表征是工艺监控的重要环节,传统方法如扫描电子显微镜和透射电子显微镜存在耗时长和破坏性等缺点。使用一种结合了Forouhi-Bloomer离散方程组和宽光谱分光光度法的新方法,对低k薄膜进行光学表征,得到薄...
关键词：低K材料 Forouhi-Bloomer离散方程 折射率 
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