低开关损耗

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CooIMOSTM C7：功率器件
《世界电子元器件》2013年第7期28-28,共1页
英飞凌科技股份公司推出采用全新650V超结MOSFET技术的CoolMOSTMC7。全新的C7产品家族针对所有标准封装实现了一流的通态电阻RDS（on）。另外，得益于低开关损耗，还可在任何负载条件下实现能效改进。
关键词：功率器件 RDS(ON) 低开关损耗 ET技术 股份公司 通态电阻 负载条件 封装 
STGW30N120KD／40N120KD：1200V IGBT
《世界电子元器件》2009年第11期38-38,共1页
ST推出新系列功率晶体管，可最大限度降低电机控制电路的两大能耗源，降低家电、供暖通风空调（HVAC）系统、工业机床等日用设备对环境的影响。STGW30N120KD和STGW40N120KD是两款导通损耗很低的绝缘栅双极晶体管（IGBT），可降低开关损耗。
关键词：绝缘栅双极晶体管 电机控制电路 功率晶体管 低开关损耗 通风空调 导通损耗 
新型低开关损耗QFET功率MOSFET及应用
《世界电子元器件》2000年第12期44-46,共3页毛兴武 许海东 
快捷半导体推出称为QFET系列的新一代功率MOSFETs,具有低通导电阻(R_(DS_(on)))和低栅极电荷(Q_g),因而产生较小的开关损耗,从而提高开关电源(SMPS)的效率,改善SMPS的性能。
关键词：低开关损耗 QFET 功率 MOSFET 场效应管 
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